公开(公告)号：CN104517792A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410066971.6

申请日：2014-02-26

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 广地志有 ,  丰田一行 ,  盛满和广 ,  佐藤武敏 ,  山本哲夫

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02274 ,  C23C16/405 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45542 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67017

Abstract: 一种基板处理装置，向处理容器交替地供给第1处理气体和等离子化的第2处理气体来处理基板，该基板处理装置具有：供给上述第1处理气体的第1气体供给系统；供给上述第2处理气体的第2气体供给系统；配置在上述处理容器的上游且至少使上述第2处理气体等离子化的等离子体单元；和控制部，该控制部以交替地供给上述第1处理气体和上述第2处理气体的方式控制上述第1气体供给系统和上述第2气体供给系统，并且，以在开始供给上述第2处理气体之前执行上述第2处理气体的等离子化所需要的电力施加的方式控制上述等离子体单元。

公开(公告)号：CN101527263B

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN200910128305.X

申请日：2006-02-15

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 宫博信 ,  丰田一行 ,  水野谦和 ,  佐藤武敏 ,  境正宪 ,  浅井优幸 ,  奥田和幸 ,  堀田英树

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  C23C16/44 ,  C23C16/56

CPC classification number: C23C16/403 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/509 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明公开一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：第1步骤，对收容于处理室内的衬底供给第1反应物质，使存在于上述衬底的表面的作为反应点的配位基与该第1反应物质的配位基发生配位基交换反应；第2步骤，从上述处理室除去剩余的上述第1反应物质；第3步骤，对上述衬底供给第2反应物质，使由上述第1步骤交换后的配位基对反应点发生配位基交换反应；第4步骤，从上述处理室除去剩余的上述第2反应物质；第5步骤，对上述衬底供给由等离子所激励的第3反应物质，使在上述第3步骤中未对反应点进行交换反应的配位基对反应点发生配位基交换反应，反复进行上述第1～第5步骤预定次数，直到在上述衬底的表面形成所希望厚度的膜。

公开(公告)号：CN101023515A

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200580031629.1

申请日：2005-10-05

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 宫博信 ,  野田孝晓 ,  水野谦和 ,  境正宪 ,  佐藤武敏

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/52

CPC classification number: C23C16/45536 ,  C23C16/345 ,  C23C16/452 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置，包括：处理室(201)；保持部件(217)；加热部件(207)；向处理室内交替供给第1和第2反应物质的供给部件(232a、232b)；供给第1反应物质，使第1反应物质吸附于衬底上后，除去剩余的第1反应物质，接着，供给第2反应物质，使第2反应物质与吸附于衬底上的第1反应物质发生反应，从而在衬底上形成薄膜；还具有控制部，在保持部件所保持的产品用衬底的张数未达到保持部件能保持的产品用衬底的最大保持张数时，在产品用衬底的张数不足的状态下实施形成薄膜的处理。

公开(公告)号：CN102024688B

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201010166668.5

申请日：2010-04-27

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 佐藤武敏 ,  经田昌幸

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/45561 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843

Abstract: 本发明提供一种能够在短时间内将吸附在衬底表面等上的多余的原料分子除去的、生产效率高的半导体装置的制造方法、以及衬底处理装置。包括以下工序：第一工序，向收容有衬底的衬底处理室内供给包含规定元素的原料气体，而在衬底上形成包含规定元素的膜；第二工序，向衬底处理室内供给惰性气体来除去残留在衬底处理室内的原料气体；第三工序，向衬底处理室内供给与所述规定元素反应的改质气体，而将通过第一工序在衬底上形成的包含规定元素的膜改质；第四工序，向衬底处理室内供给惰性气体来除去残留在衬底处理室内的改质气体。在进行衬底处理时，在进行以上这些工序的时候，在第二工序以及第四工序之前进行向与衬底处理室连接的气体储存部填充惰性气体的惰性气体填充工序，在第二工序以及第四工序中，将通过惰性气体填充工序被填充到气体储存部中的惰性气体向衬底处理室内供给。

公开(公告)号：CN102024688A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN201010166668.5

申请日：2010-04-27

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 佐藤武敏 ,  经田昌幸

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/45561 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843

Abstract: 本发明提供一种能够在短时间内将吸附在衬底表面等上的多余的原料分子除去的、生产效率高的半导体装置的制造方法、以及衬底处理装置。包括以下工序：第一工序，向收容有衬底的衬底处理室内供给包含规定元素的原料气体，而在衬底上形成包含规定元素的膜；第二工序，向衬底处理室内供给惰性气体来除去残留在衬底处理室内的原料气体；第三工序，向衬底处理室内供给与所述规定元素反应的改质气体，而将通过第一工序在衬底上形成的包含规定元素的膜改质；第四工序，向衬底处理室内供给惰性气体来除去残留在衬底处理室内的改质气体。在进行衬底处理时，在进行以上这些工序的时候，在第二工序以及第四工序之前进行向与衬底处理室连接的气体储存部填充惰性气体的惰性气体填充工序，在第二工序以及第四工序中，将通过惰性气体填充工序被填充到气体储存部中的惰性气体向衬底处理室内供给。

公开(公告)号：CN101985747A

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：CN201010243656.8

申请日：2003-04-04

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 绀谷忠司 ,  丰田一行 ,  佐藤武敏 ,  加贺谷徹 ,  嶋信人 ,  石丸信雄 ,  境正宪 ,  奥田和幸 ,  八木泰志 ,  渡边诚治 ,  国井泰夫

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45546 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4583 ,  H01J37/3244

Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置，其特征在于包括：反应容器，其中容纳并叠层有多个基板；上述反应容器中设置有一对电极，上述电极沿上述多个基板的叠层方向延伸，和高频电源提供给上述电极；电极室，容纳上述电极，上述电极室设置在上述反应容器中；和供气件，将处理气体提供给上述电极室，上述供气件包括多个供气口，其中，利用两种以上的处理气体在基板上形成膜。

公开(公告)号：CN100459028C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN03109343.4

申请日：2003-04-04

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 绀谷忠司 ,  丰田一行 ,  佐藤武敏 ,  加贺谷徹 ,  嶋信人 ,  石丸信雄 ,  境正宪 ,  奥田和幸 ,  八木泰志 ,  渡边诚治 ,  国井泰夫

IPC: H01L21/00

CPC classification number: C23C16/45546 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4583 ,  H01J37/3244

Abstract: 本发明涉及基板处理装置及反应容器，在反应管6内设置了缓冲室17，该缓冲室17拥有同一开口面积的缓冲室孔3；在其内部配置了气咀2，该气咀2拥有从气体的上游一侧到下游一侧开口面积逐渐变大的气咀孔4；将由气咀2喷出的气体暂时输入缓冲室17，使气体的流速均匀之后，由缓冲室孔3提供给晶片7。

公开(公告)号：CN1789488A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510118667.2

申请日：2003-04-04

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 绀谷忠司 ,  丰田一行 ,  佐藤武敏 ,  加贺谷徹 ,  嶋信人 ,  石丸信雄 ,  境正宪 ,  奥田和幸 ,  八木泰志 ,  渡边诚治 ,  国井泰夫

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/513 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明涉及一种反应容器，其特征在于包括：收容多层配置基板的反应室；多个缓冲室；以及将用于处理基板的气体分别输入上述多个缓冲室的多个气体导入部，上述多个缓冲室各自具有沿上述基板多层配置方向设置的多个供气口，将从上述多个气体导入部分别输入的上述用于处理基板的气体由上述多个供气口分别提供给上述反应室，上述多个气体导入部中至少一个沿上述基板多层配置方向设置，上述多个气体导入部中沿上述基板多层配置方向设置的气体导入部，包括有沿上述基板多层配置方向设置多个气体输入口。

公开(公告)号：CN104517792B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410066971.6

申请日：2014-02-26

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 广地志有 ,  丰田一行 ,  盛满和广 ,  佐藤武敏 ,  山本哲夫

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02274 ,  C23C16/405 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45542 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67017

Abstract: 一种基板处理装置，向处理容器交替地供给第1处理气体和等离子化的第2处理气体来处理基板，该基板处理装置具有：供给上述第1处理气体的第1气体供给系统；供给上述第2处理气体的第2气体供给系统；配置在上述处理容器的上游且至少使上述第2处理气体等离子化的等离子体单元；和控制部，该控制部以交替地供给上述第1处理气体和上述第2处理气体的方式控制上述第1气体供给系统和上述第2气体供给系统，并且，以在开始供给上述第2处理气体之前执行上述第2处理气体的等离子化所需要的电力施加的方式控制上述等离子体单元。

公开(公告)号：CN104746040A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410124235.1

申请日：2014-03-28

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 佐藤武敏

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/54

CPC classification number: H01L21/67017 ,  C23C16/34 ,  C23C16/405 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02274 ,  Y10T137/0318

Abstract: 本发明提供衬底处理系统、半导体器件的制造方法及存储介质，来提高形成在衬底上的膜的特性，并提高生产量。上述衬底处理系统具有：收纳衬底的多个处理室；向多个上述处理室依次供给处理气体的处理气体供给系统；向多个上述处理室依次供给被活化的反应气体的反应气体供给系统；设在上述处理气体供给系统中的缓冲容器；和控制部，以向多个上述处理室分别交替地供给上述处理气体和上述反应气体的方式，控制上述处理气体供给系统和上述反应气体供给系统，使得向多个上述处理室中的任意一个供给反应气体的时间，成为向多个上述处理室中的任意一个供给处理气体的时间与向上述缓冲容器供给处理气体的时间的合计时间。