公开(公告)号：CN101437777B

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN200780014984.7

申请日：2007-02-09

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 石井秀树 ,  堀川胜弘 ,  林浩仁

IPC分类号： C04B35/472 ,  H01B3/12 ,  G01J1/02 ,  H01L37/02

CPC分类号： G01J5/34 ,  C04B35/472 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/81 ,  C04B2235/85 ,  H01L37/025

摘要： 一种热电性陶瓷组合物，将用通式(Pb1-xCax)(1+a){(Ni1/3Nb2/3)yTi(1-y)}O3(式中，x、y、a分别是0.20≤x≤0.27，0.01≤y≤0.06，0.001≤a≤0.02)表示的化合物作为主成分，相对于该主成分100摩尔，含有0.3～2.5摩尔的Mn。包含Ni、Ti、Mn的偏析物在烧成过的烧结体中是1.0vol％以下(包含0vol％)。因此实现绝缘电阻适当降低，而且不仅具有高居里温度Tc、也具有良好热电特性的热电性陶瓷组合物。上述组合物由于居里温度高，能得到可以回流处理的薄层小型热电元件。上述组合物由于绝缘电阻低，热电元件中使用了上述组合物的红外线检测器不需要与热电元件并联设置负载电阻，能小型化。

公开(公告)号：CN101374782A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200680052978.6

申请日：2006-12-05

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 片山良子 ,  川田慎一郎 ,  堀川胜弘

IPC分类号： C04B35/00 ,  H01L41/187

CPC分类号： H01L41/187 ,  C04B35/495 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3248 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/85

摘要： 本发明提供一种压电陶瓷组合物，其以通式{(1－x)(K1－a－bNaaLib)m(Nb1－c－dTacSbd)O3－x(K1/4Na1/4M31/2)M4O3}表示，并且M3包含选自Yb、Y、In、Nd、Eu、Gd、Dy、Sm、Ho、Er、Tb及Lu中的至少一种金属元素，M4包含选自Ti、Zr及Sn中的至少一种金属元素，并且前述x、a、b、c、d、m分别满足0.001≤x≤0.1、0≤a≤0.9、0≤b≤0.3、0≤a+b≤0.9、0≤c≤0.5、0≤d≤0.1、0.7≤m≤1.3。由此就可以消除难烧结性而获得足够的所需的压电特性，并且能够以适于批量生产的程度确保足够的烧成温度范围，而且还可以抑制极化不良的产生而提高成品率。

公开(公告)号：CN1077557C

公开(公告)日：2002-01-09

申请号：CN98105208.8

申请日：1998-02-19

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 堀川胜弘 ,  安藤阳

IPC分类号： C04B35/462 ,  C04B35/48 ,  H01L41/04

CPC分类号： H01L41/187

摘要： 相对于主要组分，将约0.06-5.0%重量(按MoO3计)的钼次要组分加入到含Pb、Zr、Ti和O的压电陶瓷组合物的主要组分中。次要组分较好加入到煅烧后的主要组分中，然后将所得的混合物烧成，产生烧结的压电陶瓷组合物。加入次要组分提高了压电陶瓷组合物的低温烧结性，同时又不损害该组合物的压电特性。

公开(公告)号：CN1254986A

公开(公告)日：2000-05-31

申请号：CN99123496.0

申请日：1999-11-10

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 堀川胜弘 ,  安藤阳

IPC分类号： H03H9/25

CPC分类号： H03H9/02574

摘要： 本发明提供了一种表面声波器件,其特征在于包括压电基片,设置在压电基片上的插指换能器,其中压电基片包括至少两个由多晶材料制成的压电陶瓷层。层叠至少两层压电陶瓷层,从而其电特性和机械特性沿大致上垂直于压电基片的表面的方向变化,其中该压电基片的表面上至少层叠了两层陶瓷压电层。

公开(公告)号：CN101374782B

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN200680052978.6

申请日：2006-12-05

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 片山良子 ,  川田慎一郎 ,  堀川胜弘

IPC分类号： C04B35/00 ,  H01L41/187

CPC分类号： H01L41/187 ,  C04B35/495 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3248 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/85

摘要： 本发明提供一种压电陶瓷组合物，其以通式{(1-x)(K1-a-bNaaLib)m(Nb1-c-dTacSbd)O3-x(K1/4Na1/4M31/2)M4O3}表示，并且M3包含选自Yb、Y、In、Nd、Eu、Gd、Dy、Sm、Ho、Er、Tb及Lu中的至少一种金属元素，M4包含选自Ti、Zr及Sn中的至少一种金属元素，并且前述x、a、b、c、d、m分别满足0.001≤x≤0.1、0≤a≤0.9、0≤b≤0.3、0≤a+b≤0.9、0≤c≤0.5、0≤d≤0.1、0.7≤m≤1.3。由此就可以消除难烧结性而获得足够的所需的压电特性，并且能够以适于批量生产的程度确保足够的烧成温度范围，而且还可以抑制极化不良的产生而提高成品率。

公开(公告)号：CN101361204A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200680051274.7

申请日：2006-12-20

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 川田慎一郎 ,  堀川胜弘 ,  木村雅彦 ,  小川弘纯

IPC分类号： H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H02N2/00

CPC分类号： H01L41/187 ,  H01L41/0906

摘要： 本发明提供一种共振执行器，包括：具备以共振频率或共振频率附近的频率区域进行振动的变位元件的驱动部；和被上述变位元件驱动的被驱动部件。上述变位元件，具有由铋层状化合物组成的压电陶瓷基体。此外，优选变位元件的变位方向与压电陶瓷基体的极化方向为同一方向。此外，优选铋层状化合物的结晶轴的c轴在垂直于压电陶瓷基体的极化方向的方向上取向。优选c轴的取向度是Lotgering法下的75％以上。由此，饱和振动速度加大，即使提升振动速度，也不会导致该振动速度的不稳定，可以最大限度地抑制共振频率fr和机械品质系数Qm的下降，而且，即便施加高电场，也可以得到较大变位量。

公开(公告)号：CN100382352C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN03133188.2

申请日：2003-07-25

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 堀川胜弘 ,  小川智之

IPC分类号： H01L41/24 ,  H01L41/187 ,  C04B35/00 ,  H01L41/107

CPC分类号： C04B35/493 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/79 ,  H01L41/083 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/273

摘要： 本发明在即使形成薄层状及多层结构或采用Ag含有率高的内部电极材料的情况下，也能够得到具备较高的压电d常数，且可抑制绝缘电阻劣化等可靠性下降的层叠型压电部件。由通式ABO3表示的PZT系钙钛矿型复合氧化物形成了压电陶瓷基体的层叠型压电部件的制造方法中，按A侧成分(Pb)的含有摩尔量比化学计量学组成减少0.5～5.0mol%，且B侧成分的平均价数比化学计量学组成的4价大的要求，混合陶瓷原料，合成上述陶瓷粉末原料，再加工处理上述压电陶瓷粉末原料制得层叠成形体，然后在氧浓度为5.0vol%以下(注：不含0vol%)的低氧化氛围气下，焙烧上述层叠成形体。

公开(公告)号：CN1274700A

公开(公告)日：2000-11-29

申请号：CN00108875.0

申请日：2000-05-19

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 吉泽勇 ,  堀川胜弘

IPC分类号： C04B35/491 ,  C04B35/64 ,  H01L41/187

CPC分类号： C04B35/491 ,  C02F1/461 ,  C02F1/4672 ,  H01L41/187

摘要： 本发明的目的是提供能制造压电陶瓷烧结体的压电陶瓷材料,这种压电陶瓷烧结体具有设计窄带滤波器所需的机电耦合系数小、谐振电阻小和谐振频率对温度依赖性小之类的性能,该压电陶瓷材料含有用通式(PbaSrb)(ZrcTidMneNbf)O3表示且组成满足如下关系的主要组分:0.93≤a≤1.01,0.01≤b≤0.04,0.37≤c≤0.47,0.48≤d≤0.58,0.0105≤e≤0.06,0.02≤f≤0.06以及1.05≤2e/f≤2,相对于主要组分还含有大于等于0.003%重量至小于等于0.1%重量的SiO2和大于等于0.003%重量至小于等于0.1%重量的Al2O3的次要组分。

公开(公告)号：CN1237799A

公开(公告)日：1999-12-08

申请号：CN99105131.9

申请日：1999-04-13

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 堀川胜弘

IPC分类号： H01L41/18 ,  C04B35/00

CPC分类号： C04B35/491 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/273 ,  H01L41/43

摘要： 本发明提供了一种压电陶瓷以及制备该压电陶瓷元件的方法，该方法包括下述步骤：(1)混合各个组分以形成至少包含Pb、Zr、Ti、Cr和Nb的氧化物的混合物；(2)煅烧上述的混合物以得到煅烧产物；(3)粉碎上述的煅烧产物并加入以CuO计为0.05—3.0%重量的Cu组分，形成了含Cu组分的混合物；(4)向上述的含Cu组分的混合物中加入粘结剂以形成含粘结剂的混合物；(5)模压上述的含粘结剂的混合物以产生模压产物；(6)在1100℃或1100℃以下烧制上述的模压产物以产生烧结的产物；(7)在烧结产物的表面上形成电极，该烧结产物包括由下式表示的主要组分：Pba[(CrxNb(1－x))yZr(1－b－y)Tib]O3

公开(公告)号：CN1203491C

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN00130571.9

申请日：2000-09-29

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 堀川胜弘 ,  松原晃司

IPC分类号： H01B3/12 ,  C04B35/01 ,  H01L41/187 ,  H03H9/25 ,  H03H9/46

CPC分类号： H03H3/08 ,  C04B35/493 ,  H01L41/187 ,  H03H9/02543

摘要： 本发明提供了一种压电陶瓷，它具有非常低的损耗，并在微型制造中具有出众的可加工性。压电陶瓷至少包含有铅，锰，铌，钛，和锆作为主要金属成份；其中，由化学式Pbx{(MnaNbb)yTizZr(1-y-z)}O3表示压电陶瓷的组成物，其中，在摩尔基础上，0.95≤x≤0.995，0.055≤y≤0.10，0.40≤z≤0.55，2.01≤b/a≤2.40，并且a+b＝1。另外，烧结的压电陶瓷的平均晶粒直径为2um或更小。本发明还提供一种包含上述压电陶瓷的表面波器件。