公开(公告)号：CN102754160A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201080056156.1

申请日：2010-12-13

申请人： 桑迪士克3D公司

发明人： 戈皮纳特·巴拉科瑞斯南 ,  杰弗里·库恩·伊·李 ,  张宇恒 ,  刘滋易 ,  卢卡·法索利

IPC分类号： G11C5/02 ,  G11C17/16 ,  G11C13/02 ,  G11C13/00

CPC分类号： G11C5/025 ,  B82Y10/00 ,  G11C5/02 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/025 ,  G11C17/16 ,  G11C2213/19 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/33 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/71

摘要： 非易失性存储装置包括：衬底，在衬底的一部分上方的非易失性存储元件的单片式三维存储器阵列，与非易失性存储元件通信的多个感测放大器，与感测放大器通信的多个临时存储装置，与临时存储装置通信的页寄存器及一个或多个控制电路。一个或多个控制电路与页寄存器、临时存储装置和感测放大器通信。感测放大器在衬底上、单片式三维存储器阵列下方。临时存储装置在衬底上、单片式三维存储器阵列下方。页寄存器在衬底上、在未处于单片式三维存储器阵列下方的区域中。响应于一个或多个控制电路，感测放大器从非易失性存储元件读出的数据被传送至临时存储装置，随后传送至页寄存器。响应于一个或多个控制电路，待编程到非易失性存储元件中的数据从页寄存器传送至临时存储装置。

公开(公告)号：CN102754160B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201080056156.1

申请日：2010-12-13

申请人： 桑迪士克3D公司

发明人： 戈皮纳特·巴拉科瑞斯南 ,  杰弗里·库恩·伊·李 ,  张宇恒 ,  刘滋易 ,  卢卡·法索利

IPC分类号： G11C5/02 ,  G11C17/16 ,  G11C13/02 ,  G11C13/00

CPC分类号： G11C5/025 ,  B82Y10/00 ,  G11C5/02 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/025 ,  G11C17/16 ,  G11C2213/19 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/33 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/71

摘要： 非易失性存储装置包括：衬底，在衬底的一部分上方的非易失性存储元件的单片式三维存储器阵列，与非易失性存储元件通信的多个感测放大器，与感测放大器通信的多个临时存储装置，与临时存储装置通信的页寄存器及一个或多个控制电路。一个或多个控制电路与页寄存器、临时存储装置和感测放大器通信。感测放大器在衬底上、单片式三维存储器阵列下方。临时存储装置在衬底上、单片式三维存储器阵列下方。页寄存器在衬底上、在未处于单片式三维存储器阵列下方的区域中。响应于一个或多个控制电路，感测放大器从非易失性存储元件读出的数据被传送至临时存储装置，随后传送至页寄存器。响应于一个或多个控制电路，待编程到非易失性存储元件中的数据从页寄存器传送至临时存储装置。