公开(公告)号：CN100409404C

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200410064008.0

申请日：2004-06-30

申请人： 株式会社液晶先端技术开发中心

发明人： 十文字正之 ,  小川裕之 ,  松村正清 ,  平松雅人 ,  木村嘉伸 ,  谷口幸夫 ,  加藤智也

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC分类号： H01L21/02678 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/064 ,  B23K26/0648 ,  B23K26/066 ,  C30B13/24 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008

摘要： 本发明提供一种晶化方法、一种晶化设备、一种薄膜晶体管和一种显示设备，该晶化方法可以设计出在衬底的入射表面上优化的光强度和分布(BP)的激光束、形成所需的结晶结构同时抑制产生任何其它不需要的结构区域并满足低温处理的需要。当通过将激光束辐照至其来结晶非单晶半导体薄膜时，到达非单晶半导体薄膜上的辐照光束具有一种光强度分布(BP)的光强度和熔化非单晶半导体的光强度，该光强度分布(BP)周期性地重复单调增加和单调减少。此外，在非单晶半导体薄膜的激光束入射表面上设置至少一氧化硅膜。

公开(公告)号：CN1963998A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200610128085.7

申请日：2003-04-14

申请人： 株式会社液晶先端技术开发中心

发明人： 木村嘉伸 ,  松村正清 ,  山元良高 ,  西谷干彦 ,  平松雅人 ,  十文字正之 ,  中野文树

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L27/02 ,  G02F1/136

CPC分类号： H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

摘要： 一种制造薄膜半导体器件的方法包括：在基层上形成非单晶半导体薄膜的步骤；以及用能量射束照射该非单晶半导体薄膜的退火步骤，以便提高构成该非单晶半导体薄膜的非单晶半导体的结晶度。该退火步骤包括用多个能量射束同时照射非单晶半导体薄膜，以便形成多个单元区域，每个单元区域包括至少一个由能量射束照射的照射区域以及至少一个并不由能量射束照射的非照射区域。

公开(公告)号：CN1477677A

公开(公告)日：2004-02-25

申请号：CN03133128.9

申请日：2003-07-24

申请人： 株式会社液晶先端技术开发中心

发明人： 谷口幸夫 ,  松村正清 ,  山口弘高 ,  西谷干彦 ,  辻川晋 ,  木村嘉伸 ,  十文字正之

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/324 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC分类号： H01L21/0268 ,  B23K26/0604 ,  B23K26/0608 ,  B23K26/066 ,  B23K26/067 ,  B23K26/073 ,  G03F1/26 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285 ,  Y10T117/1004

摘要： 本发明针对包括照射一相移掩模(4)的一照明系统(2)的结晶装置，其中相移掩模(4)将来自照明系统(2)的光束转换成具有在与该相移掩模(4)的相移部分(4e)相应的区域中具有最小光强度的反峰值图形的光强度分布的光束。该结晶装置进一步包括一光学部件(1，11，12，13，14，15)，以便基于来自该照明系统(2)的光，在一预定平面上形成具有在与该相移部分对应的区域中光强度最小，并且朝该区域的周边增加的凹面图形的光强度分布；以及一成像光学系统(3)，将该多晶半导体膜或非晶半导体膜的表面或其共轭平面以及该预定平面设置成一光学上的共轭关系。

公开(公告)号：CN100463224C

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200410071612.6

申请日：2004-07-16

申请人： 株式会社液晶先端技术开发中心

发明人： 平松雅人 ,  木村嘉伸 ,  小川裕之 ,  十文字正之 ,  松村正清

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/0268 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/975 ,  H01L2924/00

摘要： 一种薄膜半导体衬底，包括绝缘衬底(10)、形成在绝缘衬底(10)上的非晶半导体薄膜(14)、以及位于半导体薄膜(14)上并指示晶化参考位置的多个对准标记(MK)。

公开(公告)号：CN100365827C

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN03806952.0

申请日：2003-03-04

申请人： 株式会社液晶先端技术开发中心

发明人： 平松雅人 ,  松村正清 ,  西谷干彦 ,  木村嘉伸 ,  山元良高

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供一种薄膜晶体管、电路装置及液晶显示器，该薄膜晶体管包含有：导电型半导体层(11)；在该半导体层内设置有相互隔离的源极区域(12)与汲极区域(13)；在该半导体层上或者该半导体层下隔着绝缘膜设置有闸极(14)，该薄膜晶体管中，上述源极区域与汲极区域间所设置的通道区域(16)与上述源极区域的接合面长度(Ws)不同于上述通道区域与上述汲极区域的接合面长度(Wd)。

公开(公告)号：CN101071758A

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200710097036.6

申请日：2003-09-25

申请人： 株式会社液晶先端技术开发中心

发明人： 十文字正之 ,  松村正清 ,  木村嘉伸 ,  西谷干彦 ,  平松雅人 ,  谷口幸夫 ,  中野文树 ,  小川裕之

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  H01L29/04 ,  H01L29/786 ,  B23K26/04 ,  B23K26/06 ,  B23K26/067 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1368

摘要： 本发明提供一种半导体装置、退火方法、退火装置和显示装置。本发明的半导体装置具有在同一基片上的半导体装置电路内有2种以上平均晶粒直径的半导体层。

公开(公告)号：CN1327487C

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN03800726.6

申请日：2003-03-19

申请人： 株式会社液晶先端技术开发中心

发明人： 谷口幸夫 ,  松村正清 ,  木村嘉伸

IPC分类号： H01L21/268 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02686 ,  B23K26/066 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02678

摘要： 在激光装置(1)的前面经由光束扩展器(2)、均化器(3)和反射镜(4)来布置移相掩模(5)，其间插入成像光学系统(6)，在移相掩模(5)的对面设置被处理基片(7)。被处理基片7被真空吸盘和静电吸盘等基片吸盘(8)等保持在规定的位置上。

公开(公告)号：CN1492477A

公开(公告)日：2004-04-28

申请号：CN03158410.1

申请日：2003-09-09

申请人： 株式会社液晶先端技术开发中心

发明人： 谷口幸夫 ,  松村正清 ,  山口弘高 ,  西谷干彦 ,  辻川晋 ,  木村嘉伸 ,  十文字正之

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  G02F1/136

CPC分类号： H01L29/78675 ,  B23K26/066 ,  B23K26/073 ,  B23K26/0734 ,  G02B5/02 ,  G02B5/3083 ,  G03F1/28 ,  G03F1/34 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/02686 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  Y10T117/10

摘要： 本发明提供一种结晶装置，具备：照明系统(2)，照射使非单晶半导体膜结晶的照明光；以及相位转换构件(1)，该相位转换构件(1)包括以形成直线边界的方式邻接、且以第1相位差透过从照明系统(2)来的照明光的第1和第2区域，该相位转换构件(1)对照明光进行相位调制，以便光强度具有在与边界相对应的非单晶半导体膜上的位置附近降低的逆峰图形的光强度分布。相位转换构件(1)还具有微小区域，从边界朝第1和第2区域的至少一方扩展，以第2相位差对第1和第2区域的至少一方透过从照明系统(2)来的照明光。

公开(公告)号：CN100365763C

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200410055201.8

申请日：2004-06-03

申请人： 株式会社液晶先端技术开发中心

发明人： 山元良高 ,  西谷干彦 ,  平松雅人 ,  十文字正之 ,  木村嘉伸

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/00 ,  H01L21/335 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/66772

摘要： 一种形成结晶半导体层(15)的方法，包括制备其中至少形成一个种晶(13)的非单晶半导体层(14)，用能量射线照射该具有种晶(13)在其中形成的非单晶半导体层(14)，使得晶体在非单晶半导体层(14)中从种晶(13)横向增长，通过将具有最小能量射线强度值的区域定位到种晶(13)的至少一部分而进行能量射线的照射，该能量射线具有这样的结构，在照射表面上具有最大能量射线强度值的区域连续减小到具有最小强度值的区域上。

公开(公告)号：CN101071757A

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200710097035.1

申请日：2003-09-25

申请人： 株式会社液晶先端技术开发中心

发明人： 十文字正之 ,  松村正清 ,  木村嘉伸 ,  西谷干彦 ,  平松雅人 ,  谷口幸夫 ,  中野文树 ,  小川裕之

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  B23K26/04 ,  B23K26/06 ,  B23K26/067

摘要： 本发明提供一种半导体装置、退火方法、退火装置和显示装置。本发明的半导体装置具有在同一基片上的半导体装置电路内有2种以上平均晶粒直径的半导体层。