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公开(公告)号：CN106207751B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201610845797.4
申请日：2016-09-20
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司 , 武汉电信器件有限公司
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种基于光学介质膜钝化的垂直腔面激光器及其制备方法。其中本发明在于利用光学介质膜作为DBR反射镜材料，并且作为激光器腔面的钝化介质膜。光学介质膜取代传统的DBR反射膜，能有效的降低垂直腔激光器的串联电阻、吸收损耗和界面损耗，从而改善激光器的热特性。光学介质膜同样是很好的电介质薄膜，用它来做激光器的表面钝化，既简化了工艺，节省了钝化成本，又能有效的保护激光器的腔面，改善激光器的可靠性。
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公开(公告)号：CN106444296B
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201610932799.7
申请日：2016-10-31
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司 , 武汉电信器件有限公司
摘要： 本发明涉及激光器光刻技术领域，提供了一种基于微纳结构的光刻方法。所述方法包括根据光刻的图案和微纳材料，设定激光器；动态调整激光器的光功率和/或脉冲时间；选择第一腐蚀剂，刻蚀微纳材料层中晶化区域；选择第二腐蚀剂，刻蚀沉积态的微纳材料和基座，在基座上形成相应三维图形。本发明实施例利用基于微纳材料(也称为相变材料)的热光刻技术实现了一种快速制备三维微纳结构的方法，能够实现连续作业，性价比高，操作简单，对环境要求宽松，并且可以在系统上增加微透镜阵列以增加产出率，实用性强。
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公开(公告)号：CN105428992B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201510800418.5
申请日：2015-11-19
申请人： 武汉电信器件有限公司
摘要： 本发明属于激光器技术领域，尤其涉及一种高速激光器芯片结构，包括：一衬底；一缓冲层；一第一渐变限制层；一腐蚀停止层3；一第一波导层4；一第二限制层5；一第一量子阱垒层6；一量子阱有源层7；一第二量子阱垒层8；一第二波导层9；一光栅层10；一第三渐变限制层11；一欧姆接触层12；一绝缘介质层13；一P型上电极14；一N型下电极15。本发明重新设计腐蚀层的结构位置，与传统比较，漏电流会减少，电容也会相应减少，对整个高速激光器的光电特性有明显提高。
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公开(公告)号：CN105470812B
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201510746784.7
申请日：2015-11-06
申请人： 武汉电信器件有限公司
IPC分类号： H01S5/223
摘要： 本发明属于激光器技术领域，尤其涉及一种高速激光器芯片的制作方法和装置，所述方法包括：获取外延片结构中由表层到第一腐蚀停止层的厚度参数；根据所述厚度参数设置对应所述激光测距器的响应阈值；将所述外延片置于托盘指定位置；在启动腐蚀过程后，所述外延片由所述托盘托举着沉浸到所述腐蚀液中；在所述激光测距器监测到外延片腐蚀区中心厚度达到响应阈值时，触发完成将所述外延片托举出腐蚀液的操作过程。通过一种携带伺服系统的腐蚀控制装置，利用激光的测距功能，监测腐蚀区中心厚度是否达到响应阈值，来判断是否完成腐蚀阶段。该方法能够基于获取的激光器芯片制造的相关参数，有效的适应各种激光器芯片的脊波导结构生成。
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公开(公告)号：CN106654856A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201710113863.3
申请日：2017-02-28
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司 , 武汉电信器件有限公司
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18313
摘要： 本发明涉及激光器技术领域，提供了一种垂直腔面激光器及其制作方法。该激光器衬底1、N型分布布拉格反射镜组2、有源区3、氧化限制层4、P面电极5、光学膜6、第二光栅层7和BCB钝化层8；其中，所述氧化限制层4上设置有通过氧化形成的第一光栅；所述P型分布布拉格反射镜组6的出光面上刻蚀制作有第二光栅。本发明实施例通过氧化形成的第一光栅的引入，实现有源区电流的各向异性注入，有效的缓解载流子注入各向同性所带来的各种问题，如空间烧孔现象等，同时第二光栅的引入进一步的缓解输出光的多模和散射问题，实现在颈向的自聚偏振光输出。
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公开(公告)号：CN103022892B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201210541694.0
申请日：2012-12-14
申请人： 武汉电信器件有限公司
摘要： 本发明涉及一种波长为808nm的大功率激光器芯片结构及其制作方法，所述大功率激光器芯片结构包括：在衬底(0)上依次生成的缓冲层(1)、第一渐变限制层(2)、第一波导层(3)、第二波导层(4)、第一量子阱垒层(5)、量子阱有源层(6)、第二量子阱垒层(7)、第三波导层(8)、腐蚀停止层(9)、第四波导层(10)、第二渐变限制层(11)、欧姆接触层(12)、绝缘介质层(13)、P型上电极(14)以及N型下电极(15)。通过所述制作方法获得的结构由于增加了P型InGaP构成的腐蚀停止层，便于控制腐蚀深度，对提高生产效率以及成品率起到很好的作用。
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公开(公告)号：CN104124609A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410394081.8
申请日：2012-12-14
申请人： 武汉电信器件有限公司
摘要： 本发明涉及一种波长为808nm的大功率激光器芯片结构及其制作方法，所述大功率激光器芯片结构包括：在衬底(0)上依次生成的缓冲层(1)、第一渐变限制层(2)、第一波导层(3)、第二波导层(4)、第一量子阱垒层(5)、量子阱有源层(6)、第二量子阱垒层(7)、第三波导层(8)、腐蚀停止层(9)、第四波导层(10)、第二渐变限制层(11)、欧姆接触层(12)、绝缘介质层(13)、P型上电极(14)以及N型下电极(15)。通过所述制作方法获得的结构由于增加了P型InGaP构成的腐蚀停止层，便于控制腐蚀深度，对提高生产效率以及成品率起到很好的作用。
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公开(公告)号：CN103107231A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310045389.7
申请日：2013-02-05
申请人： 武汉电信器件有限公司
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/18
摘要： 本发明提供一种基于非N型InP衬底的雪崩光电二极管及其制备方法，该雪崩光电二极管包括InP衬底，InP衬底表面依次生长有缓冲层、扩散阻挡层、雪崩倍增层、电场控制层、渐变层、光吸收层、窗口层和接触层，InP衬底为p型衬底或半绝缘衬底，所述的扩散阻挡层能降低缓冲层中掺杂原子向雪崩倍增层中的扩散，窗口层为半绝缘InP窗口层，所述的窗口层的中心具有通过扩散形成的导电区，所述窗口层在导电区的外部具有环形沟道。本发明的环形沟道可以有效减小整个pn结的面积，可以有效降低APD的暗电流到nA级，并且本发明只需要一次扩散就可以抑制InGaAs/InP雪崩光电二极管的边缘击穿，可以精确控制倍增层的厚度。
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公开(公告)号：CN103094398A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310045387.8
申请日：2013-02-05
申请人： 武汉电信器件有限公司
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/18
摘要： 本发明提供一种免扩散的雪崩光电二极管及其制备方法，所述雪崩光电二极管包括衬底，所述衬底表面上依次生长有缓冲层、扩散阻挡层、雪崩倍增层、电场控制层、渐变层、光吸收层、腐蚀停止层、窗口层和接触层，所述的窗口层位于腐蚀停止层的中心位置，所述腐蚀停止层于窗口层的周围以及接触层的上方均覆盖有介质绝缘层，所述介质绝缘层上具有环形沟道。本发明选择性腐蚀腐蚀出圆形的窗口层，窗口层以外的部分覆盖有介质绝缘层，窗口层的大小可以直接定义雪崩光电二极管的光敏感区域，使雪崩光电二极管适用于不同速率环境下工作；另外在光吸收层靠近窗口层边缘一侧，尽管存在略强的电场，但不会在雪崩倍增层出现边缘击穿现象。
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公开(公告)号：CN103050392A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201310008727.X
申请日：2013-01-10
申请人： 武汉电信器件有限公司
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/04
摘要： 本发明公开了一种晶圆片的研磨抛光方法，属于芯片制造技术领域。本发明的晶圆片的研磨抛光方法是采用苯并环丁烯涂覆晶圆片表面，将涂覆好的晶圆片粘贴在夹具上，进行加热处理使苯并环丁烯涂层玻璃化，再经过研磨抛光后放入能溶解苯并环丁烯的溶剂中浸泡使其自动从夹具上滑落，最后进行刻蚀，同时去除残余的BCB，得到洁净的背面抛光的晶圆片。本发明的方法避免了人手工涂石蜡造成的平整度和重复性差的问题，同时使生产过程无毒无害，生产时间缩短、成品率提高。
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