公开(公告)号：CN104603919B

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201380045020.4

申请日：2013-08-30

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

Inventor： 三木绫 ,  森田晋也 ,  后藤裕史 ,  田尾博昭 ,  钉宫敏洋 ,  安秉斗 ,  金建熙 ,  朴辰玄 ,  金连洪

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L29/408 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管，其在具备氧化物半导体层薄膜的薄膜晶体管中，对于光或偏压应力等，阈值电压的变化量小且应力耐受性优异。本发明的薄膜晶体管是具备栅电极、用于沟道层的单层的氧化物半导体层、用于保护氧化物半导体层的表面的蚀刻阻挡层、源‑漏电极和配置于栅电极与沟道层之间的栅极绝缘膜的薄膜晶体管，其中，构成氧化物半导体层的金属元素由In、Zn及Sn构成，并且与所述氧化物半导体层直接接触的栅极绝缘膜中的氢浓度被控制在4原子％以下。

公开(公告)号：CN104681625B

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201510088765.X

申请日：2013-06-06

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

Inventor： 后藤裕史 ,  三木绫 ,  岸智弥 ,  广濑研太 ,  森田晋也 ,  钉宫敏洋 ,  安秉斗 ,  金建熙 ,  金连洪

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78693 ,  C23C14/08 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种具有迁移率良好、应力耐受性也优异、并且湿蚀刻特性也良好的氧化物半导体层的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管在基板上至少依次有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源‑漏电极及保护膜，其中，前述氧化物半导体层是具有第一氧化物半导体层(IGZTO)和第二氧化物半导体层(IZTO)的层叠体，前述第二氧化物半导体层形成于前述栅极绝缘膜之上，且前述第一氧化物半导体层形成于前述第二氧化物半导体层与前述保护膜之间，并且在前述第一氧化物半导体层中，各金属元素相对于除去氧的全部金属元素的含量为：Ga：5％以上、In：25％以下(不含0％)、Zn：35～65％及Sn：8～30％。

公开(公告)号：CN104603919A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201380045020.4

申请日：2013-08-30

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

Inventor： 三木绫 ,  森田晋也 ,  后藤裕史 ,  田尾博昭 ,  钉宫敏洋 ,  安秉斗 ,  金建熙 ,  朴辰玄 ,  金连洪

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L29/408 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管，其在具备氧化物半导体层薄膜的薄膜晶体管中，对于光或偏压应力等，阈值电压的变化量小且应力耐受性优异。本发明的薄膜晶体管是具备栅电极、用于沟道层的单层的氧化物半导体层、用于保护氧化物半导体层的表面的蚀刻阻挡层、源-漏电极和配置于栅电极与沟道层之间的栅极绝缘膜的薄膜晶体管，其中，构成氧化物半导体层的金属元素由In、Zn及Sn构成，并且与所述氧化物半导体层直接接触的栅极绝缘膜中的氢浓度被控制在4原子％以下。

公开(公告)号：CN114447039A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111072523.3

申请日：2021-09-14

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 李京垣 ,  高殷慧 ,  金连洪 ,  金恩贤 ,  李善熙 ,  林俊亨

IPC: H01L27/32

Abstract: 一实施例涉及的显示装置包括：第一金属层，位于基板上；第一绝缘层，位于所述第一金属层上；第一晶体管，位于所述第一绝缘层上并且包括漏电极；以及发光元件，与所述第一晶体管电连接，所述第一金属层包括具有第1‑1厚度的第1‑1部分以及具有第1‑2厚度的第1‑2部分，所述第1‑2厚度大于所述第1‑1厚度，所述漏电极与所述第一金属层电连接。

公开(公告)号：CN118414027A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202410113136.7

申请日：2024-01-26

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 金连洪 ,  高宗范 ,  金恩贤 ,  文然建 ,  李善熙 ,  李桢薰

IPC: H10K59/12 ,  H10K59/131 ,  H01L27/12

Abstract: 本申请涉及显示装置。显示装置包括：基板，包括显示区域和显示区域外部的外围区域；像素电路，设置在显示区域中，并且包括驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管，其中，驱动薄膜晶体管包括驱动半导体层，并且开关薄膜晶体管包括开关半导体层；显示元件，连接到像素电路；以及内置驱动电路部分，设置在外围区域中，并且包括包含第一外围半导体层的第一外围薄膜晶体管，其中，驱动半导体层和开关半导体层包括相同的材料，并且各自具有比第一外围半导体层的迁移率小的迁移率。

公开(公告)号：CN118053889A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202311528504.6

申请日：2023-11-16

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 禹荣杰 ,  李相旭 ,  金连洪 ,  郑镕彬

IPC: H01L27/15 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明提供一种显示装置及其制造方法。根据一实施例的显示装置包括：基板；第一半导体层及虚设半导体层，位于所述基板上方；第二半导体层，沿垂直于所述虚设半导体层和所述基板的方向重叠而设置；第一晶体管，包括所述第一半导体层及与所述第一半导体层连接的第一源极电极和第一漏极电极；第二晶体管，包括所述第二半导体层及与所述第二半导体层连接的第二源极电极和第二漏极电极；发光元件，与所述第一晶体管连接，其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层包括彼此不同的物质，所述第一半导体层及所述虚设半导体层位于同一层并包括相同的物质。

公开(公告)号：CN116153940A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202211448586.9

申请日：2022-11-18

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 李京垣 ,  高殷慧 ,  金连洪 ,  金恩贤 ,  金亨俊 ,  李善熙 ,  林俊亨

IPC: H01L27/12

Abstract: 公开了一种薄膜晶体管和一种薄膜晶体管阵列基底，所述薄膜晶体管包括：遮光层，设置在基底上；氧供应层，设置在遮光层上，并且包括金属氧化物；缓冲层，设置在基底上，并且覆盖氧供应层；有源层，设置在缓冲层上，其中，有源层包括与遮光层叠置的沟道区以及分别与沟道区的相对侧接触的第一电极区域和第二电极区域；以及栅极绝缘层，设置在有源层的沟道区上。

公开(公告)号：CN113948552A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202110697787.1

申请日：2021-06-23

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 金连洪 ,  高殷慧 ,  金恩贤 ,  李京垣 ,  李善熙 ,  林俊亨

IPC: H01L27/32 ,  G09G3/3208

Abstract: 一种显示装置，包括：基底；防腐蚀层，所述防腐蚀层在所述基底上，并且包括无机材料；第一导电层，所述第一导电层在所述防腐蚀层上，并且包括铝或铝合金；第一绝缘膜，所述第一绝缘膜在所述第一导电层上；半导体层，所述半导体层在所述第一绝缘膜上，并且包括晶体管的沟道区域；第二绝缘膜，所述第二绝缘膜在所述半导体层上；以及第二导电层，所述第二导电层在所述第二绝缘膜上，并且包括包含钛的阻挡层和包含铝或铝合金的主导电层，其中，所述半导体层包括氧化物半导体，并且所述阻挡层在所述半导体层和所述主导电层之间，并且与所述晶体管的所述沟道区域重叠。

公开(公告)号：CN105247684A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201480013007.5

申请日：2014-02-27

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 小坂修司 ,  林和志 ,  安秉斗 ,  金建熙 ,  金连洪 ,  朴辰玄

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  H01L21/203 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66969

Abstract: 本发明的用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物中，构成该氧化物的金属元素为In、Zn和Sn，在所述薄膜晶体管的半导体层上形成氧化物膜时的氧分压为15％(体积)或更大，所述氧化物的缺陷密度为7.5×1015cm-3或更低，迁移率满足15cm2/Vs或更高。

公开(公告)号：CN112349247B

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202010789782.7

申请日：2020-08-07

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 朴常镐 ,  金连洪 ,  金振永 ,  金珍泽 ,  文秀贤 ,  朴美珍 ,  梁泰勋 ,  李星珍 ,  李镇禹 ,  洪光泽

IPC: G09G3/3208 ,  G09G3/3233

Abstract: 一种发光二极管显示装置，该发光二极管显示装置包括：有机发光二极管，该有机发光二极管包括阳极电极；第一晶体管，该第一晶体管用于向有机发光二极管的阳极电极提供电流；第二晶体管，该第二晶体管用于将电压传输至第一晶体管的栅电极；第一电容器，该第一电容器用于存储传输至第一晶体管的栅电极的电压；以及第二电容器，该第二电容器设置在第二晶体管的第一电极与数据线之间，其中第二晶体管的第一电极直接连接至有机发光二极管的阳极电极。