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公开(公告)号：CN107406969A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680012735.3
申请日：2016-06-06
Applicant: 株式会社爱发科
Inventor： 广野贵启
IPC: C23C14/24
Abstract: 本发明一方式所涉及的卷取式成膜装置(1)具有退绕辊(2)、卷取辊(3)、冷却辊(4)、蒸发源阵列(6)和气体供给部(7)。蒸发源阵列(6)具有多个第1蒸发源(61(61A～61E))和多个第2蒸发源(62(62A～62F))，其中，所述多个第1蒸发源(61)在与冷却辊4的轴向平行的第1线路(L1)上隔开规定的间隔而配置，所述多个第2蒸发源(62)在与第1线路(L1)平行的第2线路(L2)上与多个第1蒸发源(61)错开半个间距且隔开上述规定的间隔而配置。气体供给部(7)具有多个第1喷嘴部(71(71A～71E))和多个第2喷嘴部(72(72A～72F))，且被配置在蒸发源阵列(6)与冷却辊(4)之间，所述多个第1喷嘴部(71)向来自多个第1蒸发源(61)的蒸气流喷出气体，所述多个第2喷嘴部(72)向来自多个第2蒸发源(62)的蒸气流喷出气体。据此，能抑制薄膜的宽度方向上的膜厚和透过率的偏差。
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公开(公告)号：CN104040023B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201380005648.1
申请日：2013-01-15
Applicant: 株式会社爱发科
Inventor： 杨一新 , 三桥善之 , 饭岛正行 , 若松贞次 , 斋藤和彦 , 藤井智晴 , 吉元刚 , 细矢东豪 , 广野贵启 , 林信博 , 角谷宣昭 , 砂川直纪 , 多田勋 , 平野裕之
CPC classification number: C23C16/52 , B05D1/34 , B05D1/62 , C23C14/12 , C23C14/562 , C23C16/4405
Abstract: 提供对薄层状的成膜对象物体持续成膜，并且能够在使成膜空间与清洗气体气氛分离的状态下清洗放出装置的成膜装置。具有：清洗室(20a～20d)，其构成为若打开闸门(22a～22d)则连接于成膜空间(16)，若关闭闸门(22a～22d)则与成膜空间(16)分离，并且对内部空间放出清洗气体；移动单元(28a～28d)，其使放出装置(13a～13d)在清洗室(20a～20d)内的清洗位置与和清洗位置相比距圆筒部件(12)近的成膜位置之间移动；以及控制装置(18)，其使放出装置(13a～13d)移动至成膜位置时放出原料气体，在使其移动至清洗位置时关闭闸门(22a～22d)并使清洗室(20a～20d)内充满清洗气体。
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公开(公告)号：CN103154311B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201180048272.3
申请日：2011-09-07
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/56
CPC classification number: C23C14/34 , C23C14/50 , C23C14/562
Abstract: 提供一种实现装置小型化且生产率高、成本低的真空处理装置。传送长的带状基材S使其通过真空处理室（1），在该真空处理室（1）内对带状基材实施规定处理。在真空处理室（1）中设置单个的处理单元（3），设置有送出辊（6）和卷取辊（7）的真空辅助室（2）与真空处理室（1）相连设置。在真空处理室内跨处理单元的两侧上具有一对第一辊单元（4），每个第一辊单元具有等间隔配置的多个辊（42），将各辊在轴向上彼此错开配置，带状基材以螺旋状缠绕在两辊单元的各辊上。还具有移位装置（5），以与处理单元相对的带状基材的一面为表面，当带状基材的里面与处理单元相对时所述移位装置（5）将该带状基材的一部分以规定幅度向该处理单元侧移动。
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公开(公告)号：CN103180484A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201180050821.0
申请日：2011-10-14
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/56
CPC classification number: C23C14/3407 , C23C14/3464 , C23C14/562 , H01J37/32458 , H01J37/32743 , H01J37/32752 , H01J37/32761 , H01J37/32788 , H01J2237/3325
Abstract: 提供一种真空成膜装置，为便于运输等而将真空处理室和真空辅助室分开设置，易于在安装现场组装且可维护性好。相连设置有真空处理室（1）、向真空处理室传送片状基材的上游侧的真空辅助室（2）以及卷取回收片状基材的下游侧的真空辅助室（3），所述真空处理室（1）具有卷有长的片状基材（S）的一部分的滚筒（15）、配置在该滚筒的下方且从上游侧传送来片状基材的多个辊（16c）、以及处理单元（4）。上述真空处理室及真空辅助室构成为在设置于地面的架台上载置基板，将下面开口的箱体从其下面侧设置在该基板上。多个辊一体构成为辊单元，设置为在真空处理室内可在滚筒的下方空间内自由取放。
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公开(公告)号：CN101680083B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN200880015976.9
申请日：2008-04-18
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/56
CPC classification number: C23C14/562 , B65H27/00 , B65H2701/1315
Abstract: 本发明提供一种薄膜传送装置和卷绕式真空成膜方法，其不仅实现了保护基膜的成膜区域的目的，还实现了可使基膜能够平稳地传送的目的。本发明中的卷绕式真空成膜装置(10)包括引导单元(20)，引导单元(20)包括导向辊(17A)和辅助辊(18)，导向辊(17A)具有用来支承基膜(F)的两个侧缘部的一对环形导向部(17b)，辅助辊(18)与导向辊(17A)以互相面对的方式设置，由辅助辊(18)将基膜(F)的两个侧缘部压向一对导向部(17b)，由此可以避免基膜(F)的成膜区域(Fc)接触到引导单元(20)的导向辊(17A)和辅助辊(18)的各个辊表面，因而可以实现保护成膜区域(Fc)的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108291292B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201680069977.6
申请日：2016-11-10
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/24 , C23C16/448
Abstract: 本发明目的在于提供一种能够在真空中基体材料膜上形成有机化合物膜时使有机化合物单体的蒸汽按一定的比例产生并使成膜速率稳定的技术。本发明是一种在真空中释放有机化合物单体的蒸汽的蒸汽释放装置，具有：将液体状的有机化合物单体气化的气化部21；以及与气化部21连通并释放气化部21中气化的有机化合物单体的蒸汽的蒸汽释放部22。在气化部21内设有中空的蒸发器40。该蒸发器40构成为使液体状的有机化合物单体成为雾状而导入，并加热雾状的有机化合物单体34而使之蒸发，将有机化合物单体的蒸汽向气化部21内导出。
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公开(公告)号：CN108291292A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680069977.6
申请日：2016-11-10
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/24 , C23C16/448
Abstract: 本发明目的在于提供一种能够在真空中基体材料膜上形成有机化合物膜时使有机化合物单体的蒸汽按一定的比例产生并使成膜速率稳定的技术。本发明是一种在真空中释放有机化合物单体的蒸汽的蒸汽释放装置，具有：将液体状的有机化合物单体气化的气化部21；以及与气化部21连通并释放气化部21中气化的有机化合物单体的蒸汽的蒸汽释放部22。在气化部21内设有中空的蒸发器40。该蒸发器40构成为使液体状的有机化合物单体成为雾状而导入，并加热雾状的有机化合物单体34而使之蒸发，将有机化合物单体的蒸汽向气化部21内导出。
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公开(公告)号：CN103180484B
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201180050821.0
申请日：2011-10-14
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/56
CPC classification number: C23C14/3407 , C23C14/3464 , C23C14/562 , H01J37/32458 , H01J37/32743 , H01J37/32752 , H01J37/32761 , H01J37/32788 , H01J2237/3325
Abstract: 本发明提供一种真空成膜装置，为便于运输等而将真空处理室和真空辅助室分开设置，易于在安装现场组装且可维护性好。相连设置有真空处理室（1）、向真空处理室传送片状基材的上游侧的真空辅助室（2）以及卷取回收片状基材的下游侧的真空辅助室（3），所述真空处理室（1）具有卷有长的片状基材（S）的一部分的滚筒（15）、配置在该滚筒的下方且从上游侧传送来片状基材的多个辊（16c）、以及处理单元（4）。上述真空处理室及真空辅助室构成为在设置于地面的架台上载置基板，将下面开口的箱体从其下面侧设置在该基板上。多个辊一体构成为辊单元，设置为在真空处理室内可在滚筒的下方空间内自由取放。
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公开(公告)号：CN103154311A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180048272.3
申请日：2011-09-07
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/56
CPC classification number: C23C14/34 , C23C14/50 , C23C14/562
Abstract: 提供一种实现装置小型化且生产率高、成本低的真空处理装置。传送长的带状基材S使其通过真空处理室（1），在该真空处理室（1）内对带状基材实施规定处理。在真空处理室（1）中设置单个的处理单元（3），设置有送出辊（6）和卷取辊（7）的真空辅助室（2）与真空处理室（1）相连设置。在真空处理室内跨处理单元的两侧上具有一对第一辊单元（4），每个第一辊单元具有等间隔配置的多个辊（42），将各辊在轴向上彼此错开配置，带状基材以螺旋状缠绕在两辊单元的各辊上。还具有移位装置（5），以与处理单元相对的带状基材的一面为表面，当带状基材的里面与处理单元相对时所述移位装置（5）将该带状基材的一部分以规定幅度向该处理单元侧移动。
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公开(公告)号：CN101501237A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200780030016.5
申请日：2007-11-16
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/564 , C23C14/562
Abstract: 高效保持清洁单元对罐辊的清洁机能，进行高质量的成膜处理。本发明中，在向基膜(12)进行成膜前，使清洁单元(30)与冷却用罐辊(14)接触，一边使罐辊(14)在非冷却状态下转动一边进行清洁，可以防止清洁单元(30)的过冷却，阻止已除去的灰尘的脱离，能够高效进行清洁单元(30)对罐辊(14)的除尘处理。另外，在完成清洁后，解除清洁单元(30)与罐辊(14)的接触状态，可防止成膜时的罐辊(14)的冷却操作对清洁单元(30)进行冷却，从罐辊(14)的周面除去的灰尘不会脱离而被保持着。
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