公开(公告)号：CN101527263B

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN200910128305.X

申请日：2006-02-15

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 宫博信 ,  丰田一行 ,  水野谦和 ,  佐藤武敏 ,  境正宪 ,  浅井优幸 ,  奥田和幸 ,  堀田英树

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  C23C16/44 ,  C23C16/56

CPC classification number: C23C16/403 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/509 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明公开一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：第1步骤，对收容于处理室内的衬底供给第1反应物质，使存在于上述衬底的表面的作为反应点的配位基与该第1反应物质的配位基发生配位基交换反应；第2步骤，从上述处理室除去剩余的上述第1反应物质；第3步骤，对上述衬底供给第2反应物质，使由上述第1步骤交换后的配位基对反应点发生配位基交换反应；第4步骤，从上述处理室除去剩余的上述第2反应物质；第5步骤，对上述衬底供给由等离子所激励的第3反应物质，使在上述第3步骤中未对反应点进行交换反应的配位基对反应点发生配位基交换反应，反复进行上述第1～第5步骤预定次数，直到在上述衬底的表面形成所希望厚度的膜。

公开(公告)号：CN1879203A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200580001225.8

申请日：2005-01-21

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 佐野敦 ,  堀井贞义 ,  板谷秀治 ,  浅井优幸

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02148 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明提供一种能够制造可以容易地控制包含金属原子和硅原子的膜中的氮浓度分布的高品质半导体装置的半导体装置制造方法及衬底处理装置。该制造方法包括以下步骤：在反应室4中，在衬底30上成膜包含金属原子和硅原子的膜的步骤；和对上述膜实施氮化处理的步骤，在上述成膜步骤中，至少分2个阶段改变硅浓度进行成膜。

公开(公告)号：CN101527263A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200910128305.X

申请日：2006-02-15

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 宫博信 ,  丰田一行 ,  水野谦和 ,  佐藤武敏 ,  境正宪 ,  浅井优幸 ,  奥田和幸 ,  堀田英树

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  C23C16/44 ,  C23C16/56

CPC classification number: C23C16/403 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/509 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明公开一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：第1步骤，对收容于处理室内的衬底供给第1反应物质，使存在于上述衬底的表面的作为反应点的配位基与该第1反应物质的配位基发生配位基交换反应；第2步骤，从上述处理室除去剩余的上述第1反应物质；第3步骤，对上述衬底供给第2反应物质，使由上述第1步骤交换后的配位基对反应点发生配位基交换反应；第4步骤，从上述处理室除去剩余的上述第2反应物质；第5步骤，对上述衬底供给由等离子所激励的第3反应物质，使在上述第3步骤中未对反应点进行交换反应的配位基对反应点发生配位基交换反应，反复进行上述第1～第5步骤预定次数，直到在上述衬底的表面形成所希望厚度的膜。

公开(公告)号：CN101032006A

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200680000868.5

申请日：2006-02-15

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 宫博信 ,  丰田一行 ,  水野谦和 ,  佐藤武敏 ,  境正宪 ,  浅井优幸 ,  奥田和幸 ,  堀田英树

IPC: H01L21/316

CPC classification number: C23C16/403 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/509 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明公开一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：第1步骤，对收容于处理室内的衬底供给第1反应物质，使存在于上述衬底的表面的作为反应点的配位基与该第1反应物质的配位基发生配位基交换反应；第2步骤，从上述处理室除去剩余的上述第1反应物质；第3步骤，对上述衬底供给第2反应物质，使由上述第1步骤交换后的配位基对反应点发生配位基交换反应；第4步骤，从上述处理室除去剩余的上述第2反应物质；第5步骤，对上述衬底供给由等离子所激励的第3反应物质，使在上述第3步骤中未对反应点进行交换反应的配位基对反应点发生配位基交换反应，反复进行上述第1～第5步骤预定次数，直到在上述衬底的表面形成所希望厚度的膜。

公开(公告)号：CN100447962C

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200580001225.8

申请日：2005-01-21

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 佐野敦 ,  堀井贞义 ,  板谷秀治 ,  浅井优幸

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02148 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明提供一种能够制造可以容易地控制包含金属原子和硅原子的膜中的氮浓度分布的高品质半导体装置的半导体装置制造方法及衬底处理装置。该制造方法包括以下步骤：在反应(4)中，在衬底(30)上成膜包含金属原子和硅原子的膜的步骤；和对上述膜实施氮化处理的步骤，在上述成膜步骤中，至少分2个阶段改变硅浓度进行成膜。