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公开(公告)号：CN1791491A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200480013882.X
申请日：2004-05-19
IPC分类号： B24B49/12 , B24B37/04 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/12 , B24B37/013 , B24B49/12 , H01L21/30625
摘要： 一种基片抛光设备(10)抛光基片到平面镜面光洁度。基片抛光设备(10)具有基片(20)被压靠到其上的抛光台(12)、从抛光台(12)发射测量光到基片(20)并接收从基片(20)的反射光用于测量基片(20)上的薄膜的光发射和光接收装置(24)、用于供给测量光和反射光通过的测量流体到设置在所述抛光台的光发射和光接收位置的流体腔(68)的流体供给通道(42)、和用于控制到流体腔(68)的测量流体的供给的流体供给控制装置(56，58)。
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公开(公告)号：CN1791491B
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200480013882.X
申请日：2004-05-19
IPC分类号： B24B49/12 , B24B37/04 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/12 , B24B37/013 , B24B49/12 , H01L21/30625
摘要： 一种基片抛光设备(10)抛光基片到平面镜面光洁度。基片抛光设备(10)具有基片(20)被压靠到其上的抛光台(12)、从抛光台(12)发射测量光到基片(20)并接收从基片(20)的反射光用于测量基片(20)上的薄膜的光发射和光接收装置(24)、用于供给测量光和反射光通过的测量流体到设置在所述抛光台的光发射和光接收位置的流体腔(68)的流体供给通道(42)、和用于控制到流体腔(68)的测量流体的供给的流体供给控制装置(56，58)。
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公开(公告)号：CN101128285B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200580048700.7
申请日：2005-08-30
申请人： 株式会社荏原制作所
IPC分类号： B24B37/04 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/005
摘要： 本发明提供了一种即使存在滚降也能高产出率地抛光晶片的抛光设备。该抛光设备通过在抛光部件(抛光垫)(201)与由夹持部件(顶圈)夹持的晶片之间施加压力、且使所述抛光部件相对晶片(W)移动而抛光晶片。抛光设备包括用于夹持晶片(W)的顶圈(52)、用于调节晶片(W)通过保持环(203)支撑在支撑表面上的支撑压力的压力调节机构、和基于晶片(W)的滚降量控制所述压力调节机构(206)而使所述支撑压力为期望压力的控制单元(208)。
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公开(公告)号：CN1791490B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200480013400.0
申请日：2004-05-13
申请人： 株式会社荏原制作所
IPC分类号： B24B49/12 , B24B37/00 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/205 , B24B37/013 , B24B49/12 , H01L21/30625
摘要： 一种衬底抛光设备，其将诸如半导体晶片的衬底表面抛光至平坦镜面光洁度。根据本发明的衬底抛光设备包括：可旋转工作台(12)，其具有用于抛光半导体衬底(18)的抛光垫；光发射和接收装置(80，82)，其用于发射测量光，以使之穿过设置在抛光垫(16)上的通孔到达半导体衬底(18)，并且接收来自半导体衬底(18)的反射光，以便测量该半导体衬底(18)上的薄膜；以及供给通道(44)，其用于向测量光的通道供应流体。该供给通道(44)具有设置在通孔(84)中的出口部分。
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公开(公告)号：CN100346008C
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN02827689.2
申请日：2002-11-29
申请人： 株式会社荏原制作所
IPC分类号： C25F3/00 , B23H3/10 , H01L21/3063 , B01J49/00
摘要： 一种用于再生离子交换剂的方法与设备，该方法与设备能够方便、快速地再生一种离子交换剂，并能够使清洗该已再生的离子交换剂以及处理废液时的负荷最小。一种用于再生被污染的离子交换剂的方法包括：提供由一个再生电极与一个反电极构成的一对电极、放置在这些电极之间的一个隔板以及放置在该反电极与该隔板之间的一个要被再生的电极；以及将电压加到该再生电极与该反电极之间，与此同时，将液体供应到该隔板与该再生电极之间，而且也将液体供应到该隔板与该反电极之间。
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公开(公告)号：CN100405555C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200480020146.7
申请日：2004-07-14
申请人： 株式会社荏原制作所
IPC分类号： H01L21/3063 , H01L21/304 , C25F3/16
摘要： 本发明提供一种电解处理装置和电解处理方法，能够有效地避免形成会对影响处理产品的质量的凹坑。该电解处理装置包括：用于处理工件的处理电极(210)；用于给工件供电的供电电极(212)；用于向处理电极(210)和供电电极(212)之间施加电压的电源(232)；在其中容纳处理电极(210)和供电电极(212)的压力密闭容器(200)；和用于将高压液体供应到压力密闭容器(210)内的高压液体供应系统(204)。
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公开(公告)号：CN101128285A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200580048700.7
申请日：2005-08-30
申请人： 株式会社荏原制作所
IPC分类号： B24B37/04 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/005
摘要： 本发明提供了一种即使存在滚降也能高产出率地抛光晶片的抛光设备。该抛光设备通过在抛光部件(抛光垫)(201)与由夹持部件(顶圈)夹持的晶片之间施加压力、且使所述抛光部件相对晶片(W)移动而抛光晶片。抛光设备包括用于夹持晶片(W)的顶圈(52)、用于调节晶片(W)通过保持环(203)支撑在支撑表面上的支撑压力的压力调节机构、和基于晶片(W)的滚降量控制所述压力调节机构(206)而使所述支撑压力为期望压力的控制单元(208)。
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公开(公告)号：CN1791490A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200480013400.0
申请日：2004-05-13
申请人： 株式会社荏原制作所
IPC分类号： B24B49/12 , B24B37/00 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/205 , B24B37/013 , B24B49/12 , H01L21/30625
摘要： 一种衬底抛光设备，其将诸如半导体晶片的衬底表面抛光至平坦镜面光洁度。根据本发明的衬底抛光设备包括：可旋转工作台(12)，其具有用于抛光半导体衬底(18)的抛光垫；光发射和接收装置(80，82)，其用于发射测量光，以使之穿过设置在抛光垫(16)上的通孔到达半导体衬底(18)，并且接收来自半导体衬底(18)的反射光，以便测量该半导体衬底(18)上的薄膜；以及供给通道(44)，其用于向测量光的通道供应流体。该供给通道(44)具有设置在通孔(84)中的出口部分。
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公开(公告)号：CN112440204A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010869743.8
申请日：2020-08-26
申请人： 株式会社荏原制作所
IPC分类号： B24B37/27
摘要： 本发明提供弹性膜及基板保持装置，弹性膜能够抑制弹性膜在周向上的变形情况的偏差并能够容易地安装于基板保持装置的头主体。本发明涉及的弹性膜(10)用于基板保持装置(1)。此弹性膜(10)具备与基板(W)抵接而将该基板(W)向研磨垫(19)按压的抵接部(11)，和从该抵接部(11)的周端部延伸的边缘周壁(33)。边缘周壁(33)具有边缘周壁唇部(33b)，该边缘周壁唇部夹在基板保持装置(1)的头主体(2)与用来将该边缘周壁(33)固定于头主体(2)的边缘安装部件(47)之间。此边缘周壁唇部(33b)的表面的至少一部分被粗糙化。
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公开(公告)号：CN1823403A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200480020146.7
申请日：2004-07-14
申请人： 株式会社荏原制作所
IPC分类号： H01L21/3063 , H01L21/304 , C25F3/16
摘要： 本发明提供一种电解处理装置和电解处理方法，能够有效地避免形成会对影响处理产品的质量的凹坑。该电解处理装置包括：用于处理工件的处理电极(210)；用于给工件供电的供电电极(212)；用于向处理电极(210)和供电电极(212)之间施加电压的电源(232)；在其中容纳处理电极(210)和供电电极(212)的压力密闭容器(200)；和用于将高压液体供应到压力密闭容器(210)内的高压液体供应系统(204)。
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