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公开(公告)号：CN114200228A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111440778.0
申请日：2021-11-30
申请人： 武汉大学
IPC分类号： G01R31/00 , H01L23/544
摘要： 本发明公开了一种芯片制造BEOL互连层界面可靠性测试简化结构和工艺。该简化结构包括基板、铜凸点、BEOL金属互连层、芯片、预制裂纹和纳米探针。该测试工艺主要是对服役温度测试下的简化结构，将加载方式简化为纳米探针剪切铜凸点，以达到测试简化结构的互连强度。本发明解决了现有技术中难以测试纳米级别互连结构中的凸点和BEOL金属互连层界面之间的强度，无法建立寿命失效准则、寿命预测和可靠性问题；能够有效地提高对微电子产品进行可靠性测试的效率，简化工作流程。
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公开(公告)号：CN111092039A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201911404448.9
申请日：2019-12-30
申请人： 武汉大学
IPC分类号： H01L21/677 , B25J11/00
摘要： 一种高效晶片传输系统包括：2个接收超声传感器、耦合机械手、研磨控制台、清洗控制台、抛光控制台、刻蚀控制台、机械手旋转台等，各控制台包括：12发射超声传感器、晶片存储耦合装置、圆形预对准缓存台、预对准旋转台、晶片输出耦合装置等。本发明使用空间三点式确定所放晶片圆心；通过二级定位方式将耦合机械手抓取中心，与晶片圆心对准。耦合机械手在控制台中从晶片存储耦合装置中将单晶片传输到圆形预对准缓存台处理，六片晶片传输完成后实现一次工艺过程，预对准旋转台回到初始位置，晶片存储耦合装置对称旋转；按照相似操作，处理后的六片晶片传输至晶片输出耦合装置。耦合机械手将六片晶片传输至邻控制台的晶片存储耦合装置作下一工序。
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公开(公告)号：CN111037580A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911392586.X
申请日：2019-12-30
申请人： 武汉大学
摘要： 本发明公开了一种多用碳化硅晶片传输机械手，包括衬板；主传动齿轮和副传动齿轮，主后辅臂和副后辅臂，动力输入模块，动力输入模块给机主传动齿轮提供动力输入带动主传动齿轮转动；主抓取臂和副抓取臂，主抓取臂与主传动齿轮和主后辅臂铰接，与主传动齿轮和主后辅臂铰接；主上前辅臂和主下前辅臂的一端分别铰接在衬板的上表面和下表面，另一端分别铰接在主抓取臂中部的上端和下端，副上前辅臂和副下前辅臂的一端分别铰接在衬板的上表面和下表明，另一端分别铰接在副抓取臂中部的上端和下端；直径调节模块分别安装在主抓取臂和副抓取臂的末端。本发明可实现二级抓取，实现了有限空间内不同腔体间的高效协调运作。
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公开(公告)号：CN114566478B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210455456.1
申请日：2022-04-28
申请人： 武汉大学
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/58 , H01L21/768
摘要： 本发明公开了一种低热应力、高电性能的同轴双环TSV结构及制备方法，首先将所述晶圆减薄到所需厚度；然后晶圆正面制作TSV通孔；之后在TSV通孔内壁通过热氧化法、沉积法沉积第一绝缘层；在第一绝缘层内壁法依次制备扩散粘附层/阻挡层、种子层和外导电金属环；在外导电金属环内侧沉积扩散粘附层/阻挡层、第二绝缘层；在第二绝缘层内壁制备扩散粘附层/阻挡层、种子层和内导电金属环；在内导电金属环内沉积扩散粘附层/阻挡层、填充第三绝缘层，得到同轴双环TSV结构。本发明外导电金属环接地，起到屏蔽信号干扰作用，内导电金属环用来传输信号并减小热应力，在保证高电特性的前提下，减小了在硅片中引入的热应力。
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公开(公告)号：CN114566478A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210455456.1
申请日：2022-04-28
申请人： 武汉大学
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/58 , H01L21/768
摘要： 本发明公开了一种低热应力、高电性能的同轴双环TSV结构及制备方法，首先将所述晶圆减薄到所需厚度；然后晶圆正面制作TSV通孔；之后在TSV通孔内壁通过热氧化法、沉积法沉积第一绝缘层；在第一绝缘层内壁法依次制备扩散粘附层/阻挡层、种子层和外导电金属环；在外导电金属环内侧沉积扩散粘附层/阻挡层、第二绝缘层；在第二绝缘层内壁制备扩散粘附层/阻挡层、种子层和内导电金属环；在内导电金属环内沉积扩散粘附层/阻挡层、填充第三绝缘层，得到同轴双环TSV结构。本发明外导电金属环接地，起到屏蔽信号干扰作用，内导电金属环用来传输信号并减小热应力，在保证高电特性的前提下，减小了在硅片中引入的热应力。
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公开(公告)号：CN114242582A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111444829.7
申请日：2021-11-30
申请人： 武汉大学
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L25/00
摘要： 本发明公开了一种间接式等离子体大腔体刻蚀的结构及其制备工艺，其结构包括腔体晶圆、键合晶圆和芯片；该间接式等离子体大腔体刻蚀的结构制备工艺包括前处理工艺、等离子体深硅刻蚀工艺以及键合工艺。本发明完美解决了深硅刻蚀过程中单腔体刻蚀时间长，刻蚀形成的腔体底面粗糙度大的技术问题；提出的间接式等离子体大腔体刻蚀的结构及其制备工艺易于实现自动化操作，工艺稳定，适合具有高深宽比的多腔体刻蚀，并且适于大规模批量生产的应用场景。
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公开(公告)号：CN114927500A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210846548.2
申请日：2022-07-19
申请人： 武汉大学
IPC分类号： H01L23/538 , H01L23/49 , H01L25/18 , H01L21/768 , H01L21/50
摘要： 本发明公开了一种基于分布式的双扇出型异构集成三维封装结构及工艺。该结构及工艺主要包括：第一芯粒、第二芯粒制作金属凸块后贴装于第一临时载板上并进行模塑料填充；把芯粒倒装后进行模塑料通孔刻蚀、TMV填充并制作第一再布线层形成第一封装体；将第一封装体与第三芯粒贴装在第二临时载板上；之后进行模塑料填充、减薄；进行二次塑封层打孔、TMV填充、植球、存储芯粒的堆叠并制作第二再布线层形成第二封装体；最后植球实现三维堆叠。该结构基于分布式的双扇出型异构集成技术实现了不同种类异质芯片的三维堆叠，有效提高了封装集成度，同时有效减少了互连距离，在电性能及信号传输方面具有很大的优势。
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公开(公告)号：CN111092039B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201911404448.9
申请日：2019-12-30
申请人： 武汉大学
IPC分类号： H01L21/677 , B25J11/00
摘要： 一种高效晶片传输系统包括：2个接收超声传感器、耦合机械手、研磨控制台、清洗控制台、抛光控制台、刻蚀控制台、机械手旋转台等，各控制台包括：12发射超声传感器、晶片存储耦合装置、圆形预对准缓存台、预对准旋转台、晶片输出耦合装置等。本发明使用空间三点式确定所放晶片圆心；通过二级定位方式将耦合机械手抓取中心，与晶片圆心对准。耦合机械手在控制台中从晶片存储耦合装置中将单晶片传输到圆形预对准缓存台处理，六片晶片传输完成后实现一次工艺过程，预对准旋转台回到初始位置，晶片存储耦合装置对称旋转；按照相似操作，处理后的六片晶片传输至晶片输出耦合装置。耦合机械手将六片晶片传输至邻控制台的晶片存储耦合装置作下一工序。
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公开(公告)号：CN111037580B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201911392586.X
申请日：2019-12-30
申请人： 武汉大学
摘要： 本发明公开了一种多用碳化硅晶片传输机械手，包括衬板；主传动齿轮和副传动齿轮，主后辅臂和副后辅臂，动力输入模块，动力输入模块给机主传动齿轮提供动力输入带动主传动齿轮转动；主抓取臂和副抓取臂，主抓取臂与主传动齿轮和主后辅臂铰接，与主传动齿轮和主后辅臂铰接；主上前辅臂和主下前辅臂的一端分别铰接在衬板的上表面和下表面，另一端分别铰接在主抓取臂中部的上端和下端，副上前辅臂和副下前辅臂的一端分别铰接在衬板的上表面和下表明，另一端分别铰接在副抓取臂中部的上端和下端；直径调节模块分别安装在主抓取臂和副抓取臂的末端。本发明可实现二级抓取，实现了有限空间内不同腔体间的高效协调运作。
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公开(公告)号：CN111370344A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010139230.1
申请日：2020-03-03
申请人： 武汉大学
摘要： 本发明涉及一种用于在线监测半导体基片刻蚀过程的监测系统，包括第一腔室、传送装置、抽气装置、用于监测刻蚀后阵列基片表面粗糙度的第一监测装置、用于监测刻蚀后阵列基片外观形貌的第二监测装置及用于定性定量监测刻蚀后气体的第三监测装置，第一腔室与蚀刻腔连通，抽气装置设于蚀刻腔上，传送装置用于将阵列基片从蚀刻腔内传送至第一腔室内，第一监测装置及第二监测装置设于第一腔室上，第三监测装置的进样口与蚀刻腔连通。本发明提供的监测系统中利用相应的监测装置对刻蚀后阵列基片待监测区域进行监测，从而实现在线形貌观测、表面粗糙度等参数，以为刻蚀工艺提供优化指导并进一步提高生产效率和良品率。
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