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公开(公告)号：CN102290372A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110270267.9
申请日：2008-02-25
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/532
CPC分类号： H01L21/28556 , C23C16/30 , C23C16/45542 , H01L21/28562 , H01L21/76829 , H01L21/76831 , H01L21/76843 , H01L21/76849 , Y10T29/49146 , Y10T29/49162
摘要： 一种改进金属保护层可靠性和生产率的半导体器件制造方法，该方法包括将绝缘层(11)叠加在包括元件区(2b)的半导体基板(2)上的绝缘层步骤，在所述绝缘层(11)中形成凹槽(12)的凹槽步骤，将金属层(13)嵌入到所述凹槽(12)中的金属层步骤，将所述绝缘层(11)的表面和所述金属层(13)的表面平坦化以使两者彼此基本平齐的平坦化步骤，以及在平坦化步骤之后，在所述绝缘层(11)的所述表面和所述金属层(13)的所述表面上形成至少包含锆元素和氮元素的金属保护层(16)的金属保护层步骤。
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公开(公告)号：CN111295747A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201880070633.6
申请日：2018-10-12
IPC分类号： H01L21/8238
摘要： 一种用于半导体器件的有效功函数调节的栅极结构，该栅极结构包括在半导体器件的沟道区域上的栅极电介质；与栅极电介质直接接触的第一金属氮化物；铝含量大于30原子％的铝的保形碳化物材料层；与含保形铝(Al)和碳(C)的材料层直接接触的第二金属氮化物层。铝(Al)的共形碳化物层包括碳化铝或Al4C3，在厚度小于2.5nm时，铝(Al)含量最高为57原子百分比(原子％)，功函数设定为3.9eV至5.0eV。与现有技术的功函数电极相比，这样的结构可以呈现低于25nm的金属栅极长度缩放和电阻的益处。
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公开(公告)号：CN101536154B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200780041395.8
申请日：2007-11-08
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： H01L21/285 , C23C16/38 , H01L21/28
CPC分类号： C23C16/38 , C23C16/30 , C23C16/4554 , C23C16/45555 , C23C16/45565 , H01L21/28562 , H01L21/76843
摘要： 一种使用成膜装置形成由ZrB2膜构成的遮蔽膜的形成方法，该成膜装置具有等离子生成手段，由同轴型空腔谐振器，其配置有在用来导入反应气体的非金属导管的周围分隔设置的导体，以及用来激励前述同轴型空腔谐振器的微波供给电路构成；前述同轴型空腔谐振器内部的高度为激励波长的1/2的整数倍，从非金属导管的一端注入的气体在非金属导管未被前述导体覆盖的位置上被微波激活，等离子化后从另一端释放出。
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公开(公告)号：CN101657565A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200880011821.8
申请日：2008-04-15
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/205 , H01L21/285
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/30 , C23C16/38 , C23C16/452 , C23C16/45574 , H01J37/3244
摘要： 本发明提供一种使用两种以上的气体进行均匀成膜的成膜装置。在配置有成膜室(5)及喷头(1)的成膜装置中，前述喷头具有原料气体扩散室及反应气体扩散室，连接前述原料气体扩散室(135)和原料气体导入管(133)的气体通道(134)由1段以上的多段构成，各段拥有可用2 n-1 (n为段数)表示的气体通道，第1段气体通道在其中心部位与前述原料气体导入管连接，第2段以后的各气体通道通过在其中心部位与设置在前一段气体通道两端的连接孔连接，与前一段气体通道连通，最后段的各气体通道通过与其各气体通道两端上形成的连接孔与原料气体扩散室(135)连接。
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公开(公告)号：CN101627459A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200880006286.7
申请日：2008-02-25
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： H01L21/285 , C23C16/34 , H01L21/28 , H01L21/318 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC分类号： H01L21/28556 , C23C16/30 , C23C16/45542 , H01L21/28562 , H01L21/76829 , H01L21/76831 , H01L21/76843 , H01L21/76849 , Y10T29/49146 , Y10T29/49162
摘要： 一种改进金属保护层可靠性和生产率的半导体器件制造方法，该方法包括将绝缘层(11)叠加在包括元件区(2b)的半导体基板(2)上的绝缘层步骤，在所述绝缘层(11)中形成凹槽(12)的凹槽步骤，将金属层(13)嵌入到所述凹槽(12)中的金属层步骤，将所述绝缘层(11)的表面和所述金属层(13)的表面平坦化以使两者彼此基本平齐的平坦化步骤，以及在平坦化步骤之后，在所述绝缘层(11)的所述表面和所述金属层(13)的所述表面上形成至少包含锆元素和氮元素的金属保护层(16)的金属保护层步骤。
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公开(公告)号：CN109563620B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201880003097.8
申请日：2018-05-11
摘要： 本发明的薄膜的形成方法，其包含第一工序和第二工序；在该第一工序中，是将成膜对象的温度设为200℃以上，并从第一状态变成第二状态；该第一状态是将成膜材料和载流气体供给至该成膜对象从而使该成膜材料附着于该成膜对象；该第二状态是从第一状态中将供给该成膜材料除外；在第二工序中，将成膜对象的温度设为200℃以上，并从第三状态变成第四状态；该第三状态是将氢气和载流气体供给至成膜对象，使成膜材料还原；该第四状态是从该第三状态将供给氢气除外。成膜材料是从由Al(CxH2x+1)3、Al(CxH2x+1)2H、Al(CxH2x+1)2Cl构成的组中选择的任一者。交替重复第一工序和第二工序，在成膜对象的表面形成铝原子的含量在20原子％以上的碳化铝膜。
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公开(公告)号：CN101115860B
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200680004400.3
申请日：2006-03-23
申请人： 株式会社爱发科
CPC分类号： C23C16/4402 , B05D1/60 , B05D7/22
摘要： 本发明提供一种对形状复杂的内部通路可容易地形成树脂被膜的真空部件制造方法及树脂被膜形成装置。本发明涉及的树脂被膜形成装置(21)，具有：单体蒸汽的供给部(23)、输送单体蒸汽的真空排气管线(24)、与真空排气管线(24)的一部分上设置的真空部件(22A)的内部通路可连接的连接部(24C)、在与该连接部(24C)连接的真空部件(22A)的内部通路上使上述单体蒸汽附着、形成树脂被膜的部件温度调节机构(31)。通过该构成，仅通过将真空部件(22A)的内部通路暴露于单体蒸汽中，就可在该内部通路上以均匀而且高的被覆性形成树脂被膜。
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公开(公告)号：CN101536154A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200780041395.8
申请日：2007-11-08
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： H01L21/285 , C23C16/38 , H01L21/28
CPC分类号： C23C16/38 , C23C16/30 , C23C16/4554 , C23C16/45555 , C23C16/45565 , H01L21/28562 , H01L21/76843
摘要： 一种使用成膜装置形成由ZrB2膜构成的遮蔽膜的形成方法，该成膜装置具有等离子生成手段，由同轴型空腔谐振器，其配置有在用来导入反应气体的非金属导管的周围分隔设置的导体，以及用来激励前述同轴型空腔谐振器的微波供给电路构成；前述同轴型空腔谐振器内部的高度为激励波长的1/2的整数倍，从非金属导管的一端注入的气体在非金属导管未被前述导体覆盖的位置上被微波激活，等离子化后从另一端释放出。
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公开(公告)号：CN111295747B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201880070633.6
申请日：2018-10-12
IPC分类号： H01L21/8238
摘要： 一种用于半导体器件的有效功函数调节的栅极结构，该栅极结构包括在半导体器件的沟道区域上的栅极电介质；与栅极电介质直接接触的第一金属氮化物；铝含量大于30原子％的铝的保形碳化物材料层；与含保形铝(Al)和碳(C)的材料层直接接触的第二金属氮化物层。铝(Al)的共形碳化物层包括碳化铝或Al4C3，在厚度小于2.5nm时，铝(Al)含量最高为57原子百分比(原子％)，功函数设定为3.9eV至5.0eV。与现有技术的功函数电极相比，这样的结构可以呈现低于25nm的金属栅极长度缩放和电阻的益处。
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公开(公告)号：CN109563620A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201880003097.8
申请日：2018-05-11
摘要： 本发明的薄膜的形成方法，其包含第一工序和第二工序；在该第一工序中，是将成膜对象的温度设为200℃以上，并从第一状态变成第二状态；该第一状态是将成膜材料和载流气体供给至该成膜对象从而使该成膜材料附着于该成膜对象；该第二状态是从第一状态中将供给该成膜材料除外；在第二工序中，将成膜对象的温度设为200℃以上，并从第三状态变成第四状态；该第三状态是将氢气和载流气体供给至成膜对象，使成膜材料还原；该第四状态是从该第三状态将供给氢气除外。成膜材料是从由Al(CxH2x+1)3、Al(CxH2x+1)2H、Al(CxH2x+1)2Cl构成的组中选择的任一者。交替重复第一工序和第二工序，在成膜对象的表面形成铝原子的含量在20原子％以上的碳化铝膜。
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