器件及器件的制造方法以及矩阵型超声波探头的制造方法

    公开(公告)号:CN109561886A

    公开(公告)日:2019-04-02

    申请号:CN201780048021.2

    申请日:2017-08-15

    IPC分类号: A61B8/14 H04R17/00 H04R31/00

    摘要: 本发明提供一种作为具有用来制造多个压电元件以固定间隔排列成矩阵状的产品率高的结构的器件的矩阵型超声波探头。本发明的超声波探头(AP)具有的结构包括:第一干膜抗蚀剂(22),其具有开设成矩阵状的多个第一开口(22a),在使压电元件(21)紧密贴合在各第一开口的周边部并部分露出的状态下,分别对压电元件(21)进行支撑;第二干膜抗蚀剂(23),其层压在第一干膜抗蚀剂上并具有分别围绕各功能元件的第二开口(23a),且与压电元件厚度相同;以及第三干膜抗蚀剂(24),其层压在第二干膜抗蚀剂上并具有第三开口(24a),在使压电元件紧密贴合在该第三开口的周边部并部分露出状态下,将各压电元件分别夹持在第三干膜抗蚀剂与第一干膜抗蚀剂之间。

    器件及器件的制造方法以及矩阵型超声波探头的制造方法

    公开(公告)号:CN109561886B

    公开(公告)日:2020-03-03

    申请号:CN201780048021.2

    申请日:2017-08-15

    IPC分类号: A61B8/14 H04R17/00 H04R31/00

    摘要: 本发明提供一种作为具有用来制造多个压电元件以固定间隔排列成矩阵状的产品率高的结构的器件的矩阵型超声波探头。本发明的超声波探头(AP)具有的结构包括:第一干膜抗蚀剂(22),其具有开设成矩阵状的多个第一开口(22a),在使压电元件(21)紧密贴合在各第一开口的周边部并部分露出的状态下,分别对压电元件(21)进行支撑;第二干膜抗蚀剂(23),其层压在第一干膜抗蚀剂上并具有分别围绕各功能元件的第二开口(23a),且与压电元件厚度相同;以及第三干膜抗蚀剂(24),其层压在第二干膜抗蚀剂上并具有第三开口(24a),在使压电元件紧密贴合在该第三开口的周边部并部分露出状态下,将各压电元件分别夹持在第三干膜抗蚀剂与第一干膜抗蚀剂之间。

    吸附装置和真空处理装置

    公开(公告)号:CN106796915B

    公开(公告)日:2020-02-18

    申请号:CN201680003147.3

    申请日:2016-03-31

    IPC分类号: H01L21/683 H02N13/00

    摘要: 本发明提供一种使在与吸附对象物接触的面的吸附力降低来抑制吸附对象物的吸附和剥离时的灰尘的产生并且能够以使吸附装置的吸附力均匀的方式进行控制的技术。本发明的吸附装置具有:在电介质中具有用于对基板10进行吸附保持的逆极性的一对吸附电极11、12的主体部50、以及相对于一对吸附电极11、12在主体部50的吸附侧的部分以跨越一对吸附电极11的阳极11a和阴极11b以及一对吸附电极12的阳极12a和阴极12b的方式分别配置的导电性膜51。

    吸附装置、吸附装置的制造方法、以及真空处理装置

    公开(公告)号:CN107615474A

    公开(公告)日:2018-01-19

    申请号:CN201680032106.7

    申请日:2016-04-01

    发明人: 前平谦 不破耕

    IPC分类号: H01L21/683 H02N13/00 B23Q3/15

    摘要: 本发明提供一种抑制吸附对象物的吸附和剥离时的灰尘的产生并且能够以使吸附装置的吸附力均匀的方式进行控制的技术。本发明的吸附装置具有在电介质中具有吸附电极11、12的主体部50、以及被设置在主体部50的吸附侧的表面并且对基板进行吸附的吸附部51。吸附部51具有与基板接触来支承的接触支承部52、以及不与基板接触的非接触部53,在吸附部51中,被构成为接触支承部52的材料的体积电阻率比非接触部53的材料的体积电阻率大。

    真空处理装置以及真空处理方法

    公开(公告)号:CN103733318B

    公开(公告)日:2016-08-31

    申请号:CN201280040387.2

    申请日:2012-08-08

    IPC分类号: H01L21/3065

    摘要: 提供一种真空处理装置以及真空处理方法,能够在进行等离子处理时强力吸附保持绝缘性基板。真空处理装置(1)具有:接地的真空槽(11),与真空槽(11)相连的真空排气装置(19),配置在真空槽(11)内部的吸附装置(40),对设在吸附装置(40)上的单极(3)外加输出电压的吸附用电源(16),向真空槽(11)内导入等离子生成气体的等离子生成气体导入装置(21),以及使等离子生成气体为等离子的等离子生成部(20),将处理对象物(6)配置在吸附装置(40)上,当通过吸附用电源(16)对单极(3)外加输出电圧时,在真空槽内(11)内生成等离子,并且当将处理对象物(6)吸附在吸附装置上时,通过等离子进行处理,其中,处理对象物(6)使用绝缘性基板,吸附用电源(16)向单极(3)输出正电圧和负电圧周期地变化的输出电圧。

    吸附装置、真空处理装置

    公开(公告)号:CN107431040B

    公开(公告)日:2020-10-16

    申请号:CN201680022120.9

    申请日:2016-04-11

    摘要: 【课题】提供吸附力不会变弱的吸附装置。【解决方案】将吸附装置19a的受电端子24配置于受电侧凹部23内,能够利用盖部25a盖上。在对基板51~53进行吸附时,将吸附装置19a载置于供电台18a上,使供电端子64与受电端子24接触,对基板51~53与吸附电极22之间的等效电容进行充电。在使吸附装置19a移动时,一边由于等效电容的残留电荷吸附基板51~53一边利用盖部25a盖上受电侧凹部23,真空槽中的残留气体不会与受电端子24接触。没有受电端子24腐蚀或者形成薄膜的情况,不会放出等效电容的残留电荷。