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公开(公告)号：CN103451720A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310340040.6
申请日：2013-08-06
申请人： 杭州慧翔电液技术开发有限公司 , 浙江晶盛机电股份有限公司
IPC分类号： C30B15/00
摘要： 本发明涉及直拉硅单晶炉设备，旨在提供电动热屏提升装置。该电动热屏提升装置包括脉冲发生器和至少两个提升装置，提升装置包括电动装置、直线运动单元、调节旋钮、密封座、波纹管、提升杆和提升爪，提升爪连接在提升杆的一端，提升杆的另一端通过波纹管与密封座再与调节旋钮连接，密封座安装在直线运动单元上，直线运动单元与电动装置相连，所述电动装置包括电机及驱动器；脉冲发生器与各个驱动器分别相连接。本发明在传统热屏提升的基础上改进为电动提升装置，并采用一个脉冲发生器连接各个驱动器来控制步进电机，这样保证了多处提升点实现同步升降，增强了可靠性，也为实现热屏提升的自动化控制奠定了基础。
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公开(公告)号：CN110026826B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201811166187.7
申请日：2018-09-30
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种全自动单晶硅棒切方磨削复合加工一体设备及其使用方法，本发明提供了一种全自动单晶硅棒切方磨削一体加工的设备，把圆棒通过切方、边角磨削和平面磨削一体加工成方棒，能够有效解决现有技术中的问题，在提高硅棒加工的效率、降低硅棒加工的成本、提升晶棒尺寸精度的同时又能减少设备的种类和数量，节省厂房面积，节约人力和物流成本。本申请可以使得切方组件和磨削组件相互独立工作互相不干涉，提高加工效率；此外，切方磨削动力头采用对称布局，同时进行双面加工，成倍提高加工效率。
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公开(公告)号：CN103359470B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310240912.1
申请日：2013-06-15
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司
IPC分类号： B65G47/04
摘要： 本发明涉及单晶硅切磨技术，旨在提供一种单晶硅切磨一体机的边皮自动传送机构及传送方法。该装置包括同步带、落料机构、送料机构和停料机构；其中，落料机构包括气缸、翻转机构活动块、翻转机构固定块、翻转板连接块、边皮翻转板、边皮翻转板垫板。停料机构包括安装在固定板上的一排滚筒，以及设于滚筒两侧的光电传感器；送料机构包括电机、转轴、联轴器、主动轮、从动轮；停料机构位于同步带的末端，滚筒内部装有轴承。本发明可实现无人自动传料，既提高了生产效率，又保证了安全生产，降低了劳动强度。
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公开(公告)号：CN103913417A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410106247.1
申请日：2014-03-20
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司
IPC分类号： G01N21/00
摘要： 本发明涉及晶体生长炉领域，旨在提供一种单晶硅棒晶向检测装置及其晶向检测方法。该单晶硅棒晶向检测装置用于检测装夹在切方工作台上的圆形单晶硅棒的晶向，包括支架、支撑臂、晶向检测传感器支架、气缸、固定护罩、升降护罩、晶向检测传感器；该单晶硅棒晶向检测装置的晶向检测方法包括步骤：操作气缸、开启气源、启动晶向检测传感器并计算圆形单晶硅棒表面到激光发出点的距离最小值，该距离最小值即为晶棒的晶向。本发明能自动检测装夹于工作台上的晶棒的晶向，采用非接触式测量方法，检测精度高、响应快、耗时短、可自动控制；结构简单，陈本低，不需人工参与，适用于单晶硅棒流水线加工车间的全自动控制。
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公开(公告)号：CN113652741A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110873786.8
申请日：2021-07-30
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司
摘要： 本发明涉及半导体外延生长技术领域，特别是涉及一种外延生长装置，该外延生长装置包括至少一个托盘、加热体和至少一组线圈组件；加热体内具有工作空间，托盘位于工作空间内，线圈组件沿加热体周向围设在加热体外；每组线圈组件具有一基点，每组线圈组件包括多个独立的子线圈，多个子线圈以基点为中心由内向外扩散排布；且两两相邻的两个子线圈中，其中一个子线圈包裹另外一个子线圈。本申请中每个独立的子线圈将托盘上的区域划分为多个独立加热的子区域，每个独立的子线圈对托盘上对应的子区域进行单独加热，从而实现托盘表面温度分区可控；即可调整托盘上对应的子区域的温度，降低各个子区域之间的温度差值，以提高托盘上生长的外延层的质量。
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公开(公告)号：CN103921358B
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201410088804.1
申请日：2014-03-11
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司
摘要： 本发明属于单晶硅棒加工设备领域，旨在提供一种全自动单晶硅棒切方磨削复合加工一体设备；其中包括底架、切方动力头驱动组件、磨削动力头驱动组件、外罩单元、边皮输送机构、尺寸检测单元、晶向检测单元、切磨工作台和机械手及储料台组件；所述底架中部设有两根平行的主导轨，所述切磨工作台安装于两根主导轨上，并由设置在底架上的主驱动电机通过底架上的主丝杆进行驱动，使其能沿着主导轨移动；本发明的有益效果有：晶棒的切方磨削加工在一台设备中全自动进行，可有效缩短晶棒流转的耗时；切方磨削工作相互独立，同时进行加工，节约加工耗时；切方磨削动力头采用对称布局，同时进行双面加工，成倍地提高加工效率。
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公开(公告)号：CN103469296A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310340080.0
申请日：2013-08-06
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司
摘要： 本发明涉及蓝宝石炉晶体生长炉领域，旨在提供一种用于蓝宝石炉的三等分圆盘称重装置。该三等分圆盘称重装置包括小称重传感器、大称重传感器、称重盘、顶帽、支点和环形的基座，小称重传感器、大称重传感器和支点三点等均固定在基座上，小称重传感器、大称重传感器和支点上各安装有一个半球形的顶帽，且三个顶帽的高度一致，称重盘对中安装在三个顶帽上。本发明结构稳定、对外界的抗干扰性强、测量数据精准，而且大、小量程的选择为在不通阶段的晶体重量测得更加精准。本发明将更有利于蓝宝石炉的引晶工艺的完成，使后期整个长晶过程中的拉速控制有了实际数字参照，为实现自动化引晶检测和长晶做好了准备。
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公开(公告)号：CN113846376B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202111113173.0
申请日：2021-09-23
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司 , 浙江求是半导体设备有限公司
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种外延生长装置的调温以及外延生长装置。该调温方法包括以下步骤：在衬底上选定离线测温点，在衬底和/或加热基座上选定实时测温点，离线测温点与实时测温点对应；模拟外延生长装置的工作流程，以在衬底空转的情况下获取离线测温点的温度T1以及实时测温点的温度T2；拟合温度T1和温度T2，得到温度T1和温度T2之间的映射关系函数F；获取外延生长装置正常工作流程下的实时测温点的温度T2’；根据映射关系函数F以及温度T2’，计算获得对应的离线测温点的实时温度T1’；根据实时温度T1’调节外延生长装置的加热功率。本申请的优点在于：能够获得衬底表面精确的实时温度T1’，用以精准及时的反馈调节加热功率。
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公开(公告)号：CN113652741B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110873786.8
申请日：2021-07-30
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司 , 浙江求是半导体设备有限公司
摘要： 本发明涉及半导体外延生长技术领域，特别是涉及一种外延生长装置，该外延生长装置包括至少一个托盘、加热体和至少一组线圈组件；加热体内具有工作空间，托盘位于工作空间内，线圈组件沿加热体周向围设在加热体外；每组线圈组件具有一基点，每组线圈组件包括多个独立的子线圈，多个子线圈以基点为中心由内向外扩散排布；且两两相邻的两个子线圈中，其中一个子线圈包裹另外一个子线圈。本申请中每个独立的子线圈将托盘上的区域划分为多个独立加热的子区域，每个独立的子线圈对托盘上对应的子区域进行单独加热，从而实现托盘表面温度分区可控；即可调整托盘上对应的子区域的温度，降低各个子区域之间的温度差值，以提高托盘上生长的外延层的质量。
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公开(公告)号：CN110026826A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201811166187.7
申请日：2018-09-30
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种全自动单晶硅棒切方磨削复合加工一体设备及其使用方法，本发明提供了一种全自动单晶硅棒切方磨削一体加工的设备，把圆棒通过切方、边角磨削和平面磨削一体加工成方棒，能够有效解决现有技术中的问题，在提高硅棒加工的效率、降低硅棒加工的成本、提升晶棒尺寸精度的同时又能减少设备的种类和数量，节省厂房面积，节约人力和物流成本。本申请可以使得切方组件和磨削组件相互独立工作互相不干涉，提高加工效率；此外，切方磨削动力头采用对称布局，同时进行双面加工，成倍提高加工效率。
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