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公开(公告)号：CN106209007B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201610512603.9
申请日：2011-12-20
申请人： 株式会社村田制作所
摘要： 提供能对应高频且能提高Q值的弹性波装置。本发明的弹性波装置(1)中，在支撑基板(2)上层叠有进行传播的体波声速比在压电膜(5)传播的弹性波声速高的高声速膜(3)，在高声速膜(3)上，层叠有进行传播的体波声速比在压电膜(5)传播的体波声速低的低声速膜(4)，在低声速膜(4)上层叠有上述压电膜(5)，且在压电膜(5)的一面层叠有IDT电极(6)。
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公开(公告)号：CN105580274B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201480052290.2
申请日：2014-09-05
申请人： 株式会社村田制作所
IPC分类号： H03H9/64
CPC分类号： H03H9/542 , H03H5/12 , H03H7/0115 , H03H7/0161 , H03H9/54 , H03H9/545 , H03H9/568 , H03H9/64 , H03H9/6403 , H03H9/6423 , H03H9/6483 , H03H2009/02204 , H03H2210/025
摘要： 本发明的谐振电路(1)包括：谐振元件(11)，该谐振元件(11)具有谐振频率及反谐振频率；与谐振元件(11)串联连接的(12)；与谐振元件(11)并联连接的电感器(13)；以及由可变电容器(14)及电感器(15)串联连接而成的串联电路(16)。串联电路(16)与谐振元件(11)并联连接。随着可变电容器(14)的电容值的改变，最接近谐振元件(11)的谐振频率的反谐振频率在频率轴上夹着谐振频率进行移动。由此，提供使发送频率和接收频率在频率轴上的关系能够应对多种多样的多个通信频带的谐振器及高频滤波器。
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公开(公告)号：CN103891139A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201280051904.6
申请日：2012-10-22
申请人： 株式会社村田制作所
CPC分类号： H03H9/64 , H03H9/0042 , H03H9/02535 , H03H9/02559 , H03H9/02574 , H03H9/02622 , H03H9/02834 , H03H9/02866 , H03H9/0585 , H03H9/14594 , H03H9/175 , H03H9/6433 , H03H9/6483 , H03H9/725
摘要： 获得即使不连接附加电容也能调整频带宽度且传播损失足够小的弹性表面波装置。弹性表面波装置（1），使用切割角相同的压电体（4）而形成了多个弹性表面波元件（2、3），在各弹性表面波元件（2、3）中，至少一个弹性表面波元件（2）中的弹性表面波的传播方位（X1）与其他的至少一个弹性表面波元件（3）中的弹性表面波的传播方位（X2）不同，且在弹性表面波元件（2、3）中，在与压电体（4）的电极形成面相反侧的面，形成有将弹性表面波限制在压电体（4）侧的限制层（12）。
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公开(公告)号：CN102569640A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210012692.2
申请日：2008-10-23
申请人： 株式会社村田制作所
IPC分类号： H01L41/22
CPC分类号： H01L41/27 , G02F1/035 , H01L41/187 , H01L41/25 , H01L41/257 , H01L41/312 , H01L41/335 , H01L41/337 , H03H3/02 , H03H3/08 , H03H2003/021 , H03H2003/023 , H03H2003/027 , Y10T29/42 , Y10T29/49005 , Y10T29/49155
摘要： 本发明提供一种能够有效利用压电体材料来形成均匀厚度的极薄压电膜的复合压电基板的制造方法。包括：a)准备压电体基板和支撑基板；b)从压电体基板的表面注入离子，在压电体基板内在距离表面规定深度的区域中形成缺陷层；c)对形成了缺陷层的压电体基板的表面和支撑基板的表面中的至少一个，去除附着在表面(2a、10a)中的杂质，使构成表面(2a、10a)的原子直接露出并活性化；d)在压电体基板的表面上接合支撑基板，形成基板接合体；e)采用形成于压电体基板内的缺陷层来分离基板接合体，从压电体基板剥离压电体基板的表面和缺陷层之间的剥离层，形成与支撑基板相接合的复合压电基板(30)；f)对复合压电基板的剥离层的表面进行平滑化。
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公开(公告)号：CN101213743B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200680024148.2
申请日：2006-05-11
申请人： 株式会社村田制作所
发明人： 神藤始
CPC分类号： H03H9/0222 , H03H9/02551
摘要： 本发明公开一种声边界波装置(1)，其在石英基板(2)上至少形成IDT(4)、以覆盖IDT(4)的方式形成电介质(3)，在石英基板(2)和电介质(3)的边界传播声边界波，以SH型边界波的声速比在石英基板(2)中传播的慢横波及在电介质(3)中传播的慢横波的各声速低的方式设定IDT(4)的厚度，而且石英基板(2)的欧拉角处于图13中所示的附加了的斜线的范围内。从而能够使用廉价的石英基板，而且利用SH型声边界波，并能够提高机电耦合系数K2等物理性能及特性。
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公开(公告)号：CN101454974A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200780019212.2
申请日：2007-05-11
申请人： 株式会社村田制作所
发明人： 神藤始
CPC分类号： H03H9/0222 , H03H9/02834
摘要： 提供一种层叠第1～第4介质，在第1、第2介质间配置电极，延迟时间温度系数的绝对值小，温度特性良好的声界面波装置。一种声界面波装置(1)，按第1介质～第4介质的顺序层叠第1～第4介质(11～14)，在第1介质(11)和第2介质(12)之间的界面上配置包含IDT电极(16)的电极，在层叠第4介质(14)/第2介质(12)/电极/第1介质11构成的结构中声界面波的延迟时间温度系数TCD为正值，第4或第2介质具有正的音速温度系数TCV，第1介质(11)具有负的音速温度系数TCV，第3介质(13)的横波音速慢于第4介质(14)及/或第2介质(12)的横波音速。
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公开(公告)号：CN104205629B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201380015669.1
申请日：2013-03-15
申请人： 株式会社村田制作所
发明人： 神藤始
CPC分类号： H03H9/25 , H01L41/0805 , H01L41/083 , H01L41/1873 , H01L41/253 , H01L41/277 , H01L41/29 , H01L41/312 , H01L41/314 , H01L41/39 , H03H3/10 , H03H9/02559 , H03H9/02574
摘要： 本发明提供一种不仅可以实现高声速化，还不容易受到由成为乱真的其他模式而引起的响应的影响的弹性波装置。一种弹性波装置(1)，其具有铌酸锂膜(5)，并利用SH型表面波，具备：支撑基板(2)；高声速膜(3)，其形成在所述支撑基板(2)上，传播的体波声速比在所述铌酸锂膜(5)中传播的弹性波声速更高速；低声速膜(4)，其层叠在所述高声速膜(3)上，传播的体波声速比在所述铌酸锂膜(5)中传播的体波声速更低速；所述铌酸锂膜(5)，其层叠在所述低声速膜(4)上；和IDT电极(6)，其形成在所述铌酸锂膜(5)的一面，在将铌酸锂膜(5)的欧拉角设为(0°±5°，θ，0°)时，θ处于0°～8°以及57°～180°的范围内。
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公开(公告)号：CN105594123A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201480053133.3
申请日：2014-09-11
申请人： 株式会社村田制作所
CPC分类号： H03H9/542 , H03H7/38 , H03H9/0004 , H03H9/605 , H03H9/64 , H03H9/6483 , H03H2210/012 , H03H2210/025
摘要： 可变频滤波器(10)具备滤波部(20)和匹配电路(31、32)。滤波部(20)具备具有压电谐振器的可变频谐振电路(21、22)。匹配电路(31、32)具备阻抗的实数分量随着频率变高而增加的电路结构，具有例如与滤波部(20)侧旁路连接的电抗元件并使用电感器和电容器，从而具备L型电路结构。滤波部(20)通过具备压电谐振器，虽然在通频带向高频侧偏移时阻抗的实数分量增加，但是匹配电路(31、32)的阻抗的实数分量也随着频率的变高而增加，因此可以实现阻抗匹配。
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公开(公告)号：CN103262410A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201180059880.4
申请日：2011-12-20
申请人： 株式会社村田制作所
CPC分类号： H03H9/0222 , H01L41/04 , H01L41/047 , H01L41/0477 , H01L41/18 , H01L41/22 , H03H3/02 , H03H3/04 , H03H3/08 , H03H3/10 , H03H9/02574 , H03H9/02834 , H03H9/54 , H03H2003/023 , H03H2003/027 , Y10T29/42 , Y10T29/49005 , Y10T29/49155
摘要： 提供能对应高频且能提高Q值的弹性波装置。本发明的弹性波装置（1）中，在支撑基板（2）上层叠有进行传播的体波声速比在压电膜（5）传播的弹性波声速高的高声速膜（3），在高声速膜（3）上，层叠有进行传播的体波声速比在压电膜（5）传播的体波声速低的低声速膜（4），在低声速膜（4）上层叠有上述压电膜（5），且在压电膜（5）的一面层叠有IDT电极（6）。
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公开(公告)号：CN1989692B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200680000448.7
申请日：2006-05-12
申请人： 株式会社村田制作所
发明人： 神藤始
IPC分类号： H03H9/145
CPC分类号： H03H9/02834 , H03H9/0222 , H03H9/02944 , H03H9/14532 , H03H9/14541
摘要： 本发明提供可以防止更高频率下的导体电阻增加且具有小延迟时间温度系数的弹性边界波装置。弹性边界波装置(10)包含IDT(13)，IDT(13)包含在第一介质(11)和第二介质(12)之间安置的层压导体层，其中将在厚度方向上平分IDT(13)的平面看作是界面，在界面的第一介质(11)一侧存在的弹性边界波能量为E1且在界面的第二介质(12)一侧存在的弹性边界波能量为E2，并且其中如果IDT(13)只由在层压导体层中具有最高密度的导体层构成，则在界面的第一介质(11)一侧存在的弹性边界波能量为E1′且在界面的第二介质(12)一侧存在的弹性边界波能量为E2′时，弹性边界波的能量可以满足E1/E2＜E1′/E2′的关系，使得在由所述层压导体层构成的IDT(13)中弹性边界波的声速等于在IDT(13)只由具有最高密度的导体层形成时弹性边界波的声速。
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