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公开(公告)号：CN106715751B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201580038502.6
申请日：2015-07-28
申请人： 株式会社爱发科
摘要： 基板处理装置(10)具备：等离子生成部，其在配置基板(1)的等离子生成空间生成工艺气体的等离子；冷却部(20)，其隔着冷却空间(55)与基板相对，并具有向冷却空间供给工艺气体的供给口(26)；工艺气体供给部(30)，其向冷却部(20)供给工艺气体；以及连通部(56)，其连通冷却空间(55)和等离子生成空间，用于将被供给到冷却空间的工艺气体供给到等离子生成空间。
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公开(公告)号：CN101184864B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200680019034.9
申请日：2006-10-05
申请人： 株式会社爱发科
CPC分类号： C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3408 , H01J37/3417 , H01J37/345 , H01J37/3452 , H01J37/347 , H01J37/3482 , H01L51/5203 , H01L51/56
摘要： 本发明提供一种靶的使用效率高的溅射装置。本发明的溅射装置(1)具有：第一、第二环状磁铁(23a、23b)；和在第一、第二环状磁铁(23a、23b)的环的内侧配置的第一、第二磁铁部件(24a、24b)；第一、第二环状磁铁(23a、23b)和第一、第二磁铁部件(24a、24b)其相同磁性的磁极朝向第一、第二靶(21a、21b)背面。因此，相同极性的磁极邻接配置在第一、第二靶(21a、21b)的背面，由于在第一、第二靶(21a、21b)的表面形成的水平磁场分量的强度其绝对值小、且其强度分布窄，垂直磁场分量的强度1均匀，所以，不会在第一、第二靶(21a、21b)上产生非腐蚀部分。
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公开(公告)号：CN102033417A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010298454.3
申请日：2010-09-29
申请人： 株式会社爱发科
摘要： 本发明提供一种不附着颗粒的光掩模及其制造方法。在相移层(11)上层叠粘接层(12)、刻蚀停止层(13)、遮光层(14)，在利用刻蚀液部分地对遮光层(14)进行刻蚀时，利用刻蚀停止层(13)阻止刻蚀的进行，然后，利用氧等离子体除去在遮光层(14)上形成的开口底面的刻蚀停止层。用抗蚀剂覆盖成为相移区域的开口(24)，利用刻蚀液除去成为透光区域的开口底面的相移区域(11)。由残留有遮光层(14)的部分形成遮光区域，得到光掩模。将各层(11)～(14)全部形成之后，进行使用了刻蚀液的刻蚀，所以，不存在颗粒的附着。
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公开(公告)号：CN101529567A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200780040499.7
申请日：2007-12-26
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： H01L21/3205 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , H01L21/285 , H01L21/336 , H01L23/52 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC分类号： H01L23/53238 , H01L21/2855 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H05K3/16 , H05K3/388 , H01L2924/00
摘要： 形成密接性优良、低电阻的布线膜。在配置有成膜对象物(21)的真空槽(2)中导入氧气，对纯铜靶(11)进行溅射，在成膜对象物(21)的表面上形成以铜为主要成分且含有氧的阻挡膜(22)之后，停止氧气的导入，对纯铜靶(11)进行溅射，形成纯铜的低电阻膜(23)。因为阻挡膜(22)和低电阻膜(23)以铜为主要成分，所以能够一次进行溅射。由于低电阻膜(23)与阻挡膜(22)相比是低电阻，所以，布线膜(25)整体成为低电阻。由于阻挡膜(22)针对玻璃或硅的密接性高，所以，布线膜(25)整体的密接性也高。
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公开(公告)号：CN101180417A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200680018096.8
申请日：2006-10-05
申请人： 株式会社爱发科
CPC分类号： C23C14/352 , C23C14/086 , C23C14/568 , H01J37/3266 , H01J37/32752 , H01J37/34 , H01J37/3408 , H01J37/347
摘要： 本发明提供一种靶的使用效率高的溅射装置。本发明的溅射装置(1)具有移动部件(28a、28b)，移动部件(28a、28b)可使第一、第二磁铁部件(23a、23b)在与第一、第二靶(21a、21b)的表面平行的面内移动。如果第一、第二磁铁部件(23a、23b)移动，则磁力线也移动，第一、第二靶(21a、21b)表面的高侵蚀区域也移动，因此第一、第二靶(21a、21b)表面的广泛区域可被溅射。
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公开(公告)号：CN1693531A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200510068427.6
申请日：2005-04-29
申请人： 株式会社爱发科
CPC分类号： H01J37/3423 , C23C14/3407 , H01J37/3405 , H01J37/3426
摘要： 在现有技术的溅射靶构型下，在通过施加负DC电压或者高频电压到靶上产生等离子体期间，会导致电流从靶流向接地护罩。因此会产生一个问题，即由于靶的外周表面上不产生等离子体使靶外周的非腐蚀区域保留下来而不被溅射。这会由于充电诱发不正常放电，或者通过在非腐蚀区域上重沉积膜而在基片表面上形成颗粒，其对膜形成的重现性产生影响，减少靶的服务效能。这种问题能够通过本发明加以解决，其中在靶(T)体的溅射表面(Ts)和外周表面(Tc)彼此交叉的区域上形成围绕靶(T)体的倾斜表面(T2)。
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公开(公告)号：CN104870683B
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201280077793.6
申请日：2012-12-18
申请人： 株式会社爱发科
CPC分类号： C23C14/0036 , C23C14/0063 , C23C14/083 , C23C14/10 , C23C14/3464
摘要： 成膜方法是在成膜于被处理基板的包含无机物的无机层3上形成包含含氟树脂的有机层的成膜方法，在形成无机层时，进行使用了水蒸汽作为反应性气体的反应性溅射以在被处理基板上形成无机层，接下来，在无机层上形成有机层。成膜装置能够实施该成膜方法。
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公开(公告)号：CN104870683A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201280077793.6
申请日：2012-12-18
申请人： 株式会社爱发科
CPC分类号： C23C14/0036 , C23C14/0063 , C23C14/083 , C23C14/10 , C23C14/3464
摘要： 成膜方法是在成膜于被处理基板的包含无机物的无机层3上形成包含含氟树脂的有机层的成膜方法，在形成无机层时，进行使用了水蒸汽作为反应性气体的反应性溅射以在被处理基板上形成无机层，接下来，在无机层上形成有机层。成膜装置能够实施该成膜方法。
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公开(公告)号：CN101529567B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200780040499.7
申请日：2007-12-26
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： H01L21/3205 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , H01L21/285 , H01L21/336 , H01L23/52 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC分类号： H01L23/53238 , H01L21/2855 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H05K3/16 , H05K3/388 , H01L2924/00
摘要： 形成密接性优良、低电阻的布线膜。在配置有成膜对象物(21)的真空槽(2)中导入氧气，对纯铜靶(11)进行溅射，在成膜对象物(21)的表面上形成以铜为主要成分且含有氧的阻挡膜(22)之后，停止氧气的导入，对纯铜靶(11)进行溅射，形成纯铜的低电阻膜(23)。因为阻挡膜(22)和低电阻膜(23)以铜为主要成分，所以能够一次进行溅射。由于低电阻膜(23)与阻挡膜22相比是低电阻，所以，布线膜(25)整体成为低电阻。由于阻挡膜(22)针对玻璃或硅的密接性高，所以，布线膜(25)整体的密接性也高。
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