等离子体刻蚀装置及其运行工艺
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115602512A

    公开(公告)日:2023-01-13

    申请号:CN202110784277.8

    申请日:2021-07-12

    摘要: 本发明涉及一种等离子体刻蚀装置及其运行工艺,在工艺腔室的内部设计两个遮挡盖,两个遮挡盖合并后形成一个中部完全封闭、上部和底部敞口的漏斗形;遮挡盖连接至气缸,随着气缸同步运动,实现两个遮挡盖之间的开启与关闭。在刻蚀阶段,气缸收缩,带着遮挡盖呈分离状态,不会遮挡晶圆,不会影响晶圆的刻蚀工艺;在清洗阶段:气缸伸长,两个遮挡盖合成一个完整漏斗形,遮挡住晶圆免受刻蚀,不会影响晶圆表面的材料和图形,提高刻蚀均匀性。而且本发明减少了顶针和机械手的来回运动,提高了整体工艺效率,降低了机台故障率,提高设备稳定性,同时根据不同的工艺调节遮挡部的位置,可以灵活的应用于多种工艺场合。