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公开(公告)号:CN106057638B
公开(公告)日:2018-12-07
申请号:CN201610210616.0
申请日:2016-04-06
申请人: 格罗方德半导体公司
摘要: 所揭露的是一种用于制造具有更低缺陷密度的异质磊晶生长晶格不匹配半导体层的结构及方法。使用第一ART沉积程序,在下沟槽中晶格不匹配结晶基板的上表面上磊晶生长第一半导体层。接着,沿着水平平面将该结构转动90°,并且使用第二ART沉积程序,在上沟槽中第一半导体层的上表面上磊晶生长第二半导体层。如此,使得第二半导体层的上部分实质没有磊晶缺陷。
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公开(公告)号:CN107068752A
公开(公告)日:2017-08-18
申请号:CN201610818441.1
申请日:2016-09-12
申请人: 格罗方德半导体公司
IPC分类号: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
摘要: 本发明的态样提供不对称半导体装置及其形成方法。该不对称半导体装置可包括:衬底;以及设于该衬底上的鳍式场效应晶体管(FINFET),该FINFET包括:邻近栅极设置的一组鳍片;设于该组鳍片的源极区上的第一外延区,该第一外延区具有第一高度;以及设于该组鳍片的漏极区上的第二外延区,该第二外延区具有第二高度,其中,该第一高度不同于该第二高度。
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公开(公告)号:CN106057638A
公开(公告)日:2016-10-26
申请号:CN201610210616.0
申请日:2016-04-06
申请人: 格罗方德半导体公司
CPC分类号: H01L29/32 , H01L21/02639 , H01L29/0649 , H01L29/1054 , H01L29/165 , H01L29/205 , H01L29/66795 , H01L21/0242 , H01L21/02428 , H01L21/02609 , H01L29/045 , H01L29/0684
摘要: 所揭露的是一种用于制造具有更低缺陷密度的异质磊晶生长晶格不匹配半导体层的结构及方法。使用第一ART沉积程序,在下沟槽中晶格不匹配结晶基板的上表面上磊晶生长第一半导体层。接着,沿着水平平面将该结构转动90°,并且使用第二ART沉积程序,在上沟槽中第一半导体层的上表面上磊晶生长第二半导体层。如此,使得第二半导体层的上部分实质没有磊晶缺陷。
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公开(公告)号:CN107068752B
公开(公告)日:2021-02-02
申请号:CN201610818441.1
申请日:2016-09-12
申请人: 格罗方德半导体公司
IPC分类号: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
摘要: 本发明的态样提供不对称半导体装置及其形成方法。该不对称半导体装置可包括:衬底;以及设于该衬底上的鳍式场效应晶体管(FINFET),该FINFET包括:邻近栅极设置的一组鳍片;设于该组鳍片的源极区上的第一外延区,该第一外延区具有第一高度;以及设于该组鳍片的漏极区上的第二外延区,该第二外延区具有第二高度,其中,该第一高度不同于该第二高度。
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