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公开(公告)号：CN101414466A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810170192.5
申请日：2008-10-13
申请人： 株式会社日立制作所
发明人： 钟江义晴
CPC分类号： G11B5/855 , Y10T428/24355
摘要： 本发明提供一种点结构体、磁记录介质及其制造方法。在结晶性良好的点结构体、以及使用了图案化介质的磁记录介质中，形成结晶性良好的磁记录点，而提供高功能、高可靠性的磁记录装置。在具有连续的第1层和离散的第2层的点结构体中，在具有晶体结构的薄膜上使用光致抗蚀剂形成槽部，在该槽部中通过外延生长来埋入与上述薄膜的材料相同的材料而形成第1层，在通过去除上述光致抗蚀剂而形成的槽部中，通过外延生长埋入与上述薄膜的材料不同的材料而形成第2层。在磁记录介质中，在基底层上使用光致抗蚀剂形成槽部，在该槽部中通过外延生长埋入与基底层材料相同的膜。之后，在通过在溶液中去除光致抗蚀剂而形成的槽部中，通过外延生长埋入记录层的磁性膜。
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公开(公告)号：CN100449787C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200610009024.9
申请日：2006-02-16
申请人： 株式会社日立制作所
IPC分类号： H01L29/788 , H01L29/43 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L23/485 , B82Y10/00 , H01L21/28273 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L29/42332 , H01L2924/0002 , Y10S977/774 , H01L2924/00
摘要： 提供一种非易失性半导体存储装置及其制造方法，通过均匀地形成纳米点，提供高可靠性的纳米点存储器。另外，通过在隧道绝缘膜上采用硅氧化膜替代材料，提供高速、高可靠性的纳米点存储器。其特征在于，在硅或者锗基板，最好是硅或者锗的(111)基板上，具有使HfO2、ZrO2或者CeO2的高介电常数绝缘膜外延生长而成的隧道绝缘膜和在上述隧道绝缘膜上形成的CoSi2或者NiSi2的硅化物纳米点。
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公开(公告)号：CN101783145A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN201010003812.3
申请日：2010-01-13
申请人： 株式会社日立制作所
发明人： 钟江义晴
摘要： 提供一种磁记录介质和磁记录装置，在使用热辅助记录方式的HDD用磁记录介质中，为了磁记录而高效率地对记录层内的磁性粒子进行加热、除热，且确保记录时被加热的磁性粒子及该磁性粒子的周边磁性粒子的热稳定性，抑制磁记录消失，为此，在记录层的上部配置由具有不同热传导率的多个材料构成的热传导层，此时，在记录层的数据记录区上部配置由多个材料中的热传导率最高的材料构成的薄膜。然后，在热传导层内，在由高热传导率材料构成的薄膜之间配置由与由多个材料中的热传导率最高的材料构成的薄膜相比热传导率相对较低的材料构成的薄膜。
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公开(公告)号：CN1822397A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610009024.9
申请日：2006-02-16
申请人： 株式会社日立制作所
IPC分类号： H01L29/788 , H01L29/43 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L23/485 , B82Y10/00 , H01L21/28273 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L29/42332 , H01L2924/0002 , Y10S977/774 , H01L2924/00
摘要： 提供一种非易失性半导体存储装置及其制造方法，通过均匀地形成纳米点，提供高可靠性的纳米点存储器。另外，通过在隧道绝缘膜上采用硅氧化膜替代材料，提供高速、高可靠性的纳米点存储器。其特征在于，在硅或者锗基板，最好是硅或者锗的(111)基板上，具有使HfO2、ZrO2或者CeO2的高介电常数绝缘膜外延生长而成的隧道绝缘膜和在上述隧道绝缘膜上形成的CoSi2或者NiSi2的硅化物纳米点。
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