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公开(公告)号：CN111295747A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201880070633.6
申请日：2018-10-12
IPC分类号： H01L21/8238
摘要： 一种用于半导体器件的有效功函数调节的栅极结构，该栅极结构包括在半导体器件的沟道区域上的栅极电介质；与栅极电介质直接接触的第一金属氮化物；铝含量大于30原子％的铝的保形碳化物材料层；与含保形铝(Al)和碳(C)的材料层直接接触的第二金属氮化物层。铝(Al)的共形碳化物层包括碳化铝或Al4C3，在厚度小于2.5nm时，铝(Al)含量最高为57原子百分比(原子％)，功函数设定为3.9eV至5.0eV。与现有技术的功函数电极相比，这样的结构可以呈现低于25nm的金属栅极长度缩放和电阻的益处。
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公开(公告)号：CN111295747B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201880070633.6
申请日：2018-10-12
IPC分类号： H01L21/8238
摘要： 一种用于半导体器件的有效功函数调节的栅极结构，该栅极结构包括在半导体器件的沟道区域上的栅极电介质；与栅极电介质直接接触的第一金属氮化物；铝含量大于30原子％的铝的保形碳化物材料层；与含保形铝(Al)和碳(C)的材料层直接接触的第二金属氮化物层。铝(Al)的共形碳化物层包括碳化铝或Al4C3，在厚度小于2.5nm时，铝(Al)含量最高为57原子百分比(原子％)，功函数设定为3.9eV至5.0eV。与现有技术的功函数电极相比，这样的结构可以呈现低于25nm的金属栅极长度缩放和电阻的益处。
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公开(公告)号：CN108475693A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680078837.5
申请日：2016-11-22
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： H01L21/823842 , H01L21/28088 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/823821 , H01L27/092 , H01L27/0924 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66545
摘要： 一种用于制造半导体器件的栅叠层的方法包括：在器件的沟道区上方形成第一介电层，在第一介电层上形成第一氮化物层，在第一氮化物层上方形成第一栅金属层，在第一栅极金属层上方形成覆盖层，去除覆盖层和第一栅极金属层的部分以暴露栅叠层的p型场效应晶体管(pFET)区中的所述第一氮化物层的一部分，在第一氮化物层和覆盖层上沉积清除层，在清除层上沉积第二氮化物层，以及在第二氮化物层上沉积栅电极材料。
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公开(公告)号：CN110892513B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201880026997.4
申请日：2018-04-13
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/336
摘要： 半导体器件及其形成方法包括在第一类型区域和第二类型区域中的底部源极/漏极层上形成垂直半导体沟道。栅极介电层形成在垂直半导体沟道的侧壁上。在第一类型区域中形成第一类功函数层。在第一类型区域和第二类型区域中形成第二类功函数层。在第二类型区域中形成厚度匹配层，使得第一类型区域中的层堆叠具有与第二类型区域中的层堆叠相同的厚度。顶部源极/漏极区域形成在垂直沟道的顶部部分上。
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公开(公告)号：CN108475639A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201780006819.0
申请日：2017-01-06
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/4763 , H01L21/8238 , H01L21/28 , H01L29/66 , H01L29/49 , H01L27/092
CPC分类号： H01L27/0924 , H01L21/28088 , H01L21/823821 , H01L21/823842 , H01L21/823857 , H01L27/092 , H01L27/0922 , H01L29/41791 , H01L29/42356 , H01L29/495 , H01L29/4958 , H01L29/4966 , H01L29/518 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/785
摘要： 一种用于制造半导体器件的栅叠层的方法包括：在器件的沟道区上方形成第一介电层，在第一介电层上形成第一氮化物层，在第一氮化物层上沉积清除层，在清除层上形成覆盖层，去除部分覆盖层和清除层以暴露栅叠层的n型场效应晶体管(nFET)区中第一氮化物层的一部分，在第一氮化物层和清除层上形成第一栅极金属层，在第一栅极金属层上沉积第二氮化物层，在第二氮化物层上沉积栅电极材料。
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公开(公告)号：CN116569667A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202180081265.7
申请日：2021-11-18
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H10B63/10
摘要： 一种半导体结构(100)，包括：被第二电介质层(114)包围的加热器(116)；在第二电介质层(114)的顶部上的投射衬垫(124)；以及在投射衬垫(124)上方的相变材料层(126)。投射衬垫(124)的顶表面与加热器(116)的顶表面基本上齐平。投射衬垫(124)将相变材料层(126)与第二电介质层(114)分隔开。投射衬垫(124)可以在相变材料层(126)的结晶相(126a)和无定形相(126b)中提供平行的传导路径。半导体结构(100)可包括在加热器(116)下方并与加热器(116)电接触的底部电极(110)和在相变材料层(126)上方并与相变材料层(126)电接触的顶部电极(128)。
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公开(公告)号：CN110651365B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN201880033254.X
申请日：2018-06-07
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L27/04
摘要： 一种形成具有不同沟道长度的多个垂直传输鳍式场效应晶体管(VT FinFETs)的方法，包括：在衬底的第一区域上形成垂直鳍和在衬底的第二区域上形成垂直鳍；在衬底的第二区域上的垂直鳍上形成盖块；在衬底的第一区域上形成第一底部源极/漏极，其中第一底部源极/漏极覆盖第一区域上的垂直鳍的下部；去除盖块；以及在衬底的第二区域中形成第二底部源极/漏极，其中第二底部源极/漏极在衬底的表面下方，其中第二底部源极/漏极不覆盖第二区域上的垂直鳍的下部。
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公开(公告)号：CN110892513A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201880026997.4
申请日：2018-04-13
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/336
摘要： 半导体器件及其形成方法包括在第一类型区域和第二类型区域中的底部源极/漏极层上形成垂直半导体沟道。栅极介电层形成在垂直半导体沟道的侧壁上。在第一类型区域中形成第一类功函数层。在第一类型区域和第二类型区域中形成第二类功函数层。在第二类型区域中形成厚度匹配层，使得第一类型区域中的层堆叠具有与第二类型区域中的层堆叠相同的厚度。顶部源极/漏极区域形成在垂直沟道的顶部部分上。
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