公开(公告)号：CN116895522A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310350521.9

申请日：2023-04-04

申请人： 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社 ,  国立大学法人东海国立大学机构 ,  浜松光子学株式会社

发明人： 中林正助 ,  长屋正武 ,  笹冈千秋 ,  恩田正一 ,  小岛淳 ,  河口大祐 ,  杉浦隆二 ,  油井俊树 ,  原佳祐 ,  荒谷知巳

IPC分类号： H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  H01L21/28 ,  H01L21/428 ,  H01L21/44 ,  H01L21/463

摘要： 一种半导体器件的制造方法，包括：在化合物半导体衬底(12)的第一表面(12a)中沿着多个器件区域(40)之间的界面形成排气凹部(14)，化合物半导体衬底包括与第一表面(12a)相邻的多个器件区域(40)；通过施加激光束(112)，在化合物半导体衬底内部形成改变层(16)以沿着第一表面在对应于排气凹部的深度范围的深度处延伸；在改变层处将化合物半导体衬底分割成包括第一表面(12a)的第一部分(61)和包括化合物半导体衬底的与第一表面(12a)相反的第二表面(12b)的第二部分(62)；以及形成金属膜(71、81、91)以覆盖第一部分的分割面(61a)，同时露出排气凹部。

公开(公告)号：CN116504606A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310055335.2

申请日：2023-01-18

申请人： 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社 ,  浜松光子学株式会社 ,  国立大学法人东海国立大学机构

发明人： 长屋正武 ,  中林正助 ,  河口大祐 ,  油井俊树 ,  笹冈千秋 ,  恩田正一 ,  小岛淳

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/78 ,  C30B29/40 ,  C30B33/00 ,  B23K26/00

摘要： 制造氮化镓衬底的方法包括制备氮化镓晶片、形成转换层和形成氮化镓衬底。氮化镓具有第一主表面和第二主表面，所述第二主表面在与所述第一主表面相对的一侧上。所述氮化镓晶片由六方晶体制成，并且所述第一主表面和所述第二主表面中的每一个都是所述六方晶体的{1‑100}m‑平面。通过将激光束发射到所述氮化镓晶片中，沿着所述氮化镓晶片的平面方向形成所述转换层。通过在所述转换层处分割所述氮化镓晶片来由所述氮化镓晶片形成所述氮化镓衬底。在所述转换层的形成中，发射所述激光束以形成用于形成所述转换层的照射标记。