公开(公告)号：CN103180484A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201180050821.0

申请日：2011-10-14

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 藤本信也 ,  林信博 ,  广野贵启 ,  多田勋

IPC: C23C14/56

CPC classification number: C23C14/3407 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/562 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32743 ,  H01J37/32752 ,  H01J37/32761 ,  H01J37/32788 ,  H01J2237/3325

Abstract: 提供一种真空成膜装置，为便于运输等而将真空处理室和真空辅助室分开设置，易于在安装现场组装且可维护性好。相连设置有真空处理室（1）、向真空处理室传送片状基材的上游侧的真空辅助室（2）以及卷取回收片状基材的下游侧的真空辅助室（3），所述真空处理室（1）具有卷有长的片状基材（S）的一部分的滚筒（15）、配置在该滚筒的下方且从上游侧传送来片状基材的多个辊（16c）、以及处理单元（4）。上述真空处理室及真空辅助室构成为在设置于地面的架台上载置基板，将下面开口的箱体从其下面侧设置在该基板上。多个辊一体构成为辊单元，设置为在真空处理室内可在滚筒的下方空间内自由取放。

公开(公告)号：CN103180484B

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201180050821.0

申请日：2011-10-14

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 藤本信也 ,  林信博 ,  广野贵启 ,  多田勋

IPC: C23C14/56

CPC classification number: C23C14/3407 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/562 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32743 ,  H01J37/32752 ,  H01J37/32761 ,  H01J37/32788 ,  H01J2237/3325

Abstract: 本发明提供一种真空成膜装置，为便于运输等而将真空处理室和真空辅助室分开设置，易于在安装现场组装且可维护性好。相连设置有真空处理室（1）、向真空处理室传送片状基材的上游侧的真空辅助室（2）以及卷取回收片状基材的下游侧的真空辅助室（3），所述真空处理室（1）具有卷有长的片状基材（S）的一部分的滚筒（15）、配置在该滚筒的下方且从上游侧传送来片状基材的多个辊（16c）、以及处理单元（4）。上述真空处理室及真空辅助室构成为在设置于地面的架台上载置基板，将下面开口的箱体从其下面侧设置在该基板上。多个辊一体构成为辊单元，设置为在真空处理室内可在滚筒的下方空间内自由取放。

公开(公告)号：CN117897517A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202380013279.4

申请日：2023-10-26

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 菊池亨 ,  前平谦 ,  小山晃一 ,  桥本雄介 ,  藤本信也 ,  中村慎太郎

IPC: C23C14/56 ,  C23C14/24 ,  C23C14/50

Abstract: 本发明的一个方式的真空处理装置具有真空腔室、支承体以及表面处理单元。所述支承体具有基底部和表面层。所述基底部配置在所述真空腔室内，由导电体构成。所述表面层由电介质构成，覆盖所述基底部的表面。所述表面层具有对作为处理对象的基材进行静电吸附的支承面。所述表面处理单元对吸附在所述支承面的所述基材的表面进行处理。所述表面层的厚度为200μm以上且800μm以下，所述支承面的表面粗糙度(Ra)为0.06μm以上且0.2μm以下，并且截面高度50％以上的支承长度率为90％以上。

公开(公告)号：CN301824314S

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201130038697.9

申请日：2011-02-28

Applicant: 株式会社爱发科

Designer： 藤本信也 ,  林信博 ,  广野贵启 ,  多田勲 ,  齐藤修司

Abstract: 1.本外观设计产品名称为成膜机，用于在减压条件下在原材料膜上形成薄膜。2.本外观设计的设计要点在于该外观设计产品的形状和结构。3.设计1的立体图1为本外观设计的代表图。4.本外观设计产品的底部在使用中不可见，省略各设计的仰视图。5.本外观设计包含三项相似设计，其中设计1为基本设计。6.设计1主视参考图、设计1后视参考图、设计2主视参考图、设计2后视参考图、设计3主视参考图、设计3后视参考图中的A-N部是透明的。