溅镀装置及溅镀成膜方法

    公开(公告)号:CN101855383B

    公开(公告)日:2013-06-12

    申请号:CN200880116429.X

    申请日:2008-11-06

    IPC分类号: C23C14/34

    摘要: 本发明涉及一种溅镀装置,其即使将塑料等耐热性低的材料作为工件而通过溅镀成膜时,也能够抑制热电子射入工件,因此不会发生因热量而导致工件变形等问题。所述溅镀装置在真空腔室内具备靶材、设置成与所述靶材对向且具有旋转轴的转盘式工件夹具,其特征在于,所述转盘式工件夹具具备工件夹具支撑部和多个工件保持部,所述工件保持部设置在所述工件夹具支撑部的外周部,所述转盘式工件夹具和/或工件保持部被设置成能够以位于连接靶材与转盘式工件夹具的旋转轴的平面的垂直面内的轴旋转,在所述转盘式工件夹具的内侧设置有热电子捕获部件。

    氟树脂成形体的表面处理方法及氟树脂成形体

    公开(公告)号:CN102725335B

    公开(公告)日:2013-09-18

    申请号:CN201180007060.0

    申请日:2011-01-27

    IPC分类号: C08J7/00

    摘要: 本发明提供使ETFE成形体与其它构件或成分的密合性提高并可长时间维持该密合性的表面处理方法及通过该表面处理方法实施了表面处理的ETFE成形体。所述表面处理方法是在大气压附近的压力下的氮气气氛中通过由电压上升时间在10微秒以下的脉冲化的电场产生的辉光放电对ETFE成形体的表面进行处理的方法,空开0.01秒以上的间隔进行多次辉光放电,所述各次辉光放电处理的放电密度为40~200W·分钟/m2,各次辉光放电处理的放电密度的总和为220~800W·分钟/m2。此外,通过该表面处理方法实施了表面处理的ETFE成形体。

    真空处理装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103180484A

    公开(公告)日:2013-06-26

    申请号:CN201180050821.0

    申请日:2011-10-14

    IPC分类号: C23C14/56

    摘要: 提供一种真空成膜装置,为便于运输等而将真空处理室和真空辅助室分开设置,易于在安装现场组装且可维护性好。相连设置有真空处理室(1)、向真空处理室传送片状基材的上游侧的真空辅助室(2)以及卷取回收片状基材的下游侧的真空辅助室(3),所述真空处理室(1)具有卷有长的片状基材(S)的一部分的滚筒(15)、配置在该滚筒的下方且从上游侧传送来片状基材的多个辊(16c)、以及处理单元(4)。上述真空处理室及真空辅助室构成为在设置于地面的架台上载置基板,将下面开口的箱体从其下面侧设置在该基板上。多个辊一体构成为辊单元,设置为在真空处理室内可在滚筒的下方空间内自由取放。

    低真空状态下的冷等离子体辉光放电发生器

    公开(公告)号:CN103052251A

    公开(公告)日:2013-04-17

    申请号:CN201210520969.2

    申请日:2012-12-07

    IPC分类号: H05H1/46

    CPC分类号: H01J37/32761 H01J37/32018

    摘要: 低真空状态下的冷等离子体辉光放电发生器,包括等离子体处理装置,所述装置设于真空度可调的腔体内,该装置包括绝缘支架、放电装置、主动辊、从动辊、压辊和传送带,主动辊和从动辊通过轴承分别设于绝缘支架的两端,传送带设于主动辊和从动辊之上,压辊也通过轴承设于绝缘支架一端,将传送带压紧于主动辊上,放电装置设于绝缘支架上,传送带从放电装置的内部穿过。本装置通过对放电装置中的极板结构改进,增加了金属悬浮屏蔽外壳和绝缘填充材料,阻止了极板与腔体内壁之间的放电,并使其产生位移电流,增强了等离子体的活性。

    处理装置
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101681867B

    公开(公告)日:2012-11-21

    申请号:CN200880018879.5

    申请日:2008-05-29

    摘要: 本发明通过悬浮用电磁铁组件(F)的磁吸引力,使支撑被处理体(W)的旋转悬浮体(30)悬浮,通过位置用电磁铁组件(H)的磁吸引力控制旋转悬浮体(30)的水平方向位置,同时通过旋转电磁铁组件(R)的磁吸引力使旋转悬浮体(30)旋转。悬浮用电磁铁组件(F)使磁吸引力向垂直方向下方作用,以非接触地悬吊在处理容器(2)的内壁的方式,使旋转悬浮体(30)悬浮。

    连续成膜装置
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101611168A

    公开(公告)日:2009-12-23

    申请号:CN200880004886.X

    申请日:2008-01-15

    发明人: 玉垣浩

    IPC分类号: C23C16/54 C23C16/50

    摘要: 一种连续成膜装置,具有:一对成膜辊(2)、(3),以所卷架的基材(S)对置的方式,平行地对置配置;磁场产生构件(12)、(13),设置在所述各成膜辊(2)、(3)的内部,以使等离子体收敛于与所述成膜辊之间的对置空间(5)相面对的辊表面附近的方式产生磁场;等离子体电源(14),其一个电极与另一个电极的极性交替地反转;气体供给管(8),对所述对置空间(5)供给成膜气体;以及真空排气单元,对所述对置空间进行真空排气。所述等离子体电源(14)的一个电极与一个成膜辊(2)连接,另一个电极与另一个成膜辊(3)连接。