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公开(公告)号：CN116896962A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310318731.X
申请日：2023-03-29
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H10K71/00 , H10K59/122 , H10K59/123 , H10K59/124 , H10K59/131
Abstract: 本发明涉及显示装置的制造方法、及显示装置。根据一个实施方式，显示装置的制造方法包括：准备处理基板，形成包含第1有机层、第1蚀刻阻止层、第1密封层的第1薄膜，第1薄膜残留于第1子像素，形成包含第2有机层、第2蚀刻阻止层、第2密封层的第2薄膜，在第2子像素中残留第2薄膜，形成包含第3有机层、第3蚀刻阻止层、第3密封层的第3薄膜，第3薄膜残留于第3子像素。第1蚀刻阻止层的蚀刻速率小于第1密封层的蚀刻速率，第2蚀刻阻止层的蚀刻速率小于第2密封层的蚀刻速率，第3蚀刻阻止层的蚀刻速率小于第3密封层的蚀刻速率，第1蚀刻阻止层及第2蚀刻阻止层各自的厚度大于第3蚀刻阻止层的厚度。
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公开(公告)号：CN116981314A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310462853.6
申请日：2023-04-26
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H10K71/00 , H10K71/16 , H10K71/60 , H10K50/805 , H10K50/844 , H10K59/12
Abstract: 根据一实施方式，显示装置的制造方法包括如下的工序：准备处理基板，该处理基板在衬底的上方形成下电极，形成具有与下电极重叠的开口的肋部，形成包含位于肋部之上的下部以及位于下部之上且从下部的侧面突出的上部在内的隔壁；在开口中在下电极之上形成有机层；在有机层之上形成上电极；在上电极之上形成透明层；以及在透明层之上形成无机层，在形成上电极的工序中，第1蒸镀源相对于处理基板的法线倾斜，一边搬运处理基板一边将从第1蒸镀源射出的材料蒸镀到处理基板上，在形成无机层的工序中，第2蒸镀源相对于处理基板的法线朝向与第1蒸镀源相反的方向倾斜，一边搬运处理基板一边对将从第2蒸镀源射出的材料蒸镀到处理基板上。
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公开(公告)号：CN119156101A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202410763105.6
申请日：2024-06-13
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明涉及显示装置的制造装置。根据一个实施方式，制造装置具备：主生产线，其制造显示装置；和副线，其与主生产线连接，其中，主生产线具备：前处理部；在线型的第1蒸镀装置，其具有用于在下电极之上依次形成有机层、上电极以及盖层的多个蒸镀室；第一CVD装置，其用于在盖层之上形成密封层的第1无机绝缘层；干式蚀刻装置，其用于降低第1无机绝缘层的厚度；和第二CVD装置，其用于在第1无机绝缘层之上形成密封层的第2无机绝缘层，副线形成与主生产线不同的迂回路径作为用于搬送处理基板的搬送路径，主生产线以及副线形成环状的搬送路径。
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公开(公告)号：CN117750857A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311216946.7
申请日：2023-09-20
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 根据一个实施方式，显示装置的制造方法中，准备处理基板，所述处理基板中，在基板的上方形成下电极，形成具有与下电极重叠的开口的肋部，并形成包含位于肋部之上的下部及位于下部之上并从下部的侧面突出的上部的隔壁，在开口中，在下电极之上形成有机层，在有机层之上形成上电极，在形成了上电极的处理基板上蒸镀第1有机材料，在上电极之上形成第1透明层、在形成了第1透明层的处理基板上，蒸镀具有比第1有机材料的折射率低的折射率的第2有机材料，从而在第1透明层之上形成第2透明层，在形成第2透明层之前，从蒸镀源的第1喷嘴及第2喷嘴放射第2有机材料，向与第2喷嘴相对的膜厚测定器中包含的多个水晶振子分别蒸镀第2有机材料。
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公开(公告)号：CN112779499A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011180807.X
申请日：2020-10-29
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明提供一种基板与蒸镀掩模的间隙的调节时间缩短的蒸镀装置和显示装置的制造方法。此外，本发明提供一种蒸镀工序中的不良情况减少的蒸镀装置和显示装置的制造方法。显示装置的制造方法使用蒸镀掩模向基板蒸镀有机材料，其中，与基板相对地配置蒸镀掩模，检测第一位置的基板与上述蒸镀掩模之间的第一间隙(l1)，检测第二位置的基板与蒸镀掩模之间的第二间隙(l2)，将第一间隙(l1)和上述第二间隙(l2)调节为满足式3，
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公开(公告)号：CN119110613A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202410722291.9
申请日：2024-06-05
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明涉及显示装置的制造方法及制造装置。根据实施方式，显示装置的制造方法包括：准备基板，基板包含下电极、具有与下电极重叠的像素开口的肋部、和具有下部以及从下部的侧面突出的上部的隔壁，通过蒸镀对基板形成有机层，有机层通过像素开口与下电极接触，通过蒸镀对基板形成覆盖有机层并且与隔壁的下部接触的上电极。有机层的形成中使用的第1薄膜的第1蒸镀源具备第1喷嘴，第1喷嘴朝向相对于第1蒸镀源相对移动的基板释放材料。上电极的形成中使用的第2蒸镀源具备第2喷嘴，第2喷嘴朝向相对于第2蒸镀源相对移动的基板释放材料。第1及第2喷嘴中的至少一者的轴在俯视观察下朝向与基板的移动方向正交的方向而相对于基板的法线方向倾斜。
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公开(公告)号：CN119053203A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202410662485.4
申请日：2024-05-27
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明涉及显示装置及其制造方法。根据一实施方式，显示装置的制造方法中，准备处理基板，该处理基板中，在基板的上方形成下电极，形成具有与前述下电极重叠的开口的无机绝缘层，并形成包括位于前述无机绝缘层之上的下部及位于前述下部之上且从前述下部的侧面突出的上部的隔壁，在前述开口中于前述下电极之上形成包含发光层的有机层，在前述有机层之上形成上电极，在前述上电极之上形成盖层，形成覆盖前述盖层及前述隔壁的第1密封层，形成覆盖前述第1密封层的树脂层，其中，形成前述有机层、前述上电极及前述盖层的工序是在真空环境下将前述隔壁作为掩膜的蒸镀工序，形成前述树脂层的工序包括在大气气氛下涂布树脂材料的工序。
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公开(公告)号：CN116963565A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310448474.1
申请日：2023-04-24
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H10K71/16 , H10K50/10 , H10K50/844 , H10K59/12 , C23C14/24
Abstract: 本发明涉及显示装置的制造方法及蒸镀装置。根据一个实施方式，包括：准备处理基板，其中在基板的上方形成下电极、形成具有与下电极重叠的开口的肋部、并形成隔壁，该隔壁包含位于肋部之上的下部、及位于下部之上并从下部的侧面突出的上部；在开口中且在下电极之上形成有机层；和在有机层之上形成蚀刻阻止层，在形成蚀刻阻止层的工序中，在第1模式中，蒸镀源相对于处理基板的法线倾斜，一边使蒸镀源与处理基板的相对位置变化，一边对从蒸镀源放射出的材料进行蒸镀，在第2模式中，蒸镀源以与第1模式不同的方式相对于处理基板的法线倾斜，一边使蒸镀源与处理基板的相对位置与第1模式相反地变化，一边对从蒸镀源放射出的材料进行蒸镀。
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公开(公告)号：CN116471900A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310071234.4
申请日：2023-01-16
Applicant: 株式会社日本显示器
Inventor： 水越宽文
IPC: H10K71/00 , H10K50/844 , H10K59/12
Abstract: 本发明涉及显示装置的制造方法。根据一个实施方式，在显示装置的制造方法中，遍及第1子像素、第2子像素及第3子像素形成第1薄膜，将第2子像素的第1薄膜除去，遍及第1子像素、第2子像素及第3子像素形成第2薄膜，将第1子像素及第3子像素的所述第2薄膜除去，将第3子像素的第1薄膜除去，遍及第1子像素、第2子像素及第3子像素形成第3薄膜，将第1子像素及第2子像素的第3薄膜除去。
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公开(公告)号：CN119136589A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202410742872.9
申请日：2024-06-11
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H10K59/121 , H10K59/122 , H10K59/123 , H10K59/12 , H10K71/16 , C23C14/24
Abstract: 本发明涉及显示装置及其制造方法。根据实施方式，显示装置具备：基板；下电极，其配置于基板的上方；肋部，其具有与下电极重叠的像素开口；隔壁，其具有配置于肋部之上的导电性的下部以及从下部的侧面突出的上部；有机层，其通过像素开口与上述下电极接触；和上电极，其覆盖有机层，并与隔壁的上述下部接触。隔壁具有以夹着像素开口的方式配置的第1隔壁以及第2隔壁。第1隔壁的上部具有与有机层以及上电极重叠的第1端部。第2隔壁的上部具有与有机层以及上电极重叠的第2端部。第1端部的正下方的有机层的厚度小于第2端部的正下方的有机层的厚度。第1端部的正下方的上电极的厚度大于第2端部的正下方的上电极的厚度。
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