公开(公告)号：CN1450652A

公开(公告)日：2003-10-22

申请号：CN03110562.9

申请日：2003-04-10

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 大部功 ,  田上知纪 ,  草野忠四郎 ,  梅本康成 ,  黑川敦 ,  望月和浩 ,  大西正已 ,  松本秀俊

IPC分类号： H01L29/737 ,  H01L29/205 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/66318 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/7371 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/16152 ,  H03F1/302 ,  H03F3/19 ,  H03F2203/21178

摘要： 以低成本实现功率附加效率和功率增益高且能降低功率增益的温度依存性的功率放大器。因此，在使用了形成在半导体衬底上，具有平面形状为环状的发射极顶部异质结双极晶体管的半导体器件中，采用了只在环状发射极基极结区域的内侧存在基极的构造。这样，不使用制造步骤复杂的集电极顶部构造，能降低单位发射极面积的基极集电极结容量，结果能实现功率附加效率和功率增益高、适合于半导体器件的功率放大器。