公开(公告)号：CN100499127C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200610101301.9

申请日：2006-07-14

申请人： 国际商业机器公司

发明人： B·T·弗格利 ,  P·B·格雷

IPC分类号： H01L27/082 ,  H01L21/8222

CPC分类号： H01L29/7378 ,  H01L21/82285 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/0826 ,  H01L29/66242 ,  Y10S438/969

摘要： 本发明涉及一种器件结构，该结构位于半导体衬底中并且包括高性能垂直NPN和PNP晶体管。具体地说，垂直PNP晶体管具有发射极区域，并且垂直NPN晶体管具有本征基极区域。垂直PNP晶体管的发射极区域和垂直NPN晶体管的本征基极区域位于单个含硅锗层中，并且它们都包括单晶硅锗。本发明还涉及制造这样的器件结构的方法，该方法基于用于CMOS和双极器件的常规制造工艺的间接修改，具有很少或没有附加工艺步骤。

公开(公告)号：CN101116173A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200580043510.6

申请日：2005-11-30

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 叶志渊 ,  金以宽 ,  李小威 ,  阿里·朱耶基 ,  尼乔拉斯·C·达力鞑 ,  唐金松 ,  陈孝 ,  艾卡迪·V·塞蒙洛夫

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L29/165 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848 ,  Y10S438/933 ,  Y10S438/969

摘要： 在第一方面中，本发明提供一种在一基板上形成一外延薄膜的第一方法。该第一方法包含(a)提供一基板；(b)将该基板暴露在至少一硅来源中，以在该基板的至少一部份上形成一外延薄膜；以及(c)将该基板暴露在氯化氢气体和氯气中，以蚀刻该外延薄膜以及在步骤(b)期间形成的任何其它薄膜。本发明提供多种其它方面。

公开(公告)号：CN101116173B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200580043510.6

申请日：2005-11-30

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 叶志渊 ,  金以宽 ,  李小威 ,  阿里·朱耶基 ,  尼乔拉斯·C·达力鞑 ,  唐金松 ,  陈孝 ,  艾卡迪·V·塞蒙洛夫

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L29/165 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848 ,  Y10S438/933 ,  Y10S438/969

摘要： 在第一方面中，本发明提供一种在一基板上形成一外延薄膜的第一方法。该第一方法包含(a)提供一基板；(b)将该基板暴露在至少一硅来源中，以在该基板的至少一部份上形成一外延薄膜；以及(c)将该基板暴露在氯化氢气体和氯气中，以蚀刻该外延薄膜以及在步骤(b)期间形成的任何其它薄膜。本发明提供多种其它方面。

公开(公告)号：CN101401202A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200780009125.9

申请日：2007-03-15

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： D·K·卡尔森 ,  S·库普里奥 ,  E·A·C·桑切斯 ,  H·贝克福德 ,  Y·金

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/7834 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/76243 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/8249 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848 ,  Y10S438/969

摘要： 一种在基板表面上外延形成含硅材料的方法，通过调整处理反应室温度及压力来将含卤素气体用作蚀刻气体以及载气。将氯化氢用作该含卤素气体是有利的，因为可藉由调整该反应室压力轻易地将氯化氢从载气转换为蚀刻气体。

公开(公告)号：CN1159764C

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN00136496.0

申请日：2000-12-27

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 劳伦斯·A·克勒文格 ,  拉曼·迪瓦卡卢米 ,  许履尘 ,  李玉君

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L29/78 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L29/6659 ,  H01L21/2251 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/088 ,  Y10S438/969

摘要： 一种N沟道金属氧化物半导体(NMOS)驱动电路(及其制造方法)，它包括制作在衬底上并具有用低浓度N型注入方法制作的源和漏的增压栅叠层，以及耦合到增压栅叠层的NMOS驱动器，其中所述低浓度N型注入包括不大于每立方厘米1×1014掺杂剂离子。

公开(公告)号：CN101069264B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN200580041187.9

申请日：2005-11-28

申请人： 应用材料公司

发明人： 金亿涣 ,  阿卡迪·V·萨蒙罗弗

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/36 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/31 ,  H01L21/336 ,  H01L21/469 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/165 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848 ,  Y10S438/933 ,  Y10S438/969

摘要： 在一实施例中，提供一种在基板表面上外延形成含硅材料的方法，该方法包含将具有单晶表面和第二表面(非晶或多晶)的基板安置于一工艺反应室内，并且将该基板暴露在沉积气体下以在单晶表面上形成外延层并在第二表面上形成多晶层。该沉积气体较佳地含有硅源和至少一个第二元素源，例如锗源、碳源或两者。之后，该方法更涉及将基板暴露在蚀刻剂气体下，而使多晶层以比外延层快的速率蚀刻。基板可连续并重复地暴露在沉积和蚀刻气体下，以形成含硅材料。在一实施例中，该沉积气体包含硅烷，而该蚀刻气体包含氯气和氮气。

公开(公告)号：CN101401202B

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200780009125.9

申请日：2007-03-15

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： D·K·卡尔森 ,  S·库普里奥 ,  E·A·C·桑切斯 ,  H·贝克福德 ,  Y·金

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/7834 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/76243 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/8249 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848 ,  Y10S438/969

摘要： 一种在基板表面上外延形成含硅材料的方法，通过调整处理反应室温度及压力来将含卤素气体用作蚀刻气体以及载气。将氯化氢用作该含卤素气体是有利的，因为可藉由调整该反应室压力轻易地将氯化氢从载气转换为蚀刻气体。

公开(公告)号：CN1197169C

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN01140707.7

申请日：2001-07-20

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 田村太久夫 ,  尾形洁 ,  高原洋一 ,  堀越和彦 ,  山口裕功 ,  大仓理 ,  阿部广伸 ,  斋藤雅和 ,  木村嘉伸 ,  糸贺敏彦

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  Y10S438/969

摘要： 一种多晶硅薄膜晶体管，通过对非晶硅膜多次照射激光，实现由多个晶粒构成，通过抑制邻接晶粒粒的边界部分中突起的发生，成为至少2个以上的晶粒集合体，在该多晶硅薄膜晶体管的至少一部分中存在(111)优先取向的簇晶；可达到200cm2/V·S以上的高迁移率特性。

公开(公告)号：CN1307365A

公开(公告)日：2001-08-08

申请号：CN00136496.0

申请日：2000-12-27

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 劳伦斯·A·克勒文格 ,  拉曼·迪瓦卡卢米 ,  许履尘 ,  李玉君

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L29/78 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L29/6659 ,  H01L21/2251 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/088 ,  Y10S438/969

摘要： 一种N沟道金属氧化物半导体(NMOS)驱动电路(及其制造方法),它包括制作在衬底上并具有用低浓度N型注入方法制作的源和漏的增压栅叠层,以及耦合到增压栅叠层的N驱动器。

公开(公告)号：CN101069264A

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN200580041187.9

申请日：2005-11-28

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 金亿涣 ,  阿卡迪·V·萨蒙罗弗

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/36 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/31 ,  H01L21/336 ,  H01L21/469 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/165 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848 ,  Y10S438/933 ,  Y10S438/969

摘要： 在一实施例中，提供一种在基板表面上外延形成含硅材料的方法，其包含将具有一单晶表面和一第二表面(非晶或多晶)的基板安置于一制程反应室内，并且将该基板暴露在一沉积气体下以在该单晶表面上形成一外延层并在该第二表面上形成一多晶层。该沉积气体较佳地含有一硅来源和至少一第二元素来源，例如锗来源、碳来源或两者。之后，该方法更提供将该基板暴露在一蚀刻剂气体下，而使该多晶层以比该外延层快的速率蚀刻。该基板可连续并重复地暴露在该沉积和蚀刻气体下，以形成该含硅材料。在一实施例中，该沉积气体包含硅烷，而该蚀刻气体包含氯气和氮气。