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公开(公告)号：CN102194690B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201110049961.8
申请日：2011-03-02
申请人： 株式会社荏原制作所
发明人： 小林洋一
IPC分类号： H01L21/321 , B24B37/005 , B24B37/013 , B24B49/04 , B24B49/12
CPC分类号： G01N21/9501 , B24B37/013 , B24B49/12 , G01B11/06 , H01L21/304
摘要： 本发明提供一种能够正确地监视研磨的进展、还能够检测正确的研磨终点的方法。本方法在基板的研磨中对基板照射光，受光来自基板的反射光，对各波长测量反射光的强度，由强度的测量值生成表示强度与波长之间的关系的波谱，计算出每规定时间的波谱的变化量，将波谱的变化量沿着研磨时间累积而计算出波谱累积变化量，基于波谱累积变化量监视基板的研磨的进展。
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公开(公告)号：CN104275642A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410330519.6
申请日：2014-07-11
申请人： 株式会社荏原制作所
IPC分类号： B24B37/04 , B24B49/12 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/013 , G01B11/0625 , G01B11/0683 , G01B11/0691
摘要： 一种研磨装置，具有：对处于静止状态的基板的膜厚进行测量的在线型膜厚测量器(80)；以及具有配置在研磨台(30A)内的膜厚传感器(40)的原位分光式膜厚监视器(39)。原位分光式膜厚监视器(39)，从研磨基板前由在线型膜厚测量器(80)取得的初期膜厚中，减去研磨基板前由原位分光式膜厚监视器(39)取得的初期膜厚，由此确定补正值，对研磨基板中取得的膜厚加上补正值，由此取得监视膜厚，基于监视膜厚而监视基板的研磨进度。采用本发明，研磨装置能实现高精度的精加工性能。
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公开(公告)号：CN101530983B
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN200910133188.6
申请日：2003-10-15
IPC分类号： B24B49/12 , B24B29/02 , H01L21/304
摘要： 一种抛光状态监测装置，包括：光源；发光单元，设置在具有抛光表面的抛光台中，用于将光从光源施加到工件之被抛光的表面；光接收单元，设置在抛光台中，用于接收来自工件表面的反射光；分光镜单元，用于将由光接收单元接收的反射光分开成多条光线；多个光接收元件，用于检测由分光镜单元分开的多条光线和累积检测的多条光线；光谱数据产生器，用于读取由光接收元件累积的信息，以及产生反射光的光谱数据；控制单元，用于控制光接收元件，以在抛光台旋转时执行采样处理；以及处理器，用于根据包括乘法的计算来计算工件表面的预定特征值。
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公开(公告)号：CN1972780A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200580020375.3
申请日：2005-06-20
申请人： 株式会社荏原制作所
CPC分类号： B24B37/005 , B24B49/10
摘要： 一种抛光设备，其具有抛光台(18)和顶圈(20)，所述抛光台具有抛光表面(40)，所述顶圈用于在独立地控制施加于衬底上的多个区域(C1－C4)上的压紧力的同时将衬底压靠在抛光表面(40)上。该抛光设备具有传感器(52)、监测单元(53)和控制器(54)，所述传感器(52)用于监测衬底上的多个测量点的衬底状况，所述监测单元(53)用于对来自传感器(52)的信号执行预定的运算处理，以产生监测信号，所述控制器(54)用于将测量点的监测信号与参考信号进行比较，并且控制顶圈(20)的压紧力，从而使得测量点的监测信号趋同于参考信号。
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公开(公告)号：CN1791491A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200480013882.X
申请日：2004-05-19
IPC分类号： B24B49/12 , B24B37/04 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/12 , B24B37/013 , B24B49/12 , H01L21/30625
摘要： 一种基片抛光设备(10)抛光基片到平面镜面光洁度。基片抛光设备(10)具有基片(20)被压靠到其上的抛光台(12)、从抛光台(12)发射测量光到基片(20)并接收从基片(20)的反射光用于测量基片(20)上的薄膜的光发射和光接收装置(24)、用于供给测量光和反射光通过的测量流体到设置在所述抛光台的光发射和光接收位置的流体腔(68)的流体供给通道(42)、和用于控制到流体腔(68)的测量流体的供给的流体供给控制装置(56，58)。
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公开(公告)号：CN108818295B
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201810707673.9
申请日：2014-07-11
申请人： 株式会社荏原制作所
IPC分类号： B24B37/04 , B24B49/12 , H01L21/304
摘要： 一种研磨装置，具有：对处于静止状态的基板的膜厚进行测量的在线型膜厚测量器(80)；以及具有配置在研磨台(30A)内的膜厚传感器(40)的原位分光式膜厚监视器(39)。原位分光式膜厚监视器(39)，从研磨基板前由在线型膜厚测量器(80)取得的初期膜厚中，减去研磨基板前由原位分光式膜厚监视器(39)取得的初期膜厚，由此确定补正值，对研磨基板中取得的膜厚加上补正值，由此取得监视膜厚，基于监视膜厚而监视基板的研磨进度。采用本发明，研磨装置能实现高精度的精加工性能。
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公开(公告)号：CN106863108B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201611023375.5
申请日：2016-11-21
申请人： 株式会社荏原制作所
摘要： 本发明提供一种尽管测定位置不同也能够获得稳定的膜厚的研磨方法。在本发明的方法中，使支承研磨垫(2)的研磨台(3)旋转，将晶片(W)的表面按压于研磨垫(2)，在研磨台(3)最近的规定次数旋转的期间内取得来自设置于研磨台(3)的膜厚传感器(7)的多个膜厚信号，根据多个膜厚信号决定多个测定膜厚，基于多个测定膜厚决定在晶片(W)的表面形成的凸部的最顶部的推定膜厚，基于凸部的最顶部的推定膜厚对晶片(W)的研磨进行监视。
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公开(公告)号：CN102490112A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110416880.7
申请日：2007-10-05
IPC分类号： B24B37/10 , B24B37/013 , H01L21/304
CPC分类号： B24B49/04 , B24B37/013 , B24B49/12 , B24B49/16 , B24D7/12 , G01B11/0675 , G01N21/55 , G01N21/9501 , G05B19/406 , G05B19/4065 , H01L22/26 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及计算基板等加工对象物的被加工面的特性值，并检测加工终点(研磨停止、研磨条件的变更等)的定时的方法。该方法通过使用基准被加工物、或模拟计算，生成表示加工终点上的反射强度与波长的关系的分光波形；基于上述分光波形，选择反射强度成为极大值及极小值的波长；根据上述选择的波长上的反射强度，计算对于被加工面的特性值；将加工终点上的特性值的时间变化的特征点设定为加工终点；在加工对象物的加工中检测上述特征点从而检测被加工物的加工终点。
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公开(公告)号：CN1791491B
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200480013882.X
申请日：2004-05-19
IPC分类号： B24B49/12 , B24B37/04 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/12 , B24B37/013 , B24B49/12 , H01L21/30625
摘要： 一种基片抛光设备(10)抛光基片到平面镜面光洁度。基片抛光设备(10)具有基片(20)被压靠到其上的抛光台(12)、从抛光台(12)发射测量光到基片(20)并接收从基片(20)的反射光用于测量基片(20)上的薄膜的光发射和光接收装置(24)、用于供给测量光和反射光通过的测量流体到设置在所述抛光台的光发射和光接收位置的流体腔(68)的流体供给通道(42)、和用于控制到流体腔(68)的测量流体的供给的流体供给控制装置(56，58)。
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公开(公告)号：CN100542747C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200480025849.9
申请日：2004-06-16
申请人： 株式会社荏原制作所
CPC分类号： B24B37/013 , B24B49/12
摘要： 提供一种能很容易掌握抛光进度的抛光状态监测设备。该抛光状态监测设备通过在扫描物体(12)的待抛光表面时在相隔预定间隔的每个采样点上获得表示该表面的状态的特征值来监测该表面的抛光进度。该设备包括能发射用于照射所述表面的光的发光装置(21)；以及用于接收从所述表面反射的光以产生特征值的计算单元(26)。然后，该设备获取从每次扫描期间的相同采样时刻上的采样点获得的特征值。这使得可以根据到所述表面中心的距离来监测抛光的进度。
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