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公开(公告)号：CN110268093B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201880010245.9
申请日：2018-01-30
申请人： 株式会社神户制钢所
发明人： 藤井博文
摘要： 本发明提供能够控制工件的周向的膜厚分布的成膜装置。成膜装置包括：工件旋转装置(5)，保持多个工件(100)并使其自转公转；具有出射面(3a)的靶材(3)，从出射面(3a)飞出用于对工件(100)的外周面进行成膜的材料的粒子；电源(4)，将用于粒子从靶材(3)飞出的电弧电流供应给靶材(3)；以及控制部(23)，以在自转的工件(100)的特定部分(102)朝向出射面(3a)的期间的至少一部分即特定期间，使电弧电流成为比基准输出高的输出的方式控制电源(4)。
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公开(公告)号：CN104769151B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201380059564.6
申请日：2013-11-13
申请人： 株式会社神户制钢所
发明人： 藤井博文
CPC分类号： C23C14/243 , C23C14/0641 , C23C14/24 , C23C14/32 , C23C14/352 , C23C14/505
摘要： 提供一种对基材（W）的表面进行PVD处理而形成被膜、并且能够提高其厚度的均匀性的成膜装置（1）。该装置具备收容基材（W）的真空腔室2）、设在其内壁面上的多个蒸发源、和一边支承多个基材（W）一边使上述基材（W）在真空腔室（2）内移动的基材支承部件（3）。多个蒸发源配置为在沿着台旋转中心轴的方向上排列，包括第1蒸发源和在其内侧相邻的第2蒸发源（4b、4c），所述第1蒸发源是与基材（W）的两端侧对置的蒸发源4a、4d）中的至少一方。第1蒸发源配置为，比第2蒸发源更向基材（W）侧突出。
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公开(公告)号：CN105247097A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201480030615.7
申请日：2014-05-15
申请人： 株式会社神户制钢所
IPC分类号： C23C14/50
CPC分类号： C23C14/541 , C23C14/505
摘要： 本发明提供一种制冷剂泄漏的风险大幅度降低且能够提高冷却效率的成膜装置以及成膜方法。成膜装置(1)包括冷却部(4)、旋转台主体(11)、升降机构(5)以及制冷剂配管(6)，其中，冷却部(4)在腔室(2)的空间(2e)内冷却工件(W)，旋转台主体(11)在工件(W)被载置的状态下以垂直轴为中心旋转，且具有载置冷却部(4)的冷却部载置部(21)和被配置成包围该冷却部载置部(21)的周围且载置工件(W)的工件载置部(22)，升降机构(5)使冷却部(4)在空间(2e)内在第一位置与第二位置之间升降，第一位置是冷却部(4)被载置于旋转台主体(11)位置，第二位置是冷却部(4)从该旋转台主体(11)向上方隔开距离且与被载置于工件载置部(22)的工件(W)的侧面相向的位置，制冷剂配管(6)被安装于腔室(2)，且以能够装拆的方式连接于冷却部(4)，向该冷却部(4)供给制冷剂。
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公开(公告)号：CN101074474B
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200710110147.6
申请日：2005-01-25
申请人： 株式会社神户制钢所
CPC分类号： C23C14/025
摘要： 一种硬质叠层被膜的方法，其特征是采用在同一真空容器内分别装有1台以上都具有磁场外加功能的电弧蒸发源和溅射蒸发源的成膜装置，并通过在含有反应气体的成膜保护气氛中，使电弧蒸发源和溅射蒸发源同时工作，分别使所述层A的成分从电弧蒸发源蒸发、且使所述层B的成分从溅射蒸发源蒸发，同时使基板相对于所述各蒸发源相对移动，进而在基板上交替叠层所述层A和所述层B。
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公开(公告)号：CN101096750B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200710126292.3
申请日：2007-06-29
申请人： 株式会社神户制钢所
IPC分类号： C23C14/24
CPC分类号： C23C14/3407 , H01J37/342 , H01J37/3423 , Y10T428/13 , Y10T428/1303 , Y10T428/1352 , Y10T428/1359 , Y10T428/139
摘要： 本发明是一种在筒状基材的外周面上包覆蒸发材料而成的PVD用筒状靶材，基材和蒸发材料的边界部具有由将角部倒圆而形成的凸状和凹状中的至少一种形状构成的啮合部。根据该方案，能抑制因基材和蒸发材料的热膨胀差异而在两材料的边界部产生的残余应力引起的蒸发材料的剥离或裂纹的产生，并且能确保两材料足够的紧贴性。
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公开(公告)号：CN108495948B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201780007847.4
申请日：2017-01-06
申请人： 株式会社神户制钢所
摘要： 本发明提供一种能够长期准确地进行靶材是否存在于规定的位置的检测的电弧蒸发装置。电弧蒸发装置(1)包括：具有远端面(3a)和与其连续地沿轴向延伸的侧面(3b)，通过电弧放电从远端面(3a)起熔解并蒸发的棒状的靶材(3)；电弧电源(8)；让靶材(3)在远端面(3a)前进的输送方向上沿轴向移动的靶材输送部(4)；在靶材(3)的输送方向上的规定的位置，呈可从与输送方向交叉的交叉方向接触于靶材(3)的侧面(3b)的形状的点火杆(6)；让点火杆(6)以从退避位置沿交叉方向进入到靶材(3)被送入的搬送区域的方式移动的旋转致动器(7)，其中，该退避位置是从侧面(3b)向交叉方向离开的位置；以及在点火杆(6)的移动过程中，检测点火杆(6)是否接触于靶材(3)的侧面(3b)的检测部(9)。
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公开(公告)号：CN105247097B
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201480030615.7
申请日：2014-05-15
申请人： 株式会社神户制钢所
IPC分类号： C23C14/50
CPC分类号： C23C14/541 , C23C14/505
摘要： 本发明提供一种制冷剂泄漏的风险大幅度降低且能够提高冷却效率的成膜装置以及成膜方法。成膜装置(1)包括冷却部(4)、旋转台主体(11)、升降机构(5)以及制冷剂配管(6)，其中，冷却部(4)在腔室(2)的空间(2e)内冷却工件(W)，旋转台主体(11)在工件(W)被载置的状态下以垂直轴为中心旋转，且具有载置冷却部(4)的冷却部载置部(21)和被配置成包围该冷却部载置部(21)的周围且载置工件(W)的工件载置部(22)，升降机构(5)使冷却部(4)在空间(2e)内在第一位置与第二位置之间升降，第一位置是冷却部(4)被载置于旋转台主体(11)位置，第二位置是冷却部(4)从该旋转台主体(11)向上方隔开距离且与被载置于工件载置部(22)的工件(W)的侧面相向的位置，制冷剂配管(6)被安装于腔室(2)，且以能够装拆的方式连接于冷却部(4)，向该冷却部(4)供给制冷剂。
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公开(公告)号：CN105051247A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201480016804.9
申请日：2014-03-03
申请人： 株式会社神户制钢所
发明人： 藤井博文
IPC分类号： C23C14/50
CPC分类号： C23C14/505 , C23C14/325 , C23C14/34
摘要： 本发明提供一种PVD处理装置(1)以及方法，通过基材的自转以及公转，能够在基材的外周面形成具有周向上的均匀性优良的膜厚的复合皮膜。PVD处理装置(1)具备：真空腔室；使多个基材(W)在真空腔室内绕公转轴(7)公转的公转台；使各基材(W)在公转台上绕平行于公转轴(7)的自转轴(8)自转的自转台(4)；在公转台的径向外侧被设置在互相在周向上分离的位置的多种靶材(5)；在基材(W)通过从各靶材(5)的中央向包络各自转台(4)的圆弧引出的两个切线(L1、L2)之间的期间，使自转台(4)以180°以上的角度自转的台旋转机构(6)。
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公开(公告)号：CN102348828B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201080011271.7
申请日：2010-04-14
申请人： 株式会社神户制钢所
CPC分类号： C23C14/325 , C23C14/54 , H01J37/32055 , H01J37/32669 , H01J37/34 , H01J37/345
摘要： 在电弧式蒸发源中，将磁力线诱导到基板方向而加快成膜速度。其中，具有以包围靶(2)的外周的方式设置，且磁化方向沿着与靶(2)的表面正交的方向而配置的至少一个外周磁体(3)，和配置在靶(2)的背面侧的背面磁体(4)。背面磁体(4)具有非环状的第一永久磁体(4A)，其配置方式为，使其极性与外周磁体3的极性朝向同方向，并且沿着与背面磁体(4)的磁化方向与靶(2)的表面正交的方向而配置。
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公开(公告)号：CN101405428B
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN200780009961.7
申请日：2007-03-06
申请人： 株式会社神户制钢所
发明人： 藤井博文
IPC分类号： C23C14/32
CPC分类号： C23C14/325 , C23C14/3407 , C23C14/351 , H01J37/32055 , H01J37/32614
摘要： 本发明提供电弧离子镀方法以及该方法中使用的靶材，能够得到在被处理物的大致全长上均匀的膜厚分布、并且能够谋求提高靶材材料成品率和降低靶材制造成本。因此，在真空室(1)内配置至少能够分割为长度方向两端部(31)、(32)和其以外的中央部(33)的靶材(3)和被处理物。在保护膜形成时，控制靶材表面的电弧斑点位置以使长度方向两端部(31)、(32)的消耗速度比中央部(33)的消耗速度快，并且靶材(3)的中央部(33)达到消耗极限之前，在长度方向两端部(31)、(32)的至少一个达到消耗极限的时刻，仅交换该端部并继续进行膜的形成。
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