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公开(公告)号：CN105374662B
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201510412194.0
申请日：2015-07-14
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45551 , C23C16/34 , C23C16/45519 , C23C16/45591 , C23C16/4584 , H01L21/28562 , H01L21/32051
Abstract: 本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及衬底处理方法。本发明提供能对衬底均匀地供给高暴露量的气体、并且能以高生产量进行处理的技术。在处理室内被划分为形成第一处理气体气氛的第一处理区域和形成第二处理气体气氛的第二处理区域的衬底处理装置中，在其中的至少一个区域内，设置有：具有形成为管线状的开口部并向区域内进行气体供给的管线状气体供给部、和在开口部的周围从处理室的顶面朝向衬底侧突出的空隙保持部件。
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公开(公告)号：CN104934346B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201410356571.9
申请日：2014-07-24
Applicant: 株式会社日立国际电气
Inventor： 板谷秀治
CPC classification number: C23C16/4412 , C23C16/455 , C23C16/45504 , C23C16/45523 , C23C16/458 , C23C16/4585 , C23C16/52 , H01L21/68735
Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置及半导体装置的制造方法，其恰当地进行向衬底外周侧的排气传导性调节，由此能够可靠地实现膜形成时的处理空间内压力的均匀化。衬底处理装置具有：处理衬底的处理空间；排气缓冲室，具有以包围处理空间的侧方周围的方式设置的空间，供已供给至处理空间内的气体流入；传导性调节板，面对着处理空间和排气缓冲室之间的气体流路而配置。传导性调节板在与从处理空间向排气缓冲室的气体流路面对的内周侧端缘具有R状部分或斜坡倾斜状部分。
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公开(公告)号：CN1943019A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200580011707.1
申请日：2005-06-15
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: H01L21/31 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45546 , C23C16/4412 , C23C16/4583 , H01L21/31691
Abstract: 本发明的衬底处理装置既可以在成膜时使衬底上的压力为一定、又可以在净化时高效率地去除反应气体。衬底(8)在处理室(1)内通过基座(保持件)(3)被保持。衬底的周围设置有平板(2)。平板被基座(3)支承。气体供给口(19、20)设置在衬底的侧方、较平板(2)更位于上方，从平板的更上方的空间(34)对衬底供给气体。在平板的至少与衬底(8)相比的上游侧和下游侧设置排出口(11)，将气体向平板的更下方的空间(33)排出。将对处理室(1)进行排气的排气口(16)与排出口连通，在隔着衬底(8)与气体供给口(19、20)相反一侧、设置在平板(2)的下方。排出口(11)的传导构成为在气流的上游侧(11A)大于下游侧(11B)。
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公开(公告)号：CN104934346A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201410356571.9
申请日：2014-07-24
Applicant: 株式会社日立国际电气
Inventor： 板谷秀治
CPC classification number: C23C16/4412 , C23C16/455 , C23C16/45504 , C23C16/45523 , C23C16/458 , C23C16/4585 , C23C16/52 , H01L21/68735
Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置及半导体装置的制造方法，其恰当地进行向衬底外周侧的排气传导性调节，由此能够可靠地实现膜形成时的处理空间内压力的均匀化。衬底处理装置具有：处理衬底的处理空间；排气缓冲室，具有以包围处理空间的侧方周围的方式设置的空间，供已供给至处理空间内的气体流入；传导性调节板，面对着处理空间和排气缓冲室之间的气体流路而配置。传导性调节板在与从处理空间向排气缓冲室的气体流路面对的内周侧端缘具有R状部分或斜坡倾斜状部分。
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公开(公告)号：CN101010447A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200580029573.6
申请日：2005-10-14
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/4412
Abstract: 一种基板处理装置，通过减小接触气体面积来抑制粒子的产生，通过减小流路容积提高净化效率。其具有用于对基板(2)进行处理的处理室(1)；被设置在处理室(1)侧面、将基板(2)相对于处理室(1)内搬入搬出的基板搬送口(10)；被可升降地设置在处理室(1)内、对基板(2)进行保持的保持机构；与保持机构相比被设置在上方，向处理室(1)内供给气体的供给口(3、4)；被设置在保持机构的周围、排出被供给到处理室内的气体的排气通道(35)；与在基板处理时的排气通道的上面相比被设置在下方，用于将由排气通道排出的气体向处理室外排出的排气口(5)，其中构成排气通道(35)的部件的至少一部分被构成为可以升降。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1879203A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200580001225.8
申请日：2005-01-21
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: H01L21/316 , H01L21/205 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/02148 , C23C16/34 , C23C16/45529 , C23C16/45531 , H01L21/02271 , H01L21/02337 , H01L21/31645 , H01L21/3185
Abstract: 本发明提供一种能够制造可以容易地控制包含金属原子和硅原子的膜中的氮浓度分布的高品质半导体装置的半导体装置制造方法及衬底处理装置。该制造方法包括以下步骤：在反应室4中，在衬底30上成膜包含金属原子和硅原子的膜的步骤；和对上述膜实施氮化处理的步骤，在上述成膜步骤中，至少分2个阶段改变硅浓度进行成膜。
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公开(公告)号：CN106032572A
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201510102951.4
申请日：2015-03-09
Applicant: 株式会社日立国际电气
Inventor： 板谷秀治
CPC classification number: C23C16/4584 , C23C16/45551 , C23C16/52
Abstract: 实现抑制形成特性不连续的膜、成品率高的衬底处理装置和半导体器件的制造方法。衬底处理装置包括：处理室；衬底载置台；使衬底载置台旋转的旋转部；多个原料气体供给构造；原料气体供给部；原料气体排气构造；分别与原料气体排气构造连接的多个原料气体排气管；具有多个原料气体排气管并经由原料气体排气构造将处理室的气氛排出的原料气体排气部；多个反应气体供给构造；反应气体供给部；多个反应气体排气构造；分别与反应气体排气构造连接的多个反应气体排气管；具有多个反应气体排气管并经由反应气体排气构造将处理室的气氛排出的反应气体排气部；分别设于反应气体排气管的多个反应气体压力检测器。
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公开(公告)号：CN105374662A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510412194.0
申请日：2015-07-14
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45551 , C23C16/34 , C23C16/45519 , C23C16/45591 , C23C16/4584 , H01L21/28562 , H01L21/32051 , H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/67011
Abstract: 本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及衬底处理方法。本发明提供能对衬底均匀地供给高暴露量的气体、并且能以高生产量进行处理的技术。在处理室内被划分为形成第一处理气体气氛的第一处理区域和形成第二处理气体气氛的第二处理区域的衬底处理装置中，在其中的至少一个区域内，设置有：具有形成为管线状的开口部并向区域内进行气体供给的管线状气体供给部、和在开口部的周围从处理室的顶面朝向衬底侧突出的空隙保持部件。
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公开(公告)号：CN102376640A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110242737.0
申请日：2011-08-19
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L21/02 , H01L21/67 , C23C16/44 , C23C16/34 , C23C16/30
CPC classification number: H01L21/6719 , C23C16/34 , C23C16/56 , H01L21/67748 , H01L45/04 , H01L45/145 , H01L45/1616
Abstract: 本发明的名称是半导体装置的制造方法、衬底处理方法及衬底处理装置。本发明的目的在于控制膜中的氧浓度，同时形成具有良好的阶梯被覆性的氧化钽类膜。通过交替重复多次下述工序而在衬底上形成导电性氧氮化钽膜，所述导电性氧氮化钽膜在化学计量上氧相对于钽及氮不足，所述工序包括：在发生CVD反应的条件下，向收容有衬底的处理室内供给含有钽的原料气体和氮化剂，在衬底上形成氮化钽层的工序；和向处理室内供给氧化剂，在氮化钽层的由氧化剂引起的氧化反应为不饱和的条件下，氧化氮化钽层的工序。
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公开(公告)号：CN101010447B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200580029573.6
申请日：2005-10-14
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/4412
Abstract: 一种基板处理装置，通过减小接触气体面积来抑制粒子的产生，通过减小流路容积提高净化效率。其具有用于对基板(2)进行处理的处理室(1)；被设置在处理室(1)侧面、将基板(2)相对于处理室(1)内搬入搬出的基板搬送口(10)；被可升降地设置在处理室(1)内、对基板(2)进行保持的保持机构；与保持机构相比被设置在上方，向处理室(1)内供给气体的供给口(3、4)；被设置在保持机构的周围、排出被供给到处理室内的气体的排气通道(35)；与在基板处理时的排气通道的上面相比被设置在下方，用于将由排气通道排出的气体向处理室外排出的排气口(5)，其中构成排气通道(35)的部件的至少一部分被构成为可以升降。
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