公开(公告)号：CN108461400A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201810150065.2

申请日：2018-02-13

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 佐野敦 ,  龟田贤治 ,  高泽裕真

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/308 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45527 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02334 ,  H01L21/02337 ,  H01L29/66969 ,  H01L21/67011

Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。要解决的课题为提高在衬底上形成的SiOCN膜的膜质。半导体器件的制造方法进行下述工序：将非同时地进行下述工序的循环进行规定次数，从而在衬底上形成包含硅、氧、碳及氮的膜的工序：对衬底同时供给第一氨基硅烷和氧化剂从而形成包含硅、氧、碳及氮的层的工序，和于第一温度下对层进行第一改质处理的工序；及于比第一温度高的第二温度下对膜进行第二改质处理的工序。

公开(公告)号：CN105734531B

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201610115780.3

申请日：2012-12-10

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 广濑义朗 ,  佐野敦 ,  渡桥由悟 ,  桥本良知 ,  岛本聪

IPC: C23C16/36 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31

Abstract: 本申请涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法及衬底处理装置，形成具有低介电常数、高耐蚀刻性、高耐泄漏性的特性的薄膜。包括通过进行规定次数如下循环而在衬底上形成包含规定元素、氧、碳及氮的薄膜的工序，该循环包括如下工序：向衬底供给包含规定元素和卤素的原料气体的工序，向所述衬底供给由碳、氮及氢这3种元素构成的、且在1分子中碳原子的数量比氮原子的数量多的第一反应气体的工序，向所述衬底供给氮化气体作为第二反应气体的工序，和向所述衬底供给氧化气体作为第三反应气体的工序。

公开(公告)号：CN103165438B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201210549327.5

申请日：2012-12-10

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 广濑义朗 ,  佐野敦 ,  渡桥由悟 ,  桥本良知 ,  岛本聪

IPC: H01L21/3115

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31

Abstract: 本申请涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法及衬底处理装置，形成具有低介电常数、高耐蚀刻性、高耐泄漏性的特性的薄膜。包括通过进行规定次数如下循环而在衬底上形成包含规定元素的薄膜的工序，该循环包括：通过交替地进行规定次数向衬底供给包含规定元素和卤素的原料气体的工序、和向衬底供给由碳、氮及氢这3种元素构成的组成式中碳原子的数量比氮原子的数量多的第一反应气体的工序而形成包含规定元素、氮及碳的第一层的工序；通过向衬底供给与原料气体及第一反应气体不同的第二反应气体，对第一层进行改性而形成第二层的工序。

公开(公告)号：CN104821267A

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201410091655.4

申请日：2014-03-13

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 丰田一行 ,  高崎唯史 ,  芦原洋司 ,  佐野敦 ,  赤江尚德 ,  野内英博

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02263 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/4557 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32577

Abstract: 为解决在使用喷头的装置中也能维持高运转效率的课题，本发明提供一种衬底处理装置，具有：第一气体供给系统，具有与原料气体源连接并设有原料气体供给控制部的原料气体供给管；第二气体供给系统，具有与反应气体源连接并设有反应气体供给控制部的反应气体供给管；第三气体供给系统，具有与清洁气体源连接并设有清洁气体供给控制部的反应气体供给管；喷头部，具有与第一、第二、第三气体供给系统连接的缓冲室；处理室，设于喷头下方内有载置衬底的衬底载置部；等离子体生成区域切换部，对在缓冲室和处理室生成等离子体切换；等离子体生成部，具有等离子体生成区域切换部和电源；控制部，至少控制原料气体供给部、反应气体供给控制部和等离子体生成部。

公开(公告)号：CN104183480B

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201410139117.8

申请日：2014-03-31

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 岛本聪 ,  广濑义朗 ,  佐野敦 ,  镰仓司 ,  野田孝晓

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45536 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/02337

Abstract: 一种半导体设备制造方法，其包括通过执行预定次数的循环来在基材上形成含硅、氧、碳和指定的第III族或第V族元素的薄膜。所述循环包括：向基材供给含硅、碳和卤族元素并具有Si-C键的前体气体及第一催化气体；向基材供给氧化气体和第二催化气体；和向基材供给含指定的第III族或第V族元素的改性气体。

公开(公告)号：CN105047581A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201410496107.X

申请日：2014-09-24

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 佐野敦

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置及半导体器件的制造方法，减少因排气泵的异常或维护等引起的对衬底处理的影响。上述衬底处理装置具备：多个处理单元，其至少具有对衬底进行处理的处理室、与所述处理室连接的排气通路以及设置于所述排气通路上的排气泵；连接通路，其在所述排气泵的上游侧将所述处理单元的排气通路彼此连接；以及切换部，其通过使所述处理室经由所述连接通路连通于与具有该处理室的处理单元不同的处理单元的排气泵，来切换所述处理室的排气路径。

公开(公告)号：CN103165438A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210549327.5

申请日：2012-12-10

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 广濑义朗 ,  佐野敦 ,  渡桥由悟 ,  桥本良知 ,  岛本聪

IPC: H01L21/3115

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31

Abstract: 本申请涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法及衬底处理装置，形成具有低介电常数、高耐蚀刻性、高耐泄漏性的特性的薄膜。包括通过进行规定次数如下循环而在衬底上形成包含规定元素的薄膜的工序，该循环包括：通过交替地进行规定次数向衬底供给包含规定元素和卤素的原料气体的工序、和向衬底供给由碳、氮及氢这3种元素构成的组成式中碳原子的数量比氮原子的数量多的第一反应气体的工序而形成包含规定元素、氮及碳的第一层的工序；通过向衬底供给与原料气体及第一反应气体不同的第二反应气体，对第一层进行改性而形成第二层的工序。

公开(公告)号：CN103165410A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210529912.9

申请日：2012-12-07

Applicant: 株式会社日立国际电气 ,  乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司

Inventor： 广濑义朗 ,  佐野敦 ,  柳田和孝 ,  东野桂子

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/36

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法、基板处理方法及基板处理装置，能提高形成碳氮膜时的生产率，并提高碳氮膜中的碳浓度。该方法具有通过交替进行规定次数的如下两道工序而在基板上形成含有规定元素、氮及碳的膜的工序：向基板供给含有规定元素和卤素的原料气体的工序；向基板供给由碳、氮及氢三种元素构成且组成式中碳原子数多于氮原子数的反应气体的工序。

公开(公告)号：CN100447962C

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200580001225.8

申请日：2005-01-21

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 佐野敦 ,  堀井贞义 ,  板谷秀治 ,  浅井优幸

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02148 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明提供一种能够制造可以容易地控制包含金属原子和硅原子的膜中的氮浓度分布的高品质半导体装置的半导体装置制造方法及衬底处理装置。该制造方法包括以下步骤：在反应(4)中，在衬底(30)上成膜包含金属原子和硅原子的膜的步骤；和对上述膜实施氮化处理的步骤，在上述成膜步骤中，至少分2个阶段改变硅浓度进行成膜。

公开(公告)号：CN104821283B

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201410092298.3

申请日：2014-03-13

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 野内英博 ,  芦原洋司 ,  佐野敦 ,  高崎唯史

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02271 ,  C23C16/34 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45587 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/76843

Abstract: 一种衬底处理装置及半导体装置的制造方法，该衬底处理装置具有：对衬底进行处理的处理室；设在处理室的上方，具有对处理室均匀地供给气体的分散板的缓冲室；设在缓冲室的作为顶棚部构造而构成的顶板上，对于气体供给方向在上游侧连接有处理气体供给部的处理气体供给孔；设在顶板上，对于气体供给方向在上游侧连接有惰性气体供给部的惰性气体供给孔；周状的基端部，以处理气体供给孔位于内周侧而惰性气体供给孔位于外周侧的方式与顶板的下游侧的面连接；气体引导件，具有基端部，并配置于分散板的上方；处理室排气部，将处理室的环境气体排气，并设在处理室的下方；至少对处理气体供给部、惰性气体供给部、处理室排气部进行控制的控制部。