金属沾污收集系统和金属沾污收集方法

    公开(公告)号:CN117367924A

    公开(公告)日:2024-01-09

    申请号:CN202210750298.2

    申请日:2022-06-29

    IPC分类号: G01N1/32 C30B33/00

    摘要: 本申请公开了一种金属沾污收集系统和金属沾污收集方法,所述收集系统包括气相腐蚀腔、与所述气相腐蚀腔连通的第一通道、第二通道、第三通道和第四通道,所述第一通道、第二通道、第三通道和第四通道相互独立,分别用于向所述气相腐蚀腔内通入强酸性气体、氧化性气体、惰性气体和能使亲水晶圆表面疏水化的表面改性气体。收集过程中,向气相腐蚀腔内部通入表面改性气体使亲水晶圆表面疏水化,这样在收集金属沾污时,不会因为晶圆表面的亲水性导致扫描液分散粘连在晶圆表面,能够保障收集系统高效收集金属沾污。

    晶圆分析系统及使用方法、晶圆分析用的喷嘴

    公开(公告)号:CN116351833A

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN202111565597.0

    申请日:2021-12-20

    IPC分类号: B08B15/00 H01L21/67

    摘要: 本发明公开了一种晶圆分析系统及使用方法、晶圆分析用的喷嘴,本发明所提供的喷嘴使用时,供气气源喷入晶圆和喷嘴之间的气体可以在抽气部件的动力下从第二气口抽至外部,这样气流在第一气口和第二气口之间形成气流环,因气流换包围容纳槽,故位于容纳槽内部的扫描液体被限制于气流环内部的有限空间内部,这样扫描液体不会挥发至气流环之外的环境,避免对环境污染,并且在气流环的作用下,扫描液体将挤压在一起,不会因喷嘴相对晶圆移动而散失,提高后期扫描液体的回收率。

    一种腔室的清洗方法
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114752918B

    公开(公告)日:2024-06-04

    申请号:CN202110023554.3

    申请日:2021-01-08

    IPC分类号: B08B7/00 C23C16/44 H01J37/32

    摘要: 本发明提供一种腔室的清洗方法,该方法先关闭ICP‑CVD反应腔室的分子泵,用干泵抽真空;通入清洗气体高频电源启辉,形成清洗气体的等离子体对腔室内进行清洗,在该过程中间歇启动低频电源;然后关闭干泵,启动分子泵抽真空;通入清洗气体,启动高频电源对腔室进行清洗,在该过程中间歇启动低频电源,完成腔室的清洗。该清洗方法使用常规的含氟气体、惰性气体和含氧气体在腔室内进行等离子清洗作业;通过双工艺规控制程序来控制不同的腔压条件及射频条件对腔室顶部,边缘,底部进行清洗;同时通过流程的切换来保证对腔室材料的损伤降至最低;减少腔室内由于清洗过程及腔室损伤带来的颗粒问题。

    一种晶圆扫描用喷嘴及其系统与应用

    公开(公告)号:CN113130366B

    公开(公告)日:2024-02-13

    申请号:CN202110285687.8

    申请日:2021-03-17

    IPC分类号: H01L21/683

    摘要: 本申请公开了一种晶圆扫描用喷嘴及其系统与应用,包括喷嘴主体、喷嘴外腔、抽气嘴和匀气网,所述喷嘴主体作为主要输送管道,喷嘴主体底部连接匀气网一端,匀气网另一端与喷嘴外腔底部相连,喷嘴外腔顶部与喷嘴主体相连,所述喷嘴外腔与匀气网和喷嘴主体中间的部分形成抽气腔,抽气嘴一端设在喷嘴外腔上并与抽气腔相连,抽气嘴另一端往外连接真空设备、负压设备或尾排口。由于匀气网的匀气调节作用,使得更大面积的液的受到不同作用的负压吸附作用,使得大面积的液珠不会脱落,达到期望使用的大面积喷涂的效果;并且,通过调压控压系统可实现液滴的大小控制,满足多种需求。

    气相腐蚀设备及测量装置、晶圆加工方法

    公开(公告)号:CN117276114A

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN202210669675.X

    申请日:2022-06-14

    摘要: 本发明公开了一种气相腐蚀设备及测量装置、晶圆加工方法,该测量装置的顶针自底座的顶针穿过孔伸入腐蚀腔室内部,然后将晶圆放置于各顶针形成的支撑面,也就是说晶圆支撑于顶针,这样力传感器就能够获知在进行腐蚀工艺之前晶圆的初始重量,然后密封顶针与底座之间,向腐蚀腔室内部通入腐蚀气体进行对晶圆表面腐蚀,在腐蚀过程中可以实时通过力传感器获知晶圆的重量,进而可以获知当前时刻晶圆的大致厚度。这样在腐蚀过程中无需移动晶圆就能获知晶圆当前时刻的厚度,提高了设备使用灵活性和可以提高设备的生产效率。

    扫描喷嘴的供液清洗系统及扫描喷嘴的供液清洗方法

    公开(公告)号:CN116943926A

    公开(公告)日:2023-10-27

    申请号:CN202210417112.1

    申请日:2022-04-20

    IPC分类号: B05B15/55 B05B12/08

    摘要: 本申请公开了一种扫描喷嘴的供液清洗系统及扫描喷嘴的供液清洗方法,供液清洗系统包括机械臂、储液槽和排液槽;机械臂驱动扫描喷嘴在储液槽上方移动;储液槽的储液槽本体设有扫描液腔、清洗液腔、扫描液溢流腔、清洗液溢流腔等储液腔,各储液腔下端设有出液口并连有出液阀,还设有注液口并连有注液阀,扫描液腔设有洗涤液注入口并连有洗涤液注入阀;排液槽紧邻布置在储液槽下方,以容纳自出液口排出的液体。本申请快速高效地实现了扫描喷嘴的扫描液吸取和清洗,另外还能实现扫描液和清洗液的溢流、排放、更换和自动补液,储液槽洗涤等功能。而且,储液腔的液位、注液速度、出液速度可控,污染风险低,排液顺畅,液体不易残留。

    一种半导体器件制作方法
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111162164B

    公开(公告)日:2023-06-13

    申请号:CN201811325919.2

    申请日:2018-11-08

    IPC分类号: H10N50/01

    摘要: 本发明公开一种半导体器件制作方法,所使用的刻蚀装置包括样品装载腔室、真空过渡腔室、反应离子等离子体刻蚀腔室、离子束刻蚀腔室、镀膜腔室以及真空传输腔室。在不中断真空的情况下,首先利用反应离子刻蚀到达隔离层,然后离子束刻蚀到固定层中接近底电极金属层时停止,仅保留少量固定层,而后采用反应离子刻蚀到底电极金属层,最后进行离子束清洗去除金属残留物和样品表面处理,并进行镀膜保护。通过采用离子束刻蚀和反应离子刻蚀相互结合进行刻蚀、清洗步骤,不仅能有效减少物理刻蚀带来的侧壁金属沾污及结构损伤,提高刻蚀的效率,而且降低了过刻蚀风险,提高了器件性能和良率。