公开(公告)号：CN101111929A

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200680003328.2

申请日：2006-01-23

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 小风丰 ,  植田昌久 ,  远藤光广 ,  邹红罡

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明提供了一种适合微细化的蚀刻技术。在基板10上按顺序叠层了下部电极膜12、电介质膜13和上部电极膜14的处理对象物5上形成无机质膜15，在其表面上配置图案化的有机抗蚀剂膜20，在以有机抗蚀剂膜20作为掩模，蚀刻无机质膜15、上部电极膜14和电介质膜13之后，以蚀刻下部电极膜12的气体，除去有机抗蚀剂膜20，同时以已露出的无机质膜15作为掩模，蚀刻下部电极膜12。由于不重新形成将作为掩模的膜，因此可以优良的精度制作微细图案。

公开(公告)号：CN101681829B

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN200880012237.4

申请日：2008-06-19

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 小风丰 ,  远藤光广 ,  植田昌久 ,  邹红罡 ,  宫崎俊也 ,  中村敏幸

IPC: H01L21/3065 ,  C23F4/00 ,  H01L21/683 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L21/68735 ,  C23F4/00 ,  G11C11/22 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/3266 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67069 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/1159

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法，使用如下装置，该装置具备通过等离子体激发蚀刻气体的腔、配置在上述腔内的用于载置并加热被处理基板的台、和配置在上述台的周围的由耐蚀刻材料形成的框部件，上述框部件的上表面与上述台的上表面相比配置在下方，在上述台的上表面配置上述被处理基板以使上述被处理基板的周缘部在上述框部件的上方露出，在从上述框部件的上表面到上述被处理基板底面的高度为G，从上述台的侧面到上述被处理基板外周的露出长度为H时，配置上述被处理基板以使H/G为1.5以上。

公开(公告)号：CN101111929B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200680003328.2

申请日：2006-01-23

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 小风丰 ,  植田昌久 ,  远藤光广 ,  邹红罡

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明提供了一种适合微细化的蚀刻技术。在基板10上按顺序叠层了下部电极膜12、电介质膜13和上部电极膜14的处理对象物5上形成无机质膜15，在其表面上配置图案化的有机抗蚀剂膜20，在以有机抗蚀剂膜20作为掩模，蚀刻无机质膜15、上部电极膜14和电介质膜13之后，以蚀刻下部电极膜12的气体，除去有机抗蚀剂膜20，同时以已露出的无机质膜15作为掩模，蚀刻下部电极膜12。由于不重新形成将作为掩模的膜，因此可以优良的精度制作微细图案。

公开(公告)号：CN101652840A

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200880011080.3

申请日：2008-05-14

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 小风丰 ,  植田昌久 ,  远藤光广 ,  邹红罡 ,  宫崎俊也 ,  酒田现示 ,  中村敏幸

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32467 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32568

Abstract: 一种等离子体处理装置，该装置在被处理基板上进行贵金属材料和强电介质材料的等离子体处理，并且具有被加热且暴露于等离子体的构成部件，所述构成部件由铝纯度99％以上的铝合金形成。

公开(公告)号：CN101652840B

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN200880011080.3

申请日：2008-05-14

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 小风丰 ,  植田昌久 ,  远藤光广 ,  邹红罡 ,  宫崎俊也 ,  酒田现示 ,  中村敏幸

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32467 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32568

Abstract: 一种等离子体处理装置，该装置在被处理基板上进行贵金属材料和强电介质材料的等离子体处理，并且具有被加热且暴露于等离子体的构成部件，所述构成部件由铝纯度99％以上的铝合金形成。

公开(公告)号：CN101647099B

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN200880009987.6

申请日：2008-05-28

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 植田昌久 ,  小风丰 ,  远藤光广 ,  邹红罡

IPC: H01L21/3065 ,  H01L41/187 ,  H01L21/8246 ,  H01L41/22 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32862 ,  Y10S428/905

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置的干式清洁方法，所述等离子体处理装置包括：具备电介质部件的真空容器，设置在上述电介质部件的外侧的平面电极和高频天线，和通过分别对这些高频天线和平面电极供给高频功率、通过上述电介质部件将高频功率输入到上述真空容器内且产生感应耦合等离子体的高频电源，所述方法包括：将含氟气体导入到上述真空容器内的同时，利用上述高频电源将高频功率输入到上述真空容器内使上述含氟气体产生感应耦合等离子体的工序；和利用该感应耦合等离子体除去附着在上述电介质部件上的含有贵金属和强电介质中的至少一方的生成物的工序。

公开(公告)号：CN101647099A

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200880009987.6

申请日：2008-05-28

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 植田昌久 ,  小风丰 ,  远藤光广 ,  邹红罡

IPC: H01L21/3065 ,  H01L41/187 ,  H01L21/8246 ,  H01L41/22 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32862 ,  Y10S428/905

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置的干式清洁方法，所述等离子体处理装置包括：具备电介质部件的真空容器，设置在上述电介质部件的外侧的平面电极和高频天线，和通过分别对这些高频天线和平面电极供给高频功率、通过上述电介质部件将高频功率输入到上述真空容器内且产生感应耦合等离子体的高频电源，所述方法包括：将含氟气体导入到上述真空容器内的同时，利用上述高频电源将高频功率输入到上述真空容器内使上述含氟气体产生感应耦合等离子体的工序；和利用该感应耦合等离子体除去附着在上述电介质部件上的含有贵金属和强电介质中的至少一方的生成物的工序。