半导体集成电路器件的制造方法及其测试设备

    公开(公告)号:CN1345086A

    公开(公告)日:2002-04-17

    申请号:CN01135367.8

    申请日:2001-09-30

    CPC classification number: G01R31/2831

    Abstract: 本发明提供了一种半导体集成电路器件的测试设备和制造方法,在晶片级老化测试过程中,通过设置分割的接触器均衡接触到晶片的整个表面、使得可以对各接触器进行维修以及提高接触器的生产率,该方法可以降低制造成本。测试设备中机械加压系统的盒式结构的构成包括:多个分割的硅接触器块和用于集成这些硅接触器块的导架,并且盒式结构采用了分割的接触器集成型的晶片整个表面同步接触系统。因此,通过用机械方法压可以独立运动的各硅接触器块,可以均衡设置硅接触器的各探针以预定压力与测试晶片的各芯片的各测试用焊盘接触,将测试控制信号送到各芯片并且对于晶片级老化测试过程可以获得此测试结果信号。

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