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公开(公告)号：CN105917457A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201580005167.X
申请日：2015-01-21
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/673 , H01L21/3065 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6833 , H01J37/32724 , H01J37/32733 , H01L21/67069 , H01L21/67098 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/67313 , H01L21/67333 , H01L21/6831 , H01L21/68771
Abstract: 本发明的等离子体处理装置具备：晶片搬送用托盘，具有第一面以及与所述第一面相反的第二面，并以所述第一面保持晶片；冷却部，冷却所述晶片搬送用托盘；导电性支撑体，支撑所述晶片搬送用托盘的所述第二面；以及双面静电吸附部，以所述晶片搬送用托盘的所述第一面静电吸附所述晶片，以所述晶片搬送用托盘的所述第二面静电吸附所述支撑体。
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公开(公告)号：CN105103274B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201580000336.0
申请日：2015-02-25
Applicant: 株式会社爱发科
Inventor： 森口尚树
IPC: H01L21/3065 , H01L21/683 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32697 , C03C15/00 , C09K13/00 , C23C16/50 , H01J37/32146 , H01J37/32165 , H01J37/32706 , H01J37/32715 , H01J2237/04 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/67069 , H01L21/6831 , H02N13/00 , H05F3/00
Abstract: 一种等离子体蚀刻方法，包括：第1工序，在惰性气体的等离子体、即第1等离子体(PL1)中将基板(S)吸附于单极式静电卡盘(15)上之后，停止生成第1等离子体；和第2工序，在卤素类蚀刻气体的等离子体、即第2等离子体(PL2)中对基板(S)进行了蚀刻之后，停止生成第2等离子体。然后，在第1工序中，在从单极式静电卡盘(15)向基板(S)施加了正电压的状态下停止生成第1等离子体(PL1)，在第2工序中，在从单极式静电卡盘第2等离子体(PL2)。(15)向基板(S)施加了负电压的状态下停止生成
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公开(公告)号：CN105103274A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201580000336.0
申请日：2015-02-25
Applicant: 株式会社爱发科
Inventor： 森口尚树
IPC: H01L21/3065 , H01L21/683 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32697 , C03C15/00 , C09K13/00 , C23C16/50 , H01J37/32146 , H01J37/32165 , H01J37/32706 , H01J37/32715 , H01J2237/04 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/67069 , H01L21/6831 , H02N13/00 , H05F3/00
Abstract: 一种等离子体蚀刻方法，包括：第1工序，在惰性气体的等离子体、即第1等离子体(PL1)中将基板(S)吸附于单极式静电卡盘(15)上之后，停止生成第1等离子体；和第2工序，在卤素类蚀刻气体的等离子体、即第2等离子体(PL2)中对基板(S)进行了蚀刻之后，停止生成第2等离子体。然后，在第1工序中，在从单极式静电卡盘(15)向基板(S)施加了正电压的状态下停止生成第1等离子体(PL1)，在第2工序中，在从单极式静电卡盘(15)向基板(S)施加了负电压的状态下停止生成第2等离子体(PL2)。
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公开(公告)号：CN105917457B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201580005167.X
申请日：2015-01-21
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/673 , H01L21/3065 , H01L21/683
Abstract: 本发明的等离子体处理装置具备：晶片搬送用托盘，具有第一面以及与所述第一面相反的第二面，并以所述第一面保持晶片；冷却部，冷却所述晶片搬送用托盘；导电性支撑体，支撑所述晶片搬送用托盘的所述第二面；以及双面静电吸附部，以所述晶片搬送用托盘的所述第一面静电吸附所述晶片，以所述晶片搬送用托盘的所述第二面静电吸附所述支撑体。
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