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公开(公告)号：CN102130021A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201110000519.6
申请日：2011-01-04
申请人： 株洲南车时代电气股份有限公司 , 中国电力科学研究院
CPC分类号： H01L24/01 , H01L2924/1301 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/351 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种碳化硅功率模块的封装方法，包括以下步骤：在钼板上焊接一层氮化铝隔离层，将碳化硅芯片放置到氮化铝隔离层的空格中，与钼板焊接；在碳化硅芯片上焊接钼块，钼块上预留门极引线槽；将引线放置在门极引线槽内，在引线上设置一压环，压环内放置弹簧，弹簧压接引线，收集引线并引出；用环氧树脂将钼板、氮化硅隔离层及碳化硅芯片整体浇筑成型，安装底座、管壳和管盖，进行封装。本发明还公开一种碳化硅功率模块。本发明可使碳化硅功率模块在大功率、高温工作条件下具有较高的可靠性，较强的热循环能力。
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公开(公告)号：CN102130021B
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201110000519.6
申请日：2011-01-04
申请人： 株洲南车时代电气股份有限公司 , 中国电力科学研究院
CPC分类号： H01L24/01 , H01L2924/1301 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/351 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种碳化硅功率模块的封装方法，包括以下步骤：在钼板上焊接一层氮化铝隔离层，将碳化硅芯片放置到氮化铝隔离层的空格中，与钼板焊接；在碳化硅芯片上焊接钼块，钼块上预留门极引线槽；将引线放置在门极引线槽内，在引线上设置一压环，压环内放置弹簧，弹簧压接引线，收集引线并引出；用环氧树脂将钼板、氮化硅隔离层及碳化硅芯片整体浇筑成型，安装底座、管壳和管盖，进行封装。本发明还公开一种碳化硅功率模块。本发明可使碳化硅功率模块在大功率、高温工作条件下具有较高的可靠性，较强的热循环能力。
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公开(公告)号：CN105047653B
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201510405002.3
申请日：2015-07-10
申请人： 株洲南车时代电气股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种IGBT子模组单元及其封装模块，属于半导体器件封装技术领域，解决现有压接型IGBT封装结构中辅助发射极回路的杂散参数不一致的技术问题。该IGBT子模组单元包括：IGBT芯片；发射极钼片，其一面与所述IGBT芯片的发射极的部分相接触；集电极钼片，其一面与所述IGBT芯片的集电极接触；第一导电件，其一端与所述IGBT芯片的发射极接触；安装底座，其上设置有用于容纳所述发射极钼片的第一孔洞和用于使所述第一导电件从中穿过的第二孔洞，所述安装底座的第一孔洞的边缘上还设置有卡接部件。
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公开(公告)号：CN104465536B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201410614116.4
申请日：2014-11-04
申请人： 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC分类号： H01L23/15
摘要： 本发明公开了一种陶瓷衬板，包括陶瓷层和分设在陶瓷层的上下表面的金属层，其中至少在陶瓷层的上下表面的其中一个表面上设有用于分散电场集中的分散电场结构。所述分散电场结构设在陶瓷层未被金属层覆盖的两外侧，两外侧的分散电场结构呈轴对称布置。该陶瓷衬板能更好地分散电场集中从而使得绝缘性能更好。
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公开(公告)号：CN104134648B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201410335689.3
申请日：2014-07-15
申请人： 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC分类号： H01L23/58
CPC分类号： H01L2224/33 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
摘要： 本发明的功率半导体器件包括第一电极、第二电极、设置在第一电极和第二电极之间的芯片，以及设置在第一电极和第二电极之间的旁路导通单元。旁路导通单元包括导电件和固定件。其中，固定件构造成在芯片正常工作时能阻止导电件与第一电极和第二电极导通，而在芯片失效后受热膨胀以解除对导电件的阻止，使得第一电极通过导电件与第二电极导通。由于在芯片失效后，第一电极和第二电极可以通过旁路导通单元导通，因此，在芯片失效后，该功率半导体器件仍能正常工作。
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公开(公告)号：CN103745942B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201310749790.9
申请日：2013-12-31
申请人： 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明公开了一种判断功率半导体模块基板拱度的装置及其方法，装置包括测量模块，对功率半导体模块基板的表面进行取点操作，在其表面测取三个以上的测量点，并将其空间位置数据传送至处理模块；处理模块，根据测量点的空间位置数据，经过计算处理得到基准面空间位置数据，进而得到并输出功率半导体模块基板表面与基准面空间位置数据的差值数据至显示模块，输出平面度数据，计算基板的最高点位置数据，并判断数据是否合格；显示模块，接收处理模块传送的差值数据并生成图形，判断图形是否合格，结合处理模块的数据判断结果输出最终结果。本发明能满足对功率半导体模块基板轮廓进行判断的需求，快速简单地对基板的平面度，以及凹面和凸面进行判断。
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公开(公告)号：CN103390642B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201310331846.9
申请日：2013-08-01
申请人： 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/08 , H01L21/331 , H01L21/50
摘要： 本发明公开了一种IGBT器件及整晶圆IGBT芯片的封装方法，所述IGBT器件包括：整晶圆IGBT芯片，其上表面包括：中心栅极连接区以及包围所述中心栅极连接区的多个发射极连接区，其下表面包括：集电区，其中，位于所述芯片失效元胞区表面的发射极连接区经过减薄处理；固定在所述芯片下表面的集电极垫片以及固定在所述芯片上表面的发射极垫片；与所述集电极垫片电接触的集电极电极以及与所述发射极垫片电接触的发射极电极；与所述中心栅极连接区连接的栅极引出线，所述栅极引出线与所述发射极垫片以及发射极电极绝缘。所述IGBT器件避免了整晶圆芯片中失效元胞区对IGBT器件性能的不良影响。
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公开(公告)号：CN104949814A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201410113149.0
申请日：2014-03-25
申请人： 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC分类号： G01M7/08
摘要： 本发明公开了一种用于功率半导体模块机械冲击试验的工装及试验方法，该工装包括方形的底板和四块侧板，所述四块侧板与底板垂直并分别位于底板的一条侧边上，所述底板上设有用来固定试验样品的样品安装孔，所述四块侧板中两两平行形成一组，其中一组的侧板上设有用来在试验台安装台面X轴方向安装的第一固定安装孔，另外一组的侧板上设有用来在试验台安装台面Y轴方向安装的第二固定安装孔，所述底板上设有用来在试验台安装台面Z轴方向安装的第三固定安装孔。该方法是基于上述工装的试验方法。本发明具有结构原理简单、操作更加简便、试验数据更加精确可靠、能够有效防止试验样品损坏等优点。
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公开(公告)号：CN103579143A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310536700.8
申请日：2013-11-04
申请人： 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC分类号： H01L23/473
CPC分类号： H01L24/01 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了一种基于内冷却散热的平板型功率器件封装结构，它包括芯片、钼片、门极和外壳组件，所述外壳组件包括外壳和电极铜块，所述电极铜块的周侧设置用来导热绝缘的散热体组件，所述散热体组件呈包裹状围绕在电极铜块的周侧。本发明具有结构简单紧凑、成本低廉、制作方便、散热效果好、散热速度快、安全可靠性好等优点。
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公开(公告)号：CN103579071A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310537229.4
申请日：2013-11-04
申请人： 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC分类号： H01L21/687
CPC分类号： H01L21/6835 , H01L2221/68372
摘要： 本发明公开了一种用来取放IGBT衬板的装置，包括左夹臂和右夹臂，所述左夹臂和右夹臂的中部铰接在一起，所述左夹臂和右夹臂的底部呈相对状并形成衬板夹持部，所述衬板夹持部与IGBT衬板的边缘处形成配合。本发明具有结构简单紧凑、成本低廉、操作方便、通用性好等优点。
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