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公开(公告)号：CN105132891A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510527929.4
申请日：2015-08-24
申请人： 沈阳拓荆科技有限公司
IPC分类号： C23C16/46
CPC分类号： C23C14/46
摘要： 新型温控系统在低温薄膜制备中的应用，主要解决现有技术进行薄膜沉积时不能连续生产且低温工艺产能低的问题。所述温控系统是采用温控加热盘的方式，是通过介质油对加热盘进行温度的控制来实现，以达到在工艺前后加热盘的温度保持在设定温度范围。在射频输入功率开启前，通过降低油的温度抵消等离子体对加热盘带来的加热效果，进而使得加热盘温度保持在设定值不变。在沉积过程结束时需要将油的温度升至起始温度，避免加热盘在腔体的清洗过程中出现降温。加热盘的温度保持不变，即可以实现产品的连续性生产，大幅度的提高设备的产能。主要适用于半导体薄膜沉积设备的低温工艺中。
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公开(公告)号：CN104835712A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510133582.5
申请日：2015-03-25
申请人： 沈阳拓荆科技有限公司
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32
摘要： 一种应用于半导体等离子体处理装置的弧面喷淋头，主要解决现有技术均匀性不够好、气体利用率较低的技术问题。所述喷淋头与载物台形成相对面，设置于反应腔室中，从喷淋头以喷淋状向载物台进行气体供给。所述喷淋头下表面为弧形结构，即喷淋头下表面各处与载物台的距离不等值，从中心到边缘的d不是固定值，是渐变值。所述喷淋头的喷淋开孔区域设置有多个通孔，用于气体的喷淋状供给。所述喷淋头下面的弧面结构区域面积占喷淋头下表面积的1％-100％。通过喷淋头下表面的弧面结构可实现半导体等离子体处理工艺制程的均匀处理，能够简单有效地提高气体的利用率，可广泛应用于半导体制造技术领域。
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公开(公告)号：CN107731720B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201711225305.2
申请日：2017-11-29
申请人： 沈阳拓荆科技有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种半导体加工设备的液体流量校准系统及校准方法，其中，校准系统包括：液体汽化器、反应腔、压力规和控制单元；校准方法包括：校准反应腔的腔体环境；计算腔体稳定压力与液态源流量的关系因子R；重新校准反应腔的腔体环境，并核实关系因子。该半导体加工设备的液体流量校准系统及校准方法可实现现场校准，可靠性高，具有生产经济价值。
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公开(公告)号：CN106555172A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201510628464.1
申请日：2015-09-28
申请人： 沈阳拓荆科技有限公司
IPC分类号： C23C16/455
摘要： 一种可缩短化学气相沉积机台达到稳定状态时间的喷淋头，主要解决现有的化学气相沉积机台达到稳定状态时间长的问题，本发明提供一种可缩短化学气相沉积机台达到稳定状态时间的喷淋头，所述喷淋头与载物台形成相对面，设置于反应腔室中，从喷淋头以喷淋状向载物台进行气体供给，该喷淋头包括喷淋板上表面，喷淋板下表面及多个通孔，所述喷淋板上表面与喷淋板下表面之间设有多个通孔；所述喷淋板下表面所有区域的表面均进行粗糙处理后的粗糙度为0.8-1.1微米。本发明的喷淋头能够简单有效地缩短腔体稳定时间。
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公开(公告)号：CN106555157A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201510631231.7
申请日：2015-09-28
申请人： 沈阳拓荆科技有限公司
IPC分类号： C23C8/36
CPC分类号： C23C8/36
摘要： 一种铝制加热盘氟化处理的工艺方法，主要解决现有铝制加热盘的绝缘性差等问题，本发明提供一种铝制加热盘氟化处理的工艺方法，该工艺方法是在中低真空腔室中，铝制加热盘处于腔体内，首先将NF3和Ar气在气相等离子体的作用下产生活性F离子，然后将所述产生的活性F离子通过管路导入至腔体内,在腔体压力为4-6Torr的条件下对腔体内的铝制加热盘进行氟化处理，每次氟化处理的时间为300s，循环次数为16-200次。本发明的工艺方法增加了腔体的稳定性从而使工艺达到稳定，增加铝制加热盘的不导电性，降低气相等离子体作用下铝制加热盘的放电现象，同时具有降低腔体颗粒的作用。
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公开(公告)号：CN107731720A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201711225305.2
申请日：2017-11-29
申请人： 沈阳拓荆科技有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种半导体加工设备的液体流量校准系统及校准方法，其中，校准系统包括：液体汽化器、反应腔、压力规和控制单元；校准方法包括：校准反应腔的腔体环境；计算腔体稳定压力与液态源流量的关系因子R；重新校准反应腔的腔体环境，并核实关系因子。该半导体加工设备的液体流量校准系统及校准方法可实现现场校准，可靠性高，具有生产经济价值。
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公开(公告)号：CN106604419A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201510676284.0
申请日：2015-10-15
申请人： 沈阳拓荆科技有限公司
CPC分类号： H05B3/0047 , H05B3/02 , H05B3/744
摘要： 一种灯加热的基片温控系统，主要解决现有温控系统对基片表面温度无法控制的问题。本发明提供一种灯加热的基片温控系统，包括灯管、基片支架和功率控制器。本发明的灯加热温控系统可以很好的控制基片在工艺反应中的基片温升情况，并且可以实现产品的连续性生产，大幅度的提高设备的产能，具有构思独特、简单易行，适用于半导体设备的低温工艺中，具有良好的推广前景。
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公开(公告)号：CN106555171A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201510626445.5
申请日：2015-09-28
申请人： 沈阳拓荆科技有限公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/40
摘要： 一种改善连续沉积多片不清洗薄膜均匀性趋势的方法，主要解决使用等离子体化学气相沉积设备连续沉积多片后清洗腔体，薄膜均匀性不稳定，且均匀性会变差的问题。该方法采用等离子体化学气相沉积双腔设备连续沉积氧化硅薄膜多片后进行清洗腔体，通过改变每一对通气时间来解决薄膜均匀性不稳定的方法。实现步骤：1、通氧气及氦气；2、向腔体通入已加热汽化的TEOS气体；3、控制电极板间距离；4、沉积完成后，传出反应腔；5、连续沉积多对后，对反应腔进行一次清洗。本发明所采用的是在沉积薄膜前，改善通气时间，来消除使用等离子体增强化学气相连续沉积多片氧化硅薄膜后清洗，薄膜均匀性仍保持稳定的方法。使用此方法可以提高设备产能，减少成本，可在半导体领域广泛应用。
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