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公开(公告)号:CN103733023B
公开(公告)日:2016-09-28
申请号:CN201280039614.X
申请日:2012-05-24
Applicant: 株式会社日立高新技术
CPC classification number: G06K9/4604 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G01B15/04 , G01N23/22 , G06T7/0004 , H01J37/3174 , H01J2237/221 , H01J2237/226 , H01J2237/2816 , H01J2237/31754 , H01J2237/31796 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在用CD-SEM对于因电子射线照射而收缩的抗蚀剂进行测长时,为了高精度地估计收缩前的形状、尺寸,预先对于各种图案,准备包含电子射线照射前截面形状数据、各种电子射线照射条件下得到的截面形状数据群以及CD-SEM图像数据群、和基于它们的模型的收缩数据库,取得被测定抗蚀剂图案的CD-SEM图像(S102),将CD-SEM图像和收缩数据库进行比对(S103),估计被测定图案的收缩前的形状和尺寸,并输出(S104)。
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公开(公告)号:CN1270357C
公开(公告)日:2006-08-16
申请号:CN03106734.4
申请日:2003-02-27
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/3065 , H01L21/302
Abstract: 提供一种等离子体处理装置及方法:根据装置状态的变化监视加工结果的偏差,同时能够在装置状态变化的情况下,检测出恢复状态,并判断可否进行处理。该装置具有控制部件(10)和对晶片(2)实施等离子体处理的处理室(1),其中:处理室(1)具有检测处理室内的处理状态和输出多个输出信号的等离子体状态检测装置(8、9);控制部件(10)存储以前晶片处理结果信息、处理该以前的晶片时的等离子体状态检测数据及两者关联的关系式的数据库(13),根据由等离子体状态检测装置得出的处理室状态检测结果和上述关系式计算出处理结果的预测值的运算部件(11),根据计算出来的处理结果的预测值对处理室状态进行评估的监视部件(12);在晶片处理后,根据关系式计算出处理结果的预测值,根据该预测值监视处理室状态。
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公开(公告)号:CN1525538A
公开(公告)日:2004-09-01
申请号:CN03106734.4
申请日:2003-02-27
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/3065 , H01L21/302
Abstract: 提供一种等离子体处理装置及方法:根据装置状态的变化监视加工结果的偏差,同时能够在装置状态变化的情况下,检测出恢复状态,并判断可否进行处理。该装置具有控制部件(10)和对晶片(2)实施等离子体处理的处理室(1),其中:处理室(1)具有检测处理室内的处理状态和输出多个输出信号的等离子体状态检测装置(8、9);控制部件(10)存储以前晶片处理结果信息、处理该以前的晶片时的等离子体状态检测数据及两者关联的关系式的数据库(13),根据由等离子体状态检测装置得出的处理室状态检测结果和上述关系式计算出处理结果的预测值的运算部件(11),根据计算出来的处理结果的预测值对处理室状态进行评估的监视部件(12);在晶片处理后,根据关系式计算出处理结果的预测值,根据该预测值监视处理室状态。
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公开(公告)号:CN103733023A
公开(公告)日:2014-04-16
申请号:CN201280039614.X
申请日:2012-05-24
Applicant: 株式会社日立高新技术
CPC classification number: G06K9/4604 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G01B15/04 , G01N23/22 , G06T7/0004 , H01J37/3174 , H01J2237/221 , H01J2237/226 , H01J2237/2816 , H01J2237/31754 , H01J2237/31796 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在用CD-SEM对于因电子射线照射而收缩的抗蚀剂进行测长时,为了高精度地估计收缩前的形状、尺寸,预先对于各种图案,准备包含电子射线照射前截面形状数据、各种电子射线照射条件下得到的截面形状数据群以及CD-SEM图像数据群、和基于它们的模型的收缩数据库,取得被测定抗蚀剂图案的CD-SEM图像(S102),将CD-SEM图像和收缩数据库进行比对(S103),估计被测定图案的收缩前的形状和尺寸,并输出(S104)。
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