真空处理装置以及真空处理方法

    公开(公告)号:CN103733318B

    公开(公告)日:2016-08-31

    申请号:CN201280040387.2

    申请日:2012-08-08

    Abstract: 提供一种真空处理装置以及真空处理方法,能够在进行等离子处理时强力吸附保持绝缘性基板。真空处理装置(1)具有:接地的真空槽(11),与真空槽(11)相连的真空排气装置(19),配置在真空槽(11)内部的吸附装置(40),对设在吸附装置(40)上的单极(3)外加输出电压的吸附用电源(16),向真空槽(11)内导入等离子生成气体的等离子生成气体导入装置(21),以及使等离子生成气体为等离子的等离子生成部(20),将处理对象物(6)配置在吸附装置(40)上,当通过吸附用电源(16)对单极(3)外加输出电圧时,在真空槽内(11)内生成等离子,并且当将处理对象物(6)吸附在吸附装置上时,通过等离子进行处理,其中,处理对象物(6)使用绝缘性基板,吸附用电源(16)向单极(3)输出正电圧和负电圧周期地变化的输出电圧。

    蚀刻方法
    4.
    发明公开
    蚀刻方法 审中-实审

    公开(公告)号:CN115249614A

    公开(公告)日:2022-10-28

    申请号:CN202210440462.X

    申请日:2022-04-25

    Abstract: 本发明涉及一种蚀刻方法。本发明的蚀刻方法具有:抗蚀剂图案形成工序,在被处理体上对由树脂构成的抗蚀剂层形成抗蚀剂图案;蚀刻工序,经由具有所述抗蚀剂图案的所述抗蚀剂层对所述被处理体进行蚀刻;以及抗蚀剂保护膜形成工序,在所述抗蚀剂层上形成抗蚀剂保护膜。反复进行多次所述蚀刻工序。在反复进行多次所述蚀刻工序之后,进行所述抗蚀剂保护膜形成工序。

    器件及器件的制造方法以及矩阵型超声波探头的制造方法

    公开(公告)号:CN109561886A

    公开(公告)日:2019-04-02

    申请号:CN201780048021.2

    申请日:2017-08-15

    Abstract: 本发明提供一种作为具有用来制造多个压电元件以固定间隔排列成矩阵状的产品率高的结构的器件的矩阵型超声波探头。本发明的超声波探头(AP)具有的结构包括:第一干膜抗蚀剂(22),其具有开设成矩阵状的多个第一开口(22a),在使压电元件(21)紧密贴合在各第一开口的周边部并部分露出的状态下,分别对压电元件(21)进行支撑;第二干膜抗蚀剂(23),其层压在第一干膜抗蚀剂上并具有分别围绕各功能元件的第二开口(23a),且与压电元件厚度相同;以及第三干膜抗蚀剂(24),其层压在第二干膜抗蚀剂上并具有第三开口(24a),在使压电元件紧密贴合在该第三开口的周边部并部分露出状态下,将各压电元件分别夹持在第三干膜抗蚀剂与第一干膜抗蚀剂之间。

    等离子体处理装置及等离子体处理方法

    公开(公告)号:CN117293007A

    公开(公告)日:2023-12-26

    申请号:CN202310741171.9

    申请日:2023-06-21

    Abstract: 本发明公开等离子体处理装置及等离子体处理方法。等离子体处理装置具备腔室、内部电极、外部电极、等离子体生成电源和气体导入部。等离子体生成电源对外部电极施加规定频率的交流电。外部电极具有第一电极、第二电极和第三电极。等离子体生成电源具有第一高频电源、第二高频电源和电力分配器。第一高频电源对第一电极及第二电极施加第一频率λ1的交流电。第二高频电源对第三电极施加第二频率λ2的交流电。第一频率λ1与第二频率λ2的关系满足λ1>λ2的关系。电力分配器被构造为将待施加于第一电极及第二电极的交流电以规定的分配比分配给第一电极及第二电极中的每一个电极,并且将分配后的交流电施加到第一电极及第二电极。

    等离子体处理装置
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115440564A

    公开(公告)日:2022-12-06

    申请号:CN202210587398.8

    申请日:2022-05-26

    Abstract: 本发明提供能够控制谐振点的位置且能够使谐振点靠近线圈天线的输出端的等离子体处理装置。具备:ICP天线(21),具备输入端(21I)和输出端(21O);串联电路,通过将附加电感器(24)与可变电容器(25)串联连接而成;以及控制装置(33),对可变电容器(25)的电容进行变更,输入端(21I)经由天线用匹配器(22)与天线用电源(23)连接,输出端(21O)与附加电感器(24)连接,附加电感器(24)经由可变电容器(25)与接地端连接。

    器件及器件的制造方法以及矩阵型超声波探头的制造方法

    公开(公告)号:CN109561886B

    公开(公告)日:2020-03-03

    申请号:CN201780048021.2

    申请日:2017-08-15

    Abstract: 本发明提供一种作为具有用来制造多个压电元件以固定间隔排列成矩阵状的产品率高的结构的器件的矩阵型超声波探头。本发明的超声波探头(AP)具有的结构包括:第一干膜抗蚀剂(22),其具有开设成矩阵状的多个第一开口(22a),在使压电元件(21)紧密贴合在各第一开口的周边部并部分露出的状态下,分别对压电元件(21)进行支撑;第二干膜抗蚀剂(23),其层压在第一干膜抗蚀剂上并具有分别围绕各功能元件的第二开口(23a),且与压电元件厚度相同;以及第三干膜抗蚀剂(24),其层压在第二干膜抗蚀剂上并具有第三开口(24a),在使压电元件紧密贴合在该第三开口的周边部并部分露出状态下,将各压电元件分别夹持在第三干膜抗蚀剂与第一干膜抗蚀剂之间。

    真空处理装置以及真空处理方法

    公开(公告)号:CN103733318A

    公开(公告)日:2014-04-16

    申请号:CN201280040387.2

    申请日:2012-08-08

    Abstract: 提供一种真空处理装置以及真空处理方法,能够在进行等离子处理时强力吸附保持绝缘性基板。真空处理装置(1)具有:接地的真空槽(11),与真空槽(11)相连的真空排气装置(19),配置在真空槽(11)内部的吸附装置(40),对设在吸附装置(40)上的单极(3)外加输出电压的吸附用电源(16),向真空槽(11)内导入等离子生成气体的等离子生成气体导入装置(21),以及使等离子生成气体为等离子的等离子生成部(20),将处理对象物(6)配置在吸附装置(40)上,当通过吸附用电源(16)对单极(3)外加输出电圧时,在真空槽内(11)内生成等离子,并且当将处理对象物(6)吸附在吸附装置上时,通过等离子进行处理,其中,处理对象物(6)使用绝缘性基板,吸附用电源(16)向单极(3)输出正电圧和负电圧周期地变化的输出电圧。

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