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公开(公告)号：CN1474459A
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：CN03142566.6
申请日：2003-06-10
申请人： 株式会社日立制作所
IPC分类号： H01L29/72
CPC分类号： H01L29/66318 , H01L24/32 , H01L29/0657 , H01L29/0692 , H01L29/41708 , H01L29/7371 , H01L2924/1305 , H01L2924/15787 , H01L2924/00
摘要： 提供一种具有高度结构可靠性和低寄生电容的半导体器件。在一个实施例中，半导体器件具有表面。该半导体器件包括半导体区，其中，从靠近半导体区的衬底的一侧层叠有发射极区、基极区和集电极区；配置在所述表面上的绝缘保护层；和配置在所述表面上的布线层，绝缘保护层从半导体区的衬底一侧形成通孔，形成的通孔可使布线层从衬底一侧构成与发射极区的电极的接触，发射极区、基极区和集电极区层叠于衬底之中，半导体区被隔离于此。
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公开(公告)号：CN109417096B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201780040949.6
申请日：2017-06-02
申请人： 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 株式会社日立制作所 , 富士电机株式会社 , 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/12
摘要： 提高包含功率半导体元件的半导体装置的制造成品率及可靠性。在具有相对于＜11‑20＞方向倾斜的晶体主表面的基板上，形成朝x方向延伸、且在与x方向垂直的y方向上彼此分离的多个沟槽DT。而且，通过由填充到沟槽DT内部的半导体层构成的p型支柱区域PC、以及由在y方向上彼此相邻的沟槽DT之间的基板部分构成的n型支柱区域NC，构成超结结构，沟槽DT的延伸方向(x方向)与＜11‑20＞方向的角度误差在±θ以内。这里，对于高度h、宽度w的沟槽，由{arctan{k×(w/h)}}/13确定。这里，k至少小于2，优选为小于等于0.9，进而优选为小于等于0.5，更进一步优选为小于等于0.3。
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公开(公告)号：CN1181844A
公开(公告)日：1998-05-13
申请号：CN95197819.5
申请日：1995-03-17
申请人： 株式会社日立制作所 , 日立超爱尔·爱斯·爱工程股份有限公司
IPC分类号： H01L29/737
摘要： 本发明涉及一种接触结构,不仅适合异质结双极型晶体管或异质绝缘栅场效应晶体管,也适用于普通半导体器件。在多晶或非晶未掺杂Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体或其合金的半导体层中形成一个接触通孔,其尺寸允许至少部分露出第一导电层和在第一导电层周围的绝缘Si合金层,在通孔中形成第二导电层,使之与第一导电层相接触。既然可将半导体层相对于绝缘Si合金层进行选择性干法腐蚀,则在半导体层中形成上述通孔时绝缘Si合金层不会被腐蚀,因而可避免第二导电层与位于绝缘Si合金层之下的单晶半导体层的电短路。
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公开(公告)号：CN105493293B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201380079101.6
申请日：2013-09-09
申请人： 株式会社日立制作所
IPC分类号： H01L29/861 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/868
CPC分类号： H01L29/1608 , B60L50/51 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/36 , H01L29/6606 , H01L29/8611 , H01L29/872 , H02M7/537 , H02P27/06
摘要： 本发明提供在具有碳化硅器件的半导体装置中，能够抑制耐压变动且实现终端结构的低面积化的技术。为了解决上述课题，本发明中，在具有碳化硅器件的半导体装置中，在结终端部设置p型的第一区域、以及比第一区域更靠近外周侧而设置的p型的第二区域，在第一区域设置第一浓度梯度，在第二区域设置比第一浓度梯度大的第二浓度梯度。
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公开(公告)号：CN1450652A
公开(公告)日：2003-10-22
申请号：CN03110562.9
申请日：2003-04-10
申请人： 株式会社日立制作所
IPC分类号： H01L29/737 , H01L29/205 , H01L21/331
CPC分类号： H01L29/66318 , H01L29/0692 , H01L29/42304 , H01L29/7371 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/16152 , H03F1/302 , H03F3/19 , H03F2203/21178
摘要： 以低成本实现功率附加效率和功率增益高且能降低功率增益的温度依存性的功率放大器。因此，在使用了形成在半导体衬底上，具有平面形状为环状的发射极顶部异质结双极晶体管的半导体器件中，采用了只在环状发射极基极结区域的内侧存在基极的构造。这样，不使用制造步骤复杂的集电极顶部构造，能降低单位发射极面积的基极集电极结容量，结果能实现功率附加效率和功率增益高、适合于半导体器件的功率放大器。
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公开(公告)号：CN1091952C
公开(公告)日：2002-10-02
申请号：CN95197819.5
申请日：1995-03-17
申请人： 株式会社日立制作所 , 日立超爱尔·爱斯·爱工程股份有限公司
IPC分类号： H01L29/737
摘要： 本发明涉及一种接触结构，不仅适合异质结双极型晶体管或异质绝缘栅场效应晶体管，也适用于普通半导体器件。在多晶或非晶未掺杂III-V族化合物半导体或其合金的半导体层中形成一个接触通孔，其尺寸允许至少部分露出第一导电层和在第一导电层周围的绝缘Si合金层，在通孔中形成第二导电层，使之与第一导电层相接触。既然可将半导体层相对于绝缘Si合金层进行选择性干法腐蚀，则在半导体层中形成上述通孔时绝缘Si合金层不会被腐蚀，因而可避免第二导电层与位于绝缘Si合金层之下的单晶半导体层的电短路。
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公开(公告)号：CN109417096A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780040949.6
申请日：2017-06-02
申请人： 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 株式会社日立制作所 , 富士电机株式会社 , 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/12
摘要： 提高包含功率半导体元件的半导体装置的制造成品率及可靠性。在具有相对于＜11-20＞方向倾斜的晶体主表面的基板上，形成朝x方向延伸、且在与x方向垂直的y方向上彼此分离的多个沟槽DT。而且，通过由填充到沟槽DT内部的半导体层构成的p型支柱区域PC、以及由在y方向上彼此相邻的沟槽DT之间的基板部分构成的n型支柱区域NC，构成超结结构，沟槽DT的延伸方向(x方向)与＜11-20＞方向的角度误差在±θ以内。这里，对于高度h、宽度w的沟槽，由{arctan{k×(w/h)}}/13确定。这里，k至少小于2，优选为小于等于0.9，进而优选为小于等于0.5，更进一步优选为小于等于0.3。
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公开(公告)号：CN105493293A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201380079101.6
申请日：2013-09-09
申请人： 株式会社日立制作所
IPC分类号： H01L29/861 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/868
CPC分类号： H01L29/1608 , B60L50/51 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/36 , H01L29/6606 , H01L29/8611 , H01L29/872 , H02M7/537 , H02P27/06
摘要： 本发明提供在具有碳化硅器件的半导体装置中，能够抑制耐压变动且实现终端结构的低面积化的技术。为了解决上述课题，本发明中，在具有碳化硅器件的半导体装置中，在结终端部设置p型的第一区域、以及比第一区域更靠近外周侧而设置的p型的第二区域，在第一区域设置第一浓度梯度，在第二区域设置比第一浓度梯度大的第二浓度梯度。
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公开(公告)号：CN100431166C
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN03142566.6
申请日：2003-06-10
申请人： 株式会社日立制作所
IPC分类号： H01L29/72
CPC分类号： H01L29/66318 , H01L24/32 , H01L29/0657 , H01L29/0692 , H01L29/41708 , H01L29/7371 , H01L2924/1305 , H01L2924/15787 , H01L2924/00
摘要： 提供一种具有高度结构可靠性和低寄生电容的半导体器件。在一个实施例中，半导体器件具有表面。该半导体器件包括：配置在所述表面上的半导体区，其中，从半导体区的靠近衬底的一侧层叠有发射极区、基极区和集电极区，并且该半导体区与该衬底隔离；配置在所述表面上的绝缘保护层和布线层；配置在所述衬底的远离所述半导体区的一侧的布线层；和通过所述衬底的通孔，所述通孔可使所述衬底的远离所述半导体区的一侧上的布线层与发射极区的电极接触。
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