-
公开(公告)号：CN107190248A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710090562.3
申请日：2017-02-20
Applicant: 株式会社日立国际电气
Abstract: 本发明涉及清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。提高进行了形成膜的处理后的处理室内的清洁效率。对进行了在衬底上形成膜的处理后的处理室内进行清洁的方法，包括：向加热至第一温度的处理室内供给包含氢和氟的气体的工序；使处理室内的温度升温至比第一温度高的第二温度的工序；和向加热至第二温度的处理室内供给包含氟的气体的工序，其中，第一温度设为包含氟的气体不发生活化的温度，第二温度设为包含氟的气体发生活化的温度。
-
公开(公告)号：CN100385623C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN03801404.1
申请日：2003-03-19
Applicant: 日商佳能安内华股份有限公司 , 株式会社爱发科 , 索尼株式会社 , 东京毅力科创株式会社 , 株式会社日立国际电气 , 松下电器产业株式会社 , 独立行政法人产业技术总合研究所
IPC: H01L21/205 , H01L21/31 , C23C16/44
Abstract: 本发明的目的是提供一种CVD设备中的清洗方法，它能够有效地除去副产物如SiO2或Si3N4，所述副产物在成膜过程中粘附并沉积在反应室中的内壁、电极等的表面，以及废气通道等管道的侧壁，其中排放的清洗气数量非常少，减小了对环境的影响如全球变暖，降低了成本。所述CVD能向反应室提供反应气，并在反应室中的基底材料表面上形成沉积薄膜，在所述CVD设备中，通过泵从反应室内部排出气体的废气通道安装有废气循环通道，以将所述废气从泵的下游侧循环到反应室。
-
公开(公告)号：CN108461400A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810150065.2
申请日：2018-02-13
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: H01L21/336 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/02126 , C23C16/308 , C23C16/36 , C23C16/45527 , H01L21/02211 , H01L21/0228 , H01L21/02334 , H01L21/02337 , H01L29/66969 , H01L21/67011
Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。要解决的课题为提高在衬底上形成的SiOCN膜的膜质。半导体器件的制造方法进行下述工序：将非同时地进行下述工序的循环进行规定次数，从而在衬底上形成包含硅、氧、碳及氮的膜的工序：对衬底同时供给第一氨基硅烷和氧化剂从而形成包含硅、氧、碳及氮的层的工序，和于第一温度下对层进行第一改质处理的工序；及于比第一温度高的第二温度下对膜进行第二改质处理的工序。
-
公开(公告)号：CN104952683B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201410432212.7
申请日：2014-08-28
Applicant: 株式会社日立国际电气
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/4412 , C23C16/45523 , C23C16/4586 , C23C16/52 , H01L21/0217 , H01L21/0228
Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置及半导体器件的制造方法，即使在利用排气缓冲室进行气体排气的情况下，也能够充分且良好地进行对于该排气缓冲室内的清洁处理。构成了一种衬底处理装置，其具有：处理空间，对载置在衬底载置面上的衬底进行处理；气体供给系统，从与衬底载置面相对的一侧向处理空间内供给气体；排气缓冲室，具有以包围处理空间的侧方外周的方式设置的空间，且以使被供给到处理空间内的气体流入空间内的方式构成；气体排气系统，对流入到排气缓冲室内的气体进行排气；清洁气体供给管，与构成排气缓冲室的空间连通且向排气缓冲室内供给清洁气体。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106252197A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610397426.4
申请日：2016-06-07
Applicant: 株式会社日立国际电气
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/405 , C23C16/4404 , C23C16/4412 , C23C16/45523 , C23C16/45546 , C23C16/45561 , C23C16/52 , H01L21/02186 , H01L21/02271 , H01L21/02041 , H01L21/67028
Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法及衬底处理装置。本发明提供用于将来自清洁气体的残留卤族元素从处理室内除去的新型吹扫技术。一种半导体器件的制造方法，其包括下述工序：向利用包含卤族元素的清洁气体将附着于内部的构件的氧化膜除去后的处理室内，以第一处理条件供给包含氢及氧的吹扫气体并进行排气的工序；和在以第一处理条件供给吹扫气体并进行排气的工序之后，以与第一处理条件不同的第二处理条件将吹扫气体供给至处理室内并进行排气的工序，第一处理条件是下述处理条件：与第二处理条件相比，将清洁气体供给至处理室内时残留于处理室内的卤族元素与吹扫气体的反应性相对高。
-
公开(公告)号：CN107541717A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710482040.8
申请日：2017-06-22
Applicant: 株式会社日立国际电气
Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。其目的在于，降低排气系统的维护频率。半导体器件的制造方法具有通过将包含下述工序的循环进行规定次数从而在衬底上形成膜的工序：向处理室内的衬底供给原料并经第一排气系统排气的工序、和向处理室内的衬底供给反应体并经第二排气系统排气的工序，在形成膜的工序中，当原料不流过第一排气系统内时，经设置于第一排气系统的供给端口向第一排气系统内直接供给失活体，失活体为不同于反应体的物质。通过本发明，能够降低排气系统的维护频率。
-
公开(公告)号：CN104952683A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201410432212.7
申请日：2014-08-28
Applicant: 株式会社日立国际电气
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/4412 , C23C16/45523 , C23C16/4586 , C23C16/52 , H01L21/0217 , H01L21/0228
Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置及半导体器件的制造方法，即使在利用排气缓冲室进行气体排气的情况下，也能够充分且良好地进行对于该排气缓冲室内的清洁处理。构成了一种衬底处理装置，其具有：处理空间，对载置在衬底载置面上的衬底进行处理；气体供给系统，从与衬底载置面相对的一侧向处理空间内供给气体；排气缓冲室，具有以包围处理空间的侧方外周的方式设置的空间，且以使被供给到处理空间内的气体流入空间内的方式构成；气体排气系统，对流入到排气缓冲室内的气体进行排气；清洁气体供给管，与构成排气缓冲室的空间连通且向排气缓冲室内供给清洁气体。
-
公开(公告)号：CN100555571C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN03801403.3
申请日：2003-03-19
Applicant: 日商佳能安内华股份有限公司 , 株式会社爱发科 , 索尼株式会社 , 东京毅力科创株式会社 , 株式会社日立国际电气 , 松下电器产业株式会社 , 独立行政法人产业技术总合研究所
IPC: H01L21/205 , H01L21/31 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/45593 , C23C16/4405 , H01L21/02046 , Y02C20/30 , Y02P70/605
Abstract: 本发明的目的是提供一种CVD设备中的清洗方法，它能够有效地除去副产物如SiO2或Si3N4，所述副产物在成膜过程中粘附并沉积在反应室中的内壁、电极等的表面，以及废气通道等管道的侧壁，其中排放的清洗气数量非常少，减小了对环境的影响如全球变暖，降低了成本。所述CVD能向反应室提供反应气，并在反应室中的基底材料表面上形成沉积薄膜，在所述CVD设备中，通过泵从反应室内部排出气体的废气通道安装有废气循环通道，以将所述废气从泵的下游侧循环到所述废气通道上游侧，而且，等离子体生成装置安装在所述废气循环通道上。
-
公开(公告)号：CN1290157C
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN03801231.6
申请日：2003-03-13
Applicant: 日商佳能安内华股份有限公司 , 株式会社爱发科 , 关东电化工业株式会社 , 索尼株式会社 , 大金工业株式会社 , 东京毅力科创株式会社 , 株式会社东芝 , 株式会社日立国际电气 , 独立行政法人产业技术总合研究所
IPC: H01L21/205 , C23C16/44
CPC classification number: B08B7/0035 , C23C16/4405 , H01J37/32357 , H01J37/32862 , Y02C20/30 , Y02P70/605
Abstract: 本发明的目的是提供一种化学气相沉积设备中的清洗方法，它能够有效地除去副产物如SiO2或Si3N4，所述副产物在成膜步骤中附着并沉积在反应室内壁、电极等的表面上。此外，本发明的目的是提供一种清洗方法，其中排放的清洗气的量非常小，对于环境的影响如全球变暖也下降，以及降低了成本。将能量施加到氟化合物上使氟化合物反应，从而生成氟气和除了氟气之外的组分。此外，生成的氟气和除了氟气之外的组分相互分离，以分离和精炼所述氟气。在使用化学气相沉积设备对基底材料进行成膜处理之后，接着将分离和精炼的氟气转变成等离子体以除去附着杂所述反应室中的副产物。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.023 seconds)
