公开(公告)号：CN118263091A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202211675344.3

申请日：2022-12-26

申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司

发明人： 刘建 ,  郭春祥 ,  管路路 ,  冯英雄 ,  任华 ,  许开东

IPC分类号： H01L21/02

摘要： 本发明涉及半导体芯片生产领域，具体是一种晶圆外延片表面的晶格缺陷修复方法。本发明提供了一种晶圆外延片表面的晶格缺陷修复方法。本发明提供的方法使用氧化性气体如N2O或O2的等离子体对晶圆外延片表面进行处理，形成均匀的氧化层；使用氯基气体如BCl3的等离子体对氧化层表面进行处理，均匀地移除氧化表层；采用氯基气体与氟基气体的混合气体或氯基气体等离子体对材料表面进行刻蚀，能够有效地优化晶圆外延片表层外延生长过程产生的晶格缺陷或氧化斑造成的刻蚀缺陷和损伤，从而得到高均匀性与一致性的晶圆外延片；相对于现有技术，本发明的晶圆外延片表面晶格缺陷层去除效果更优。

公开(公告)号：CN118039471A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202211376195.0

申请日：2022-11-04

申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司

发明人： 管路路 ,  郭春祥 ,  任华 ,  许开东

IPC分类号： H01L21/3065

摘要： 本发明涉及半导体器件领域，具体是一种原子层刻蚀方法。本发明提供了一种原子层刻蚀方法，包括：S1)将氯基气体进行等离子处理，使晶片的表层原子形成氯化层；S2)将含氮气体进行等离子处理，对步骤S1)所述晶片的氯化层进行刻蚀。本发明提供的方法能够降低晶片在原子层刻蚀时的晶格损伤和电学损伤。实验表明，采用现有的方法刻蚀氮化镓后，晶片表面的N元素含量为51.4％；而采用本发明所述方法刻蚀氮化镓后，晶片表面的N元素含量为47.8％；可以看出，经过氯基气体改性，含氮气体刻蚀后的样品表面产生的N空位更少，可以有效降低N空位带来的晶格损伤与电学损伤。