公开(公告)号：CN105917457A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201580005167.X

申请日：2015-01-21

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 中村敏幸 ,  森口尚树 ,  上村隆一郎 ,  长田大和 ,  相原强

IPC: H01L21/673 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6833 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32733 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67313 ,  H01L21/67333 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明的等离子体处理装置具备：晶片搬送用托盘，具有第一面以及与所述第一面相反的第二面，并以所述第一面保持晶片；冷却部，冷却所述晶片搬送用托盘；导电性支撑体，支撑所述晶片搬送用托盘的所述第二面；以及双面静电吸附部，以所述晶片搬送用托盘的所述第一面静电吸附所述晶片，以所述晶片搬送用托盘的所述第二面静电吸附所述支撑体。

公开(公告)号：CN107710399B

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN201780002185.1

申请日：2017-04-28

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 酒田现示 ,  横尾秀和 ,  相原强 ,  北河胜 ,  渡边章

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/3065 ,  H02N13/00

Abstract: 本发明的静电吸盘(13)具备：电介质层(41)，其具备板状的托盘支承部(41a)和基板支承部(41b)，托盘支承部(41a)具有表面(41S)，基板支承部(41b)从表面(41S)突出；基板用电极(42)，其位于基板支承部(41b)的内部，用于将基板吸附于基板支承部(41b)；以及托盘用电极(43)，其位于托盘支承部(41a)的内部，用于将供载置基板的托盘吸附于托盘支承部(41a)。

公开(公告)号：CN105917457B

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201580005167.X

申请日：2015-01-21

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 中村敏幸 ,  森口尚树 ,  上村隆一郎 ,  长田大和 ,  相原强

IPC: H01L21/673 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明的等离子体处理装置具备：晶片搬送用托盘，具有第一面以及与所述第一面相反的第二面，并以所述第一面保持晶片；冷却部，冷却所述晶片搬送用托盘；导电性支撑体，支撑所述晶片搬送用托盘的所述第二面；以及双面静电吸附部，以所述晶片搬送用托盘的所述第一面静电吸附所述晶片，以所述晶片搬送用托盘的所述第二面静电吸附所述支撑体。

公开(公告)号：CN107710399A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201780002185.1

申请日：2017-04-28

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 酒田现示 ,  横尾秀和 ,  相原强 ,  北河胜 ,  渡边章

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/3065 ,  H02N13/00

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/683 ,  H02N13/00

Abstract: 本发明的静电吸盘(13)具备：电介质层(41)，其具备板状的托盘支承部(41a)和基板支承部(41b)，托盘支承部(41a)具有表面(41S)，基板支承部(41b)从表面(41S)突出；基板用电极(42)，其位于基板支承部(41b)的内部，用于将基板吸附于基板支承部(41b)；以及托盘用电极(43)，其位于托盘支承部(41a)的内部，用于将供载置基板的托盘吸附于托盘支承部(41a)。