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公开(公告)号：CN102084512B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN200880129794.4
申请日：2008-06-13
Applicant: 株式会社船井电机新应用技术研究所 , 独立行政法人产业技术综合研究所 , 船井电机株式会社
CPC classification number: H01L45/1233 , H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/124
Abstract: 提供一种能够高密度集成并有助于层压的开关元件，开关元件(100)包括：绝缘衬底(10)；第一电极(30)，设置在绝缘衬底(10)上；第二电极(40)，设置在第一电极(30)上方；以及电极间间隙部分(50)，设置在第一电极(30)与第二电极(40)之间并具有纳米量级的间隙，该纳米量级的间隙用于通过在第一电极(30)与第二电极(40)之间施加指定电压来引起电阻器的开关现象。
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公开(公告)号：CN101330127A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810125332.7
申请日：2008-06-20
Applicant: 株式会社船井电机新应用技术研究所 , 独立行政法人产业技术综合研究所 , 船井电机株式会社
CPC classification number: H01L45/04 , H01L45/1226 , H01L45/124
Abstract: 一种开关元件，包括：绝缘衬底；第一电极和第二电极，都设置在所述绝缘衬底的一个表面上，以及电极间间隙，设置在所述第一电极与所述第二电极之间，具有纳米量级的间隙，通过在所述第一电极与所述第二电极之间施加预定电压，所述间隙中发生电阻的开关现象，其中所述绝缘衬底的所述一个表面含氮。本发明能够降低开关元件的工作电压。
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公开(公告)号：CN103081017A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180041391.6
申请日：2011-08-25
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所 , 株式会社船井电机新应用技术研究所 , 船井电机株式会社
IPC: G11C13/00 , H01L27/10 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0002 , G11C2213/79 , H01L27/101
Abstract: 更稳定地进行开关动作。存储元件10具有：绝缘性基板；第一电极2及第二电极3，其设置于绝缘性基板；电极间间隙部4，其设置在第一电极与第二电极之间，具有产生第一、第二电极之间的电阻值的变化现象的纳米级的间隙，该存储元件10能够从规定的低电阻状态向规定的高电阻状态转换以及能够从高电阻状态向所述低电阻状态转换，该存储元件10的驱动方法的特征在于，在从高电阻状态向所述低电阻状态转换时，通过恒流电路向存储元件施加电流脉冲。
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公开(公告)号：CN101330127B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200810125332.7
申请日：2008-06-20
Applicant: 株式会社船井电机新应用技术研究所 , 独立行政法人产业技术综合研究所 , 船井电机株式会社
CPC classification number: H01L45/04 , H01L45/1226 , H01L45/124
Abstract: 一种开关元件，包括：绝缘衬底；第一电极和第二电极，都设置在所述绝缘衬底的一个表面上，以及电极间间隙，设置在所述第一电极与所述第二电极之间，具有纳米量级的间隙，通过在所述第一电极与所述第二电极之间施加预定电压，所述间隙中发生电阻的开关现象，其中所述绝缘衬底的所述一个表面含氮。本发明能够降低开关元件的工作电压。
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公开(公告)号：CN103081016A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180041359.8
申请日：2011-08-25
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所 , 株式会社船井电机新应用技术研究所 , 船井电机株式会社
IPC: G11C13/00 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/02
CPC classification number: G11C13/0002 , G11C13/003 , G11C13/0069 , G11C17/16 , G11C2013/009 , G11C2213/33 , G11C2213/52 , G11C2213/74 , G11C2213/79
Abstract: 更稳定地进行开关动作。存储元件10具有绝缘性基板1、设置于绝缘性基板的第一电极2及第二电极3、产生第一电极与第二电极之间的电阻值的变化现象的电极间间隙部4，通过从脉冲发生源向存储元件10施加用于从规定的低电阻状态向规定的高电阻状态转换的第一电压脉冲，经由串联的电阻体向存储元件10施加用于从高电阻状态向低电阻状态转换的第二电压脉冲，来减小流向变化为低电阻值之后的存储元件的电流值，与从低电阻状态向所述高电阻状态转换的情况相比，在从高电阻状态向低电阻状态转换的情况下，在使在脉冲发生源与存储元件之间的电阻变大之后，施加电压脉冲。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102084512A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200880129794.4
申请日：2008-06-13
Applicant: 株式会社船井电机新应用技术研究所 , 独立行政法人产业技术综合研究所 , 船井电机株式会社
CPC classification number: H01L45/1233 , H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/124
Abstract: 提供一种能够高密度集成并有助于层压的开关元件，开关元件(100)包括：绝缘衬底(10)；第一电极(30)，设置在绝缘衬底(10)上；第二电极(40)，设置在第一电极(30)上方；以及电极间间隙部分(50)，设置在第一电极(30)与第二电极(40)之间并具有纳米量级的间隙，该纳米量级的间隙用于通过在第一电极(30)与第二电极(40)之间施加指定电压来引起电阻器的开关现象。
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公开(公告)号：CN103081017B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201180041391.6
申请日：2011-08-25
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所 , 株式会社船井电机新应用技术研究所 , 船井电机株式会社
IPC: G11C13/00 , H01L27/10 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0002 , G11C2213/79 , H01L27/101
Abstract: 更稳定地进行开关动作。存储元件10具有：绝缘性基板；第一电极2及第二电极3，其设置于绝缘性基板；电极间间隙部4，其设置在第一电极与第二电极之间，具有产生第一、第二电极之间的电阻值的变化现象的纳米级的间隙，该存储元件10能够从规定的低电阻状态向规定的高电阻状态转换以及能够从高电阻状态向所述低电阻状态转换，该存储元件10的驱动方法的特征在于，在从高电阻状态向所述低电阻状态转换时，通过恒流电路向存储元件施加电流脉冲。
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公开(公告)号：CN101680853B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN200880019985.5
申请日：2008-06-13
Applicant: 株式会社船井电机新应用技术研究所 , 独立行政法人产业技术综合研究所 , 船井电机株式会社
IPC: G01N27/327
Abstract: 本发明提供了具有优异灵敏度、优异稳定性和较长使用寿命的酶电极和使用该酶电极的酶传感器。所述酶电极包括电极2、形成于所述电极2上的介孔二氧化硅材料3和固定于所述介孔二氧化硅材料3的细孔内的酶4。所述介孔二氧化硅材料3的细孔大小设定为所述酶4大小的0.5-2.0倍。
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公开(公告)号：CN101680853A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880019985.5
申请日：2008-06-13
Applicant: 株式会社船井电机新应用技术研究所 , 独立行政法人产业技术综合研究所 , 船井电机株式会社
IPC: G01N27/327
Abstract: 本发明提供了具有优异灵敏度、优异稳定性和较长使用寿命的酶电极和使用该酶电极的酶传感器。所述酶电极包括电极2、形成于所述电极2上的介孔二氧化硅材料3和固定于所述介孔二氧化硅材料3的细孔内的酶4。所述介孔二氧化硅材料3的细孔大小设定为所述酶4大小的0.5-2.0倍。
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公开(公告)号：CN101273461B
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200680035397.1
申请日：2006-09-25
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所 , 株式会社船井电机新应用技术研究所
CPC classification number: H01L45/1226 , H01L45/04 , H01L45/12
Abstract: 本发明的开关元件(100)包括：绝缘性衬底(10)，设置在上述绝缘性衬底(10)上的第一电极(20)，设置在上述绝缘性衬底(10)上的第二电极(30)，以及设置在上述第一电极(20)和第二电极(30)之间，在上述第一电极(20)和上述第二电极(30)之间的距离(G)为0nm＜G≤50nm的电极间间隙(40)。
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