公开(公告)号：CN108140684A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680055920.0

申请日：2016-10-05

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 田中美和 ,  酒田现示 ,  三浦真 ,  山崎嘉文 ,  横尾秀和 ,  西桥勉 ,  山口昇

IPC: H01L31/0747

Abstract: 本发明的HBC型晶体太阳能电池的制造方法，使用具有非受光面、且由第一导电型的晶体硅构成的基板，以覆盖所述基板的所述非受光面的方式，形成i型非晶Si层，对于所述非晶Si层，通过使用了掩模的杂质导入法，将与所述第一导电型相同的导电型的第一部位及与所述第一导电型不同的导电型的第二部位形成在彼此分离的位置，对导入杂质后的所述非晶Si层实施退火处理。形成所述第一部位及所述第二部位的工序包括：第一步，形成所述第一部位的指状部；第二步，形成所述第一部位的汇流条部；第三步，形成所述第二部位的指状部；及第四步，形成所述第二部位的汇流条部。

公开(公告)号：CN108140685A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680055952.0

申请日：2016-10-05

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 田中美和 ,  酒田现示 ,  三浦真 ,  山崎嘉文 ,  横尾秀和 ,  西桥勉 ,  山口昇

IPC: H01L31/0747

Abstract: 本发明的HBC型晶体太阳能电池具备：基板，具有光入射的第一面和位于所述第一面的相反侧的第二面，由显现光电转换功能的第一导电型的晶体硅构成；和i型非晶Si层，被配设为覆盖所述基板的所述第二面。与所述第一导电型相同的导电型的第一部位及与所述第一导电型不同的导电型的第二部位以存在于所述非晶Si层的内部且一部分露出于所述非晶Si层的外表面侧的方式被配置为彼此分离。

公开(公告)号：CN107527960B

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN201710468365.0

申请日：2017-06-20

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 松崎淳介 ,  高桥明久 ,  齐藤一也 ,  浅利伸 ,  大園修司 ,  铃木英夫 ,  山口昇

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/075 ,  H01L31/20

Abstract: 本发明涉及HBC型晶体太阳能电池的制造方法以及HBC型晶体太阳能电池。该制造方法使用由第一导电型的晶体硅构成的基板，且依次包括：单独或者同时地形成i型的非晶Si层α和i型的非晶Si层β的工序；形成光致抗蚀剂的工序；通过利用掩模的离子注入法，将导电型与第一导电型相同的部位A以及导电型与第一导电型不同的部位B，以内部存在于非晶Si层β并且在该非晶Si层β的外表面侧暴露出一部分的方式，形成在通过光致抗蚀剂而相互分隔的位置的工序；对离子注入后的非晶Si层β进行退火处理的工序；以覆盖位于非晶Si层β的外表面侧的部位A、部位B以及光致抗蚀剂的方式来形成导电性部件的工序；以及去除被导电性部件覆盖的光致抗蚀剂的工序。

公开(公告)号：CN107527960A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710468365.0

申请日：2017-06-20

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 松崎淳介 ,  高桥明久 ,  齐藤一也 ,  浅利伸 ,  大園修司 ,  铃木英夫 ,  山口昇

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/075 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/546 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/075 ,  H01L31/02245 ,  H01L31/202 ,  H01L31/208

Abstract: 本发明涉及HBC型晶体太阳能电池的制造方法以及HBC型晶体太阳能电池。该制造方法使用由第一导电型的晶体硅构成的基板，且依次包括：单独或者同时地形成i型的非晶Si层α和i型的非晶Si层β的工序；形成光致抗蚀剂的工序；通过利用掩模的离子注入法，将导电型与第一导电型相同的部位A以及导电型与第一导电型不同的部位B，以内部存在于非晶Si层β并且在该非晶Si层β的外表面侧暴露出一部分的方式，形成在通过光致抗蚀剂而相互分隔的位置的工序；对离子注入后的非晶Si层β进行退火处理的工序；以覆盖位于非晶Si层β的外表面侧的部位A、部位B以及光致抗蚀剂的方式来形成导电性部件的工序；以及去除被导电性部件覆盖的光致抗蚀剂的工序。

公开(公告)号：CN107452832A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710388817.4

申请日：2017-05-27

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 山口昇 ,  西桥勉 ,  铃木英夫 ,  酒田现示 ,  田中美和

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1804

Abstract: 本发明公开一种退火处理装置以及退火处理方法。该退火处理装置为晶系太阳能电池用的退火处理装置，包括：加热室，具有用于对杂质掺杂的基板进行热处理的内部空间；以及前室，被配置为经由闸式阀与所述加热室的内部空间连通。所述加热室具备：盒基座，放置盒支架，所述盒支架为在所述加热室的内部空间中，使多个以所述基板的表面和背面暴露的状态来保持所述基板的外周部的盒，在以规定的距离分隔开的状态下，多段重叠而成；以及气体供给单元，用于热处理。所述气体供给单元具有气体供给口，所述气体供给口朝向所述基板之间分隔开的空间且针对每个该空间为一个以上。