触控面板
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104808840A

    公开(公告)日:2015-07-29

    申请号:CN201510037170.1

    申请日:2015-01-26

    Abstract: 本发明提供一种触控面板及触控面板的制造方法,该触控面板配置于显示面板上且采用通过触摸操作面来操作的电容方式,其具有透明基板、在所述透明基板的所述操作面的背面侧沿X方向形成的多个X电极以及沿与所述X方向正交的Y方向形成的多个Y电极。所述多个X电极和所述多个Y电极具有:形成于所述背面侧的同一面的多个透明电极;以及在所述X电极和所述Y电极经由绝缘部相互交叉的交叉部,立体连接相邻的所述X电极的透明电极或相邻的所述Y电极的透明电极中的任一方的跳线。所述跳线具有与所述透明电极连接的第一层和层叠于该第一层的第二层。所述第一层包括第一金属氧化膜,所述第二层包括第二金属氧化膜。所述第一层的折射率低于所述第二层的折射率。

    触控面板
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104808840B

    公开(公告)日:2019-01-01

    申请号:CN201510037170.1

    申请日:2015-01-26

    Abstract: 本发明提供一种触控面板及触控面板的制造方法,该触控面板配置于显示面板上且采用通过触摸操作面来操作的电容方式,其具有透明基板、在所述透明基板的所述操作面的背面侧沿X方向形成的多个X电极以及沿与所述X方向正交的Y方向形成的多个Y电极。所述多个X电极和所述多个Y电极具有:形成于所述背面侧的同一面的多个透明电极;以及在所述X电极和所述Y电极经由绝缘部相互交叉的交叉部,立体连接相邻的所述X电极的透明电极或相邻的所述Y电极的透明电极中的任一方的跳线。所述跳线具有与所述透明电极连接的第一层和层叠于该第一层的第二层。所述第一层包括第一金属氧化膜,所述第二层包括第二金属氧化膜。所述第一层的折射率低于所述第二层的折射率。

    光掩模坯、光掩模以及光掩模制造方法

    公开(公告)号:CN102033417A

    公开(公告)日:2011-04-27

    申请号:CN201010298454.3

    申请日:2010-09-29

    Abstract: 本发明提供一种不附着颗粒的光掩模及其制造方法。在相移层(11)上层叠粘接层(12)、刻蚀停止层(13)、遮光层(14),在利用刻蚀液部分地对遮光层(14)进行刻蚀时,利用刻蚀停止层(13)阻止刻蚀的进行,然后,利用氧等离子体除去在遮光层(14)上形成的开口底面的刻蚀停止层。用抗蚀剂覆盖成为相移区域的开口(24),利用刻蚀液除去成为透光区域的开口底面的相移区域(11)。由残留有遮光层(14)的部分形成遮光区域,得到光掩模。将各层(11)~(14)全部形成之后,进行使用了刻蚀液的刻蚀,所以,不存在颗粒的附着。

    光掩模坯、光掩模以及光掩模制造方法

    公开(公告)号:CN102033417B

    公开(公告)日:2014-11-26

    申请号:CN201010298454.3

    申请日:2010-09-29

    Abstract: 本发明提供一种不附着颗粒的光掩模及其制造方法。在相移层(11)上层叠粘接层(12)、刻蚀停止层(13)、遮光层(14),在利用刻蚀液部分地对遮光层(14)进行刻蚀时,利用刻蚀停止层(13)阻止刻蚀的进行,然后,利用氧等离子体除去在遮光层(14)上形成的开口底面的刻蚀停止层。用抗蚀剂覆盖成为相移区域的开口(24),利用刻蚀液除去成为透光区域的开口底面的相移区域(11)。由残留有遮光层(14)的部分形成遮光区域,得到光掩模。将各层(11)~(14)全部形成之后,进行使用了刻蚀液的刻蚀,所以,不存在颗粒的附着。

    成膜装置及其成膜方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1842612A

    公开(公告)日:2006-10-04

    申请号:CN200580000957.5

    申请日:2005-03-15

    CPC classification number: H01J37/32458 C23C14/0078 C23C14/505

    Abstract: 提供能够以更快的成膜速度形成具有良好特性的金属化合物膜,并且能够简单地、低成本地构成的溅射成膜装置。在真空室1内设置将基板3保持在外周而旋转的圆筒状的转鼓4、在转鼓4处于溅射位置时对被转鼓4保持的基板进行溅射处理的溅射设备6、7、和转鼓4处于反应位置时使反应气体等离子化并对基板3进行照射的等离子照射设备12,用电介质15覆盖面对通过等离子照射设备12使反应气体等离子化的区域11的真空室1的内面。

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