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公开(公告)号：CN114245684B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202111598287.9
申请日：2021-12-24
申请人： 武汉大学
IPC分类号： H05K7/20
摘要： 本申请涉及一种散热装置、散热系统，涉及散热装置技术领域，包括受热盘，该受热盘两侧分别设有第一受热腔体和第二受热腔体，第一受热腔体和第二受热腔体均利用冷却液对受热盘进行冷却；所述第一受热腔体内设有多个开口朝向所述受热盘的微喷喷嘴，用于向受热盘喷洒所述冷却液；所述第二受热腔体内设有多个与所述受热盘接触的换热管道，用于流通所述冷却液。本申请的两个受热腔体分别采用不同的散热结构，能够有效提高散热装置的适用范围和散热效果。
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公开(公告)号：CN114367730B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202111542762.0
申请日：2021-12-16
申请人： 武汉大学
IPC分类号： B23K20/02
摘要： 本发明公开了一种基于金刚石间接拉伸结构的金刚石/块铜衬底扩散键合工艺及结构。该结构主要包括长方体块铜衬底，用于固定金刚石薄膜的立体的、阵列式排列的几何图形，“十字架”形状的金刚石薄膜。扩散键合的工艺包括对块铜衬底进行机械抛光处理，等离子体清洗，表面溅射合金焊料，在真空环境下，对金刚石薄膜与块铜衬底施加温度和压力，实现二者的扩散键合，通过位移/力/热/电等方式使块铜衬底张开带动金刚石薄膜拉伸，间接使其产生应变。本发明可以实现合金焊料层的厚度均匀，可控，提高扩散键合的剪切强度和键合面积，提高扩散键合的可靠性，通过调整几何图形结构适应待拉伸薄膜，在实现金刚石薄膜高效间接拉伸的同时提高了其通用性。
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公开(公告)号：CN114200228A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111440778.0
申请日：2021-11-30
申请人： 武汉大学
IPC分类号： G01R31/00 , H01L23/544
摘要： 本发明公开了一种芯片制造BEOL互连层界面可靠性测试简化结构和工艺。该简化结构包括基板、铜凸点、BEOL金属互连层、芯片、预制裂纹和纳米探针。该测试工艺主要是对服役温度测试下的简化结构，将加载方式简化为纳米探针剪切铜凸点，以达到测试简化结构的互连强度。本发明解决了现有技术中难以测试纳米级别互连结构中的凸点和BEOL金属互连层界面之间的强度，无法建立寿命失效准则、寿命预测和可靠性问题；能够有效地提高对微电子产品进行可靠性测试的效率，简化工作流程。
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公开(公告)号：CN112578082B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202011443627.6
申请日：2020-12-08
申请人： 武汉大学
IPC分类号： G01N33/00 , G01N3/08 , G01N25/16 , G01N25/18 , G01N27/00 , G01N9/36 , G06F30/3308 , G06F30/23
摘要： 本发明提供一种基于多各向同性材料各项异性同一化的处理方法，具体是在复杂结构的多嵌入区域内合理选择一个等效体积元，该体积元内各材料均为各项同性材料，等效体积元作为一种新结构，通过实验或者仿真的方式重新获取该结构在各个方向上的具体参数，具体可概括为对这个体积元施加力/热等载荷，采集等效体积元(RVE)的位移/热/力的结果数据，通过公式计算得到等效体积元各项异性的材料属性。本发明解决了等效体积法忽视了整个模块在不同方向上各向异性而导致实验值偏差较大以及无法对微电子产品中多层嵌套封装结构/材料简化处理的问题，大大提高了实验值的准确度，能够有效地提高对微电子产品进行可靠性测试的效率，简化工作流程。
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公开(公告)号：CN118719686A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410721569.0
申请日：2024-06-05
申请人： 武汉大学
摘要： 本发明提出了一种基于微纳气泡瞬态空化和稳态空化的晶圆清洗装置及方法，包括：清洗槽；微纳气泡发生装置器包括微纳气泡发生装置、微纳气泡发生装置出气管、微纳气泡发生装置进液管，微纳气泡发生装置用于产生微纳气泡，其主体设置在清洗槽下方，微纳气泡发生装置出气管连接微纳气泡发生装置和清洗槽，其设置在晶圆下面，微纳气泡发生装置进液管设置在清洗槽底部；超声波发射装置设置在清洗槽侧面用于发射超声波，对晶圆之间的微纳气泡进行超声激励，其微纳气泡产生稳态空化或瞬态空化，产生微射流对晶圆起到清洗作用；控制系统设置在清洗槽下面，控制整个清洗过程。本发明的清洗装置与方法显著提升了晶圆清洗过程的准确性与可靠性。
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公开(公告)号：CN114496744A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210087749.9
申请日：2022-01-25
申请人： 武汉大学
IPC分类号： H01L21/04 , H01L21/683 , G06F30/20
摘要： 本发明公开了金刚石薄膜转移装置及转移工艺和基于间接预拉伸产生金刚石薄膜应变的装置及产生方法。该转移装置包括施主装置和受主装置。基于间接预拉伸产生金刚石薄膜应变的装置为受主装置。所述金刚石薄膜转移装置中，转印图章通过光敏/热敏释放粘结膜吸附位于施主基板上的金刚石薄膜，并在转移后通过光/热释放待转移薄膜于受主基板上。所述的基于间接预拉伸产生金刚石薄膜应变的装置及产生方法中，通过位移/力/热/电等方式使受主基板张开带动金刚石薄膜拉伸，从而实现薄膜产生应变。本发明可实现快速批量转移待转移薄膜；同时可适应待转移薄膜之间不同的间距，提高薄膜转移基板的通用性，并填补了批量金刚石薄膜拉伸实现的空白。
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公开(公告)号：CN112578082A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011443627.6
申请日：2020-12-08
申请人： 武汉大学
IPC分类号： G01N33/00 , G01N3/08 , G01N25/16 , G01N25/18 , G01N27/00 , G01N9/36 , G06F30/3308 , G06F30/23
摘要： 本发明提供一种基于多各向同性材料各项异性同一化的处理方法，具体是在复杂结构的多嵌入区域内合理选择一个等效体积元，该体积元内各材料均为各项同性材料，等效体积元作为一种新结构，通过实验或者仿真的方式重新获取该结构在各个方向上的具体参数，具体可概括为对这个体积元施加力/热等载荷，采集等效体积元(RVE)的位移/热/力的结果数据，通过公式计算得到等效体积元各项异性的材料属性。本发明解决了等效体积法忽视了整个模块在不同方向上各向异性而导致实验值偏差较大以及无法对微电子产品中多层嵌套封装结构/材料简化处理的问题，大大提高了实验值的准确度，能够有效地提高对微电子产品进行可靠性测试的效率，简化工作流程。
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公开(公告)号：CN117286452B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311195590.3
申请日：2023-09-14
申请人： 武汉大学
摘要： 本发明提出了一种基于离子束溅射沉积及整形的薄膜制备装置及制备方法，该制备装置包括：真空腔室；第一工作台，用于装载工件，其设置于真空腔室上部，第一工作台的下表面与水平面平行；第二工作台，用于装载靶材，其位于第一工作台下方；脉冲离子源，其位于第二工作台水平方向一侧，用于发射离子束到靶材表面进行溅射沉积，或用于发射离子束对工件表面沉积的薄膜进行整形；驱动装置，设置于真空腔室中，用于改变脉冲离子源发射离子束的方向，以使离子束在靶材表面及工件表面切换。本发明公开的制备装置，仅用一个脉冲离子源即可实现工件表面薄膜溅射沉积及整形作业，其具有结构简单、易于制造、成本低的优点，适合于大规模生产和推广。
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公开(公告)号：CN117286452A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311195590.3
申请日：2023-09-14
申请人： 武汉大学
摘要： 本发明提出了一种基于离子束溅射沉积及整形的薄膜制备装置及制备方法，该制备装置包括：真空腔室；第一工作台，用于装载工件，其设置于真空腔室上部，第一工作台的下表面与水平面平行；第二工作台，用于装载靶材，其位于第一工作台下方；脉冲离子源，其位于第二工作台水平方向一侧，用于发射离子束到靶材表面进行溅射沉积，或用于发射离子束对工件表面沉积的薄膜进行整形；驱动装置，设置于真空腔室中，用于改变脉冲离子源发射离子束的方向，以使离子束在靶材表面及工件表面切换。本发明公开的制备装置，仅用一个脉冲离子源即可实现工件表面薄膜溅射沉积及整形作业，其具有结构简单、易于制造、成本低的优点，适合于大规模生产和推广。
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公开(公告)号：CN115026315B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202210230177.5
申请日：2022-03-10
申请人： 武汉大学
摘要： 本发明涉及一种基于超速激光成像的熔覆增减材加工在线检测装置，是由装置控制系统、熔覆增材制造机器人、平移工作台、超速激光成像系统、旋转工作台、三维成像扫描仪和增材制造基体组成的；本发明可以实现熔覆激光增材制造过程中对加工表面进行的实时在线检测，与其他现有增材制造在线检测相比，采用超快激光成像系统进行实时在线检测，帧数率可以高达Gfps，空间分辨率可达780nm，可实现实时连续成像，具有更高的接受灵敏度和对光束未对准的更高鲁棒性，提供了更好的灵敏度和成像质量，可以实现增材制造后结构模型的三维模型重构，可以实现对结构原设计模型的对比，形成准确的加工对比数据。
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