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公开(公告)号：CN1299344C
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200410042010.8
申请日：1999-03-18
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G01R1/07314 , G01R1/06744 , G01R3/00 , G01R31/2863
Abstract: 一种半导体器件的测试设备，包括：设在第一平片部分上且形成在所述第一平片部分一主表面上的凸出部，用于与被测半导体器件的电极相连；在与所述主表面相反的表面上设置的焊接点；和电连接所述凸出部和所述焊接点的导电部件，其中，所述第一平片部分上形成有凸出部的区域比其它区域易于变形，并且，其中，形成有所述凸出部的区域的第一平片部分厚度比其它区域的第一平片部分厚度薄。
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公开(公告)号：CN1290034A
公开(公告)日：2001-04-04
申请号：CN00129032.0
申请日：2000-09-27
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G01R1/0483 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 封装装置,其上固定多个要在检测装置上检测的半导体器件,检测装置包括要与每个半导体器件的电极电连接的探针,封装装置包括多个孔,用于在其中分别可拆卸地容纳半导体器件,而半导体器件之间的相互位置关系和封装装置与每个半导体器件之间的相互位置关系是使半导体器件之间按垂直于半导体厚度方向的方向保持恒定的间距,和多个导电件,用于分别与半导体器件的电极电连接,并伸到封装装置外面,使探针与每个导电件连接。
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公开(公告)号：CN1828741A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200510093092.3
申请日：2005-08-25
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11B7/08576 , G11B7/123 , G11B7/1374
Abstract: 如果要想使透镜小型化来使光源和光检测器做成一体化，则会产生必须减小透镜以及其他光学部件、从而使得用于安装调整的操作变得显著困难的问题。采用这样的构成，即设置具有使光聚焦到信息记录媒体的透镜(108)的第一基板(109)、表面具有检测器(102)、(103)的第二基板(101)、和在其第一基板和第二基板之间具有棱镜和反射镜(105)的层(107)，在该层上具有设置有光源(104)的空洞部(106)。这是在透镜、棱镜、光源、和光检测器都被配置在晶片上的状态下，利用对准标记调整而形成的。由此，可以实现调整容易、无需处理小型部件来进行调整，故此，可便宜、大量、高精度地制造超小型的光头。
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公开(公告)号：CN1155070C
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN99804201.3
申请日：1999-03-18
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G01R1/07314 , G01R1/06744 , G01R3/00 , G01R31/2863
Abstract: 用于制造半导体器件的工艺过程包括为了以大范围一次全部的方式测试被测物中的导电焊接点把具有数量与被测物中的测试目标区域上形成测试目标导电体的数量相等的电学上独立的凸出部的测试装置主体部分压向被测物的电特性测试步骤。
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公开(公告)号：CN101025445A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710003974.5
申请日：2007-01-19
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: B29D11/00365 , B29C33/3842 , B29C33/56
Abstract: 本发明提供用于制造具有任意的非球面、表面光滑的微透镜即具有透镜直径小于等于1mm、厚度大于等于0.5mm尺寸的非球面透镜的模具的制造方法，在单晶硅衬底上形成两层掩模层，使用第一掩模层进行各向异性腐蚀以及各向同性腐蚀，形成了直径比所希望的微透镜用模具稍小的凹部以后，使用第二掩模层进行各向同性腐蚀而扩大其凹部，从而得到所希望尺寸的透镜用模具。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1170311C
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN00129032.0
申请日：2000-09-27
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G01R1/0483 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 半导体器件的制造方法和封装装置，其上固定多个要在检测装置上检测的半导体器件，检测装置包括要与每个半导体器件的电极电连接的探针，封装装置包括多个孔，用于在其中分别可拆卸地容纳半导体器件，而半导体器件之间的相互位置关系和封装装置与每个半导体器件之间的相互位置关系是使半导体器件之间按垂直于半导体厚度方向的方向保持恒定的间距，和多个导电件，用于分别与半导体器件的电极电连接，并伸到封装装置外面，使探针与每个导电件连接。
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公开(公告)号：CN1248792A
公开(公告)日：2000-03-29
申请号：CN99120217.1
申请日：1999-09-17
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/822 , H01L21/66 , H01L21/68
CPC classification number: H01L21/6836 , H01L22/20 , H01L2221/68327 , H01L2924/0002 , H01L2924/014 , H01L2924/00
Abstract: 半导体器件的制造方法、有效检查由切割分离的分立LSI芯片的半导体器件的检查方法以及在所述方法中使用的夹具。从半导体晶片上切割大量的LSI芯片之后,在检查步骤中,使用由热膨胀系数近似等于LSI芯片的材料形成的所述夹具重新排列和集成预定数量的芯片,在随后的检查步骤中,对集成的预定数量的芯片进行预定的检查工艺,由此可以提高检查效率并减少检查成本。
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公开(公告)号：CN1207767C
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN99120217.1
申请日：1999-09-17
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/66 , H01L21/68 , H01L21/822
CPC classification number: H01L21/6836 , H01L22/20 , H01L2221/68327 , H01L2924/0002 , H01L2924/014 , H01L2924/00
Abstract: 半导体器件的制造方法、有效检查由切割分离的分立LSI芯片的半导体器件的检查方法以及在所述方法中使用的夹具。从半导体晶片上切割大量的LSI芯片之后，在检查步骤中，使用由热膨胀系数近似等于LSI芯片的材料形成的所述夹具重新排列和集成预定数量的芯片，在随后的检查步骤中，对集成的预定数量的芯片进行预定的检查工艺，由此可以提高检查效率并减少检查成本。
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公开(公告)号：CN1538515A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200410042010.8
申请日：1999-03-18
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G01R1/07314 , G01R1/06744 , G01R3/00 , G01R31/2863
Abstract: 用于制造半导体器件的工艺过程包括为了以大范围一次全部的方式测试被测物中的导电焊接点把具有数量与被测物中的测试目标区域上形成测试目标导电体的数量相等的电学上独立的凸出部的测试装置主体部分压向被测物的电特性测试步骤。
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公开(公告)号：CN1293824A
公开(公告)日：2001-05-02
申请号：CN99804201.3
申请日：1999-03-18
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01R1/07314 , G01R1/06744 , G01R3/00 , G01R31/2863
Abstract: 用于制造半导体器件的工艺过程包括为了以大范围一次全部的方式测试被测物中的导电焊接点把具有数量与被测物中的测试目标区域上形成测试目标导电体的数量相等的电学上独立的凸出部的测试装置主体部分压向被测物的电特性测试步骤。
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