-
公开(公告)号：CN118156224A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202311609493.4
申请日：2023-11-28
申请人： 株式会社迪思科
摘要： 本发明提供加工装置，其即使对晶片的背面进行磨削也不会形成刀刃状部分，能够解决导致作业者受伤或裂纹发展至晶片的内部而使器件损伤的问题。加工装置包含：卡盘工作台，其对贴合晶片进行保持；磨削单元，其对卡盘工作台所保持的贴合晶片进行磨削；清洗单元，其对贴合晶片进行清洗；和处理单元，在磨削贴合晶片之前由该处理单元实施用于去除形成于贴合晶片的外周的倒角部的处理。处理单元包含：使贴合晶片的一个面露出而进行支承的支承部；和照射激光光线的激光光线照射单元，激光光线照射单元从支承部所支承的晶片的一个面将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于外周剩余区域的内部而进行照射，形成用于去除倒角部的改质层。
-
-
公开(公告)号：CN115971643A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211225783.4
申请日：2022-10-09
申请人： 株式会社迪思科
发明人： 伊贺勇人
IPC分类号： B23K26/06 , B23K26/064 , B23K26/38 , B23K26/402 , B23K26/70 , H01L21/02
摘要： 本发明提供单晶硅基板的制造方法，该方法的生产率高。在利用透过单晶硅的波长的激光束在由单晶硅构成的被加工物(锭、裸晶片或器件晶片等)的内部形成了剥离层之后，以该剥离层为起点而从被加工物分离基板。由此，与使用线切割机从被加工物制造基板的情况相比，能够提高单晶硅基板的生产率。
-
-
公开(公告)号：CN117133625A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310585170.X
申请日：2023-05-23
申请人： 株式会社迪思科
发明人： 伊贺勇人
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/268 , B23K26/352
摘要： 本发明提供单晶硅基板的制造方法，提高利用激光束从锭等被加工物制造基板时的基板的生产率。在实施了用于在多个第一区域形成改质部的第一加工步骤之后，实施用于在多个第二区域形成改质部和裂纹的第二加工步骤。这里，通过第二加工步骤而形成的裂纹容易朝向通过第一加工步骤而形成的改质部伸展。由此，能够任意地设定第二加工步骤中裂纹容易伸展的方向。在该情况下，容易将形成于被加工物的内部的剥离层薄化。并且，若剥离层变薄，则从被加工物切出基板时和进行基板的平坦化时废弃的被加工物的材料量减少。其结果是，能够提高利用激光束从被加工物制造基板时的基板的生产率。
-
-
公开(公告)号：CN107958847A
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201710939785.2
申请日：2017-10-11
申请人： 株式会社迪思科
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 提供检查用晶片和检查用晶片的使用方法，既能够抑制在激光加工时漏光对器件的影响，又能够找出能够对晶片进行良好地分割的加工条件。在通过激光加工在晶片(W)的内部形成改质层(M)的激光加工装置(1)中，代替晶片而使用该检查用晶片(WA)，其用于对激光加工时的漏光进行检查，其中，该检查用晶片(WA)具有：检查用基板(41)；基底层(42)，其按照规定的厚度形成在检查用基板的整个正面上；以及金属箔(43)，其层叠在基底层上，基底层的厚度形成为漏光对晶片的器件和检查用晶片的金属箔的影响一致。
-
公开(公告)号：CN117995662A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311417934.0
申请日：2023-10-30
申请人： 株式会社迪思科
摘要： 本发明提供贴合晶片的加工方法，解决贴合两张晶片而得的层叠晶片的一方的晶片的倒角部的去除耗费时间因而生产率差的问题，并且能够解决对另一方的晶片造成损伤的问题。利用接合层将第一晶片与第二晶片贴合而形成的贴合晶片的加工方法包含如下的工序：坐标生成工序，按照从形成于第一晶片的内部的改质层延伸的裂纹的前端位置位于接合层的外周的方式生成照射激光光线的第一晶片的背面位置的坐标；以及改质层形成工序，对通过该坐标生成工序而生成的坐标照射对于第一晶片具有透过性的波长的激光光线，呈环状形成多个改质层。
-
公开(公告)号：CN117894673A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311304832.8
申请日：2023-10-10
申请人： 株式会社迪思科
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/304 , H01L21/18 , B23K26/53 , B24B7/22 , B24B41/06
摘要： 本发明提供晶片的加工方法，在贴合晶片的磨削工序中，能够抑制器件的破损并且将外周剩余区域去除。晶片的加工方法包含如下的步骤：贴合晶片形成步骤，将在一个面上具有器件区域和外周剩余区域且外周缘进行了倒角的第一晶片的一个面与第二晶片贴合，形成贴合晶片；改质层形成步骤，将对于第一晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于器件区域与外周剩余区域的边界而从另一个面进行照射，沿着边界而形成环状的改质层；磨削步骤，在实施了改质层形成步骤之后，将第一晶片从另一个面进行磨削而薄化至完工厚度；以及外力赋予步骤，对于比形成有改质层的区域靠外周缘侧的外周剩余区域赋予外力，由此促进外周剩余区域的脱离。
-
公开(公告)号：CN117711927A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311155826.0
申请日：2023-09-07
申请人： 株式会社迪思科
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/02 , H01L21/67
摘要： 本发明提供贴合晶片的加工方法和加工装置，能够解决倒角部的去除耗费时间因而生产率差的问题，并且能够解决对另一方的晶片造成损伤的问题。贴合晶片的加工方法包含如下的工序：改质层形成工序，将对于第一晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点从第一晶片的背面定位于能够去除倒角部的内部而进行照射，呈环状形成多个改质层；以及磨削工序，将第二晶片侧保持于卡盘工作台，对第一晶片的背面进行磨削而薄化。在改质层形成工序中，按照从晶片的内侧朝向外侧逐渐接近接合层的方式设定激光光线的聚光点，由此呈下行台阶状而形成多个环状的改质层。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
24 条记录 (耗时 0.025 秒)