电压转换器
    1.
    发明公开
    电压转换器 审中-实审

    公开(公告)号:CN118575403A

    公开(公告)日:2024-08-30

    申请号:CN202380017622.2

    申请日:2023-05-02

    IPC分类号: H02M3/155 H01F21/00

    摘要: 本发明涉及电压转换器,在输入线与输出线之间进行直流电压的转换。该电压转换器具备:可变电感器装置,配置在输入线与输出线之间;开关装置,配置在输入线与可变电感器装置之间;电容器,配置在输出线与接地线之间;以及控制电路。控制电路根据流过输出线的电流即负载电流,进行可变电感器装置的电感值的切换以及开关装置的控制模式的切换。

    封装基板以及电感器部件
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118742979A

    公开(公告)日:2024-10-01

    申请号:CN202380022121.3

    申请日:2023-02-13

    摘要: 封装基板(200)具有电感器层(250),该电感器层具备:磁性体部(10),包括包含第一磁性粒子以及第一树脂的第一磁性体层(11)和设置于第一磁性体层(11)的至少一个主面并且包含第二磁性粒子以及第二树脂的第二磁性体层(12);以及电感器布线(20),设置于第一磁性体层(11)的内部,并且作为电感器发挥功能。电感器布线(20)包括在沿着第一磁性体层(11)的主面的同一平面上相邻地配置的第一布线(21)以及第二布线(22)。第一布线(21)和第二布线(22)磁耦合。第二磁性体层(12)跨越第一布线(21)以及第二布线(22)而配置,以使得与第一布线(21)以及第二布线(22)在厚度方向上重叠。第二磁性体层(12)具有主面方向的磁导率与厚度方向的磁导率不同的各向异性的磁导率。第二磁性体层(12)的主面方向的磁导率比第二磁性体层(12)的厚度方向的磁导率高。第二磁性体层(12)的主面方向的磁导率比第一磁性体层(11)的主面方向的磁导率高。

    半导体芯片
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111799244B

    公开(公告)日:2024-08-27

    申请号:CN202010258515.7

    申请日:2020-04-03

    IPC分类号: H01L23/528 H01L23/538

    摘要: 提供能够抑制在半导体基板、保护膜产生的裂缝的进展的半导体芯片。半导体芯片具备:化合物半导体基板,其具有一对主面以及设置在该一对主面之间的侧面;电路,其设置在一对主面中的一个主面上;多个第一金属,它们设置在一个主面上;以及多个第二金属,它们设置在一个主面上,多个第一金属在一个主面的俯视时,与电路相比在一个主面的外缘侧配置为环状,且在相互相邻的第一金属之间形成缝隙并包围电路,多个第二金属在一个主面的俯视时,配置在电路与多个第一金属之间或者与多个第一金属相比配置在外缘侧,多个第二金属的各个在化合物半导体基板的侧面的俯视时,配置为至少一部分与第一金属之间的缝隙重合。

    半导体装置
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111477598B

    公开(公告)日:2024-03-22

    申请号:CN202010076766.3

    申请日:2020-01-23

    IPC分类号: H01L23/367 H01L27/082

    摘要: 本发明提供了能够减少多个单位晶体管的动作时的温度的偏差的半导体装置。在基板上设置有多个晶体管列。多个晶体管列分别包括在基板的上表面内的第一方向上排列的多个单位晶体管,多个晶体管列在与第一方向正交的第二方向上排列配置。并且,配置有覆盖多个单位晶体管并设置有至少一个开口的绝缘膜。配置在绝缘膜上的金属部件通过开口与多个单位晶体管电连接。形成从多个单位晶体管的每一个单位晶体管到金属部件的上表面的由金属形成的导热路径,导热路径的热电阻在多个单位晶体管之间不同。

    高频模块
    6.
    发明公开
    高频模块 审中-实审

    公开(公告)号:CN114270500A

    公开(公告)日:2022-04-01

    申请号:CN202080056304.3

    申请日:2020-06-22

    摘要: 本发明提供高频模块,抑制电子部件从安装基板剥离,且减少在将高频模块安装于外部基板时对电子部件施加的应力。安装基板(2)具有一个主面(第一主面21)。电子部件(3)具有第一面(31)、第二面(32)以及侧面(33),且设置在安装基板(2)的一个主面上。焊锡凸块(5)配置在安装基板(2)与电子部件(3)之间,电连接安装基板(2)和电子部件(3)。树脂层(7)设置在安装基板(2)的一个主面上以覆盖电子部件(3)。第一面(31)是电子部件(3)中的与安装基板(2)相反侧的面。电子部件(3)的侧面(33)与树脂层(7)接触。在安装基板(2)的厚度方向(D1)上,在第一面(31)的至少一部分与树脂层(7)之间设置有空间(10)。

    半导体装置
    7.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN111477598A

    公开(公告)日:2020-07-31

    申请号:CN202010076766.3

    申请日:2020-01-23

    IPC分类号: H01L23/367 H01L27/082

    摘要: 本发明提供了能够减少多个单位晶体管的动作时的温度的偏差的半导体装置。在基板上设置有多个晶体管列。多个晶体管列分别包括在基板的上表面内的第一方向上排列的多个单位晶体管,多个晶体管列在与第一方向正交的第二方向上排列配置。并且,配置有覆盖多个单位晶体管并设置有至少一个开口的绝缘膜。配置在绝缘膜上的金属部件通过开口与多个单位晶体管电连接。形成从多个单位晶体管的每一个单位晶体管到金属部件的上表面的由金属形成的导热路径,导热路径的热电阻在多个单位晶体管之间不同。

    光半导体元件
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111937164B

    公开(公告)日:2024-06-25

    申请号:CN201980023578.X

    申请日:2019-03-04

    IPC分类号: H01L31/10 H01S5/028

    摘要: 具有台面部的光半导体元件(100)具备基板(1)和设置在基板1上的半导体层(2,3,4)。光半导体元件(100)进一步具备第1接触电极(5)、设置在半导体层上的第2接触电极(6)、与第1接触电极(5)连接的第1引出配线(7)、与第2接触电极(6)连接的第2引出配线(8)以及设置为至少覆盖半导体层的上表面和第2接触电极(6)的绝缘膜(9)。第2引出配线(8)介由绝缘膜(9)的开口(9a)与第2接触电极(6)连接。至少连接第2接触电极(6)与第2引出配线(8)的部分的第2接触电极(6)的外周端位于比与半导体层的连接部分的外周端更靠上方且外侧,内周端位于比与半导体层的连接部分的内周端更靠上方且内侧。

    封装基板
    9.
    发明公开
    封装基板 审中-实审

    公开(公告)号:CN115224008A

    公开(公告)日:2022-10-21

    申请号:CN202210403291.3

    申请日:2022-04-18

    IPC分类号: H01L23/64 H01L23/498

    摘要: 本发明提供一种能够获得足够的电感,并且能够抑制来自电感器的辐射噪声的封装基板。上述封装基板(200)具有电感器层(250),上述电感器层(250)具备第一磁性层(10)和第二磁性层(20),其中,第一磁性层(10)包含第一磁性粒子(11)和树脂(12),第二磁性层(20)设置于上述第一磁性层(10)的至少一个面,且包含树脂(22)和平均扁平率大于上述第一磁性粒子(11)的第二磁性粒子(21),上述第二磁性粒子(21)是在沿着上述第二磁性层(20)的主面的方向上的尺寸比在上述第二磁性层(20)的厚度方向上的尺寸长的形状的粒子,在上述第一磁性层(10)的内部设置有作为电感器发挥作用的电感器布线(13)。

    半导体装置
    10.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN114628509A

    公开(公告)日:2022-06-14

    申请号:CN202111460615.9

    申请日:2021-12-01

    摘要: 本发明提供一种半导体装置,能够降低向半导体元件施加的热应力。在基板的上表面配置有包括由半导体构成的台面构造的多个第一晶体管。在俯视下与多个第一晶体管重叠的位置配置有俯视下的形状在一个方向上较长并且与多个第一晶体管连接的第一凸起。在与第一凸起的长边方向正交的方向上相对于第一凸起隔开间隔地配置有第二凸起。在俯视下在第一凸起与第二凸起之间配置有第一金属图案。将基板的上表面作为高度的基准,第一金属图案的厚度方向的中心的高度比多个第一晶体管分别包含的台面构造的上表面高,并且比第一凸起的下表面低。