公开(公告)号：CN108346700B

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN201810067250.5

申请日：2018-01-23

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 久野敬史 ,  津间博基 ,  桑野聪 ,  添野明高 ,  金丸俊隆 ,  桥本健太 ,  柿本规行 ,  米田秀司

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其能够抑制表面电极的裂纹并且减轻半导体基板的应力。该半导体装置具有：半导体基板；覆盖所述半导体基板的表面的表面电极；覆盖所述表面电极的表面的一部分的绝缘保护膜；以及对横跨从所述绝缘保护膜的表面至所述表面电极的表面的范围进行覆盖的焊接用金属膜。所述表面电极具有：配置在所述半导体基板上的第一金属膜；与所述第一金属膜的表面接触且具有比所述第一金属膜更高的拉伸强度的第二金属膜；以及第三金属膜，其与所述第二金属膜的表面接触，具有与所述第二金属膜相比较低而与所述第一金属膜相比较高的拉伸强度。

公开(公告)号：CN108346700A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201810067250.5

申请日：2018-01-23

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 久野敬史 ,  津间博基 ,  桑野聪 ,  添野明高 ,  金丸俊隆 ,  桥本健太 ,  柿本规行 ,  米田秀司

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/41708 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/32133 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2924/3512

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其能够抑制表面电极的裂纹并且减轻半导体基板的应力。该半导体装置具有：半导体基板；覆盖所述半导体基板的表面的表面电极；覆盖所述表面电极的表面的一部分的绝缘保护膜；以及对横跨从所述绝缘保护膜的表面至所述表面电极的表面的范围进行覆盖的焊接用金属膜。所述表面电极具有：配置在所述半导体基板上的第一金属膜；与所述第一金属膜的表面接触且具有比所述第一金属膜更高的拉伸强度的第二金属膜；以及第三金属膜，其与所述第二金属膜的表面接触，具有与所述第二金属膜相比较低而与所述第一金属膜相比较高的拉伸强度。

公开(公告)号：CN114287053A

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN201980099708.8

申请日：2019-08-26

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 桑野聪 ,  西胁刚 ,  古村雄太

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/47 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

Abstract: 半导体装置具备半导体衬底、在上述半导体衬底的一个主面中设置的沟槽栅极部、将上述半导体衬底的上述一个主面的上方覆盖的表面电极、以及使上述沟槽栅极部与上述表面电极绝缘的层间绝缘膜，上述半导体衬底具有第1导电型的漂移区域、在上述漂移区域的上方设置的第2导电型的体区域、在上述体区域的至少一部分的下方设置的第1导电型的势垒区域、以及从上述半导体衬底的上述一个主面延伸至上述势垒区域并与上述表面电极肖特基接触的第1导电型的柱区域，上述表面电极是含硅的合金，上述层间绝缘膜的顶面和侧面所成的角是锐角。