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公开(公告)号：CN106711029A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201510457980.2
申请日：2015-07-29
申请人： 沈阳拓荆科技有限公司
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/677
摘要： 高产能半导体薄膜沉积装置，包括前置设备(1)、储存腔(2)、传片腔(3)及反应腔(4)。前置设备(1)通过门阀与储存腔(2)连接，晶圆升降机构处于储存腔(2)内。储存腔(2)与传片腔(3)连接。传片腔(3)与三个反应腔(4)连接。储存腔(2)内安装晶圆升降机构。传片腔(3)内安装双层机械手。本发明结构紧凑合理，可以满足使用要求。
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公开(公告)号：CN106601578A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201510677144.5
申请日：2015-10-16
申请人： 沈阳拓荆科技有限公司
IPC分类号： H01J37/20
CPC分类号： H01J37/20
摘要： 一种水平调整装置，包括三角水冷块和三角支撑座，两者大小和形状相同，并通过锁紧螺母和调整螺栓连接。所述的锁紧螺母和调整螺栓与三角水冷块和三角支撑座接触的面为球面。本发明利用调整螺栓带动上方水冷块，进而使加热盘的水平度发生改变，避免了调平误差，锁紧螺母与调整螺栓和支撑座、水冷块的接触面为球面，增大了接触面积，使设备更加稳定，提高了工艺质量和产能。
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公开(公告)号：CN106594445A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201510677115.9
申请日：2015-10-16
申请人： 沈阳拓荆科技有限公司
IPC分类号： F16L53/00
CPC分类号： F16L53/30
摘要： 一种气体管路的加热方法，首先采用铝铸模模具对气体管路进行包裹，然后在模具内穿入电加热材料进行加热，同时在模具体外层裹隔热保温材料，进行保温保护，在最外面加一个钣金罩。本发明优点在于可以对一条管路整体控温，确保整个管路的温度是一致的，基本消除温差存在，控温准确，安装方便简捷，可以对形状特别的组件加三通、弯头等加热。
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公开(公告)号：CN105185732A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510524095.1
申请日：2015-08-24
申请人： 沈阳拓荆科技有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/67 , H01L21/67213 , H01L21/683
摘要： 本发明提供一种能够在半导体等离子体处理装置中，可改变晶圆表面薄膜形貌的陶瓷环。所述陶瓷环位于载物台上，用于待加工晶圆的承载。所述陶瓷环上承托晶圆台阶的边缘为直角，台阶高度d1可设置不同尺寸，在高温工艺过程中，当等离子体气流通过台阶边缘时，台阶高度对气流的流动产生影响，从而影响膜层的均匀性。本发明可以有效的调整陶瓷环台阶与晶圆边缘处的气流分布，从而影响等离子体分布的均匀性，改善晶圆边缘薄膜生长情况。具有结构合理，实用且易于实现的特点。可广泛地应用于半导体薄膜沉积的技术领域。
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公开(公告)号：CN105023875A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510458178.5
申请日：2015-07-29
申请人： 沈阳拓荆科技有限公司
IPC分类号： H01L21/687
CPC分类号： H01L21/687
摘要： 一种晶圆升降机构，包括连接件(1)、顶针(2)、支板(3)、加热盘(4)和气缸(5)。支板(3)固定在气缸(5)活塞上。连接件(1)处于支板(3)的上端。顶针(2)固定在支板(3)上。顶针(2)的上端穿过加热盘(4)。本发明结构紧凑合理，可以保证三根顶针同时进行升降，避免了晶圆的滑动现象。
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公开(公告)号：CN103632998A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310602849.1
申请日：2013-11-22
申请人： 沈阳拓荆科技有限公司
CPC分类号： H01L21/67173 , H01J37/32449 , H01J37/32899 , H01J37/32908 , H01L21/6719 , H01L21/67213
摘要： 本发明公开了一种等离子体处理装置，其包括：第一处理腔，具有第一墙及由第一墙包围形成的第一处理空间；第二处理腔，具有第二墙及由第二墙包围形成的第二处理空间；设置于第一处理腔与第二处理腔之间的连接件，第一、第二处理腔可拆卸地连接；气体供应系统以及排气系统，包括连通于所述第一处理空间的第一排气通道及连通于所述第二处理空间的第二排气通道，所述第一排气通道与所述第二排气通道相连通。本发明通过将多个处理腔以可拆卸方式进行连接，在实现两腔环境匹配的同时，降低设备的制造及维修成本。
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公开(公告)号：CN106609361A
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201510711882.7
申请日：2015-10-27
申请人： 沈阳拓荆科技有限公司
IPC分类号： C23C16/455
摘要： 一种多气体多区域的喷淋结构，主要解决现有的喷淋结构不易于控制沉积的时间及特气资源浪费的问题，本发明提供一种多气体多区域的喷淋结构，包括喷淋板本体，该喷淋板本体上设有气体A分区，气体B分区及凹槽，所述气体A分区上设有气体A入口，所述气体B分区上设有气体B入口。本发明的喷淋结构采用平面分区结构，隔离不同的气体路径，来实现两种气体独立、均匀的到达基底表面进行沉积反应，较好地解决了气体在进入腔室之前已进行接触，不易于控制沉积的时间及特气资源浪费的技术问题。具有结构合理及易于推广的特点。
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公开(公告)号：CN106604419A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201510676284.0
申请日：2015-10-15
申请人： 沈阳拓荆科技有限公司
CPC分类号： H05B3/0047 , H05B3/02 , H05B3/744
摘要： 一种灯加热的基片温控系统，主要解决现有温控系统对基片表面温度无法控制的问题。本发明提供一种灯加热的基片温控系统，包括灯管、基片支架和功率控制器。本发明的灯加热温控系统可以很好的控制基片在工艺反应中的基片温升情况，并且可以实现产品的连续性生产，大幅度的提高设备的产能，具有构思独特、简单易行，适用于半导体设备的低温工艺中，具有良好的推广前景。
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公开(公告)号：CN106555168A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201510623298.6
申请日：2015-09-28
申请人： 沈阳拓荆科技有限公司
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/513 , C23C16/52
CPC分类号： C23C16/40 , C23C16/513 , C23C16/52
摘要： 一种通过调整氮气流量改善低温氧化硅薄膜性能的方法，主要解决现有制备氧化硅薄膜的方法比较复杂，不易控制的问题。该方法能够在较低的基底温度下，由射频系统提供射频，通过等离子体技术沉积出所需要的氧化硅薄膜。具体方法通过以下步骤实现:1、载物台控温；2、装样；3、通入气体SiH4、N2O、N2；4、通过等离子体技术沉积薄膜；5、反应腔室抽至真空。本发明能够简单有效地通过改变氮气的流量来控制等离子体化学气相沉积的氧化硅薄膜的性能，可满足多方面的需求，主要应用于半导体薄膜制造及应用技术领域。
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公开(公告)号：CN106356328A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201510405720.0
申请日：2015-07-13
申请人： 沈阳拓荆科技有限公司
IPC分类号： H01L21/687
CPC分类号： H01L21/687
摘要： 一种新型晶圆压紧机构，主要解决现有的半导体镀膜设备没有压紧机构，存在着晶圆翘曲所带来的产品不良率高的问题。该机构包括主体，主体与电机连接。所述主体包括压板、加热盘、顶针及托盘。所述顶针的上、下两端分别设在加热盘与托盘的内孔中，并在其内孔中上下滑动。上述压板的上端呈倒“L”形。使用时，通过电机直线运动带动压板，使压板紧紧压住晶圆，保证晶圆的平整度。当托盘顶起顶针使晶圆升起的时候，压板也会同时升起。压板的行程要比顶针的行程大5mm，以满足使用要求，可以保证设备在运行中腔体稳定。采用本发明能够使产品良率提升，可在半导体镀膜设备制造及应用技术领域广泛推广。
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